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Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究
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作者 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第9期1013-1016,共4页
室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用透射电镜观测分析了 80 0℃高温退火引起的空腔的形... 室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用透射电镜观测分析了 80 0℃高温退火引起的空腔的形成形貌 .结果表明 ,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长 .就Si离子附加辐照而言 ,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷 ,因此 ,它会抑制空腔的生长 ,而高密度H等离子体处理则有助于空腔的生长 .定性地讨论了实验结果 . 展开更多
关键词 单晶硅 硅离子注入 氢等离子体处理 空腔 透射电镜 高能物理实验
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