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缩短批次式清洗周期的策略 被引量：1
1
作者 Jeffery W.Butterbaugh 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期50-53,61,共5页
在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%。性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因。但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发。在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了... 在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%。性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因。但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发。在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了一种保持性能和处理量,同时又能实现清洗工艺生产力增长的可选方法。 展开更多
关键词 半导体器件 单晶圆系统 批次式浸没系统 清洗工艺
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硅晶片表面污染物去除的关键工艺 被引量：1
2
作者 Kurt K.Christenson 《电子工业专用设备》 2004年第9期27-32,77,共7页
硅晶片的清洗通常是在一个“过流(overflow)”清洗槽中进行,其中流过晶片的水流平均速度为1cm蛐s,而在晶片表面的速度则为零。清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流速率的限制。报告了清洗效率的提高熏通过对初次将污染物扩... 硅晶片的清洗通常是在一个“过流(overflow)”清洗槽中进行,其中流过晶片的水流平均速度为1cm蛐s,而在晶片表面的速度则为零。清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流速率的限制。报告了清洗效率的提高熏通过对初次将污染物扩散进停滞层的1min循环进行重复,然后“倾倒”清洗槽,从而去除大部分污染的停滞层。通过旋转晶片,并利用离心力去除更大部分的停滞层,每个清洗循环可将清洗效率再提高10倍眼1演。与目前的浸泡式清洗技术相比,本方法可以完全去除可溶性污染物,而使用的水量降低20倍。 展开更多
关键词 洗涤 清洗 倾倒清洗 倾斜清洗 离心力 扩散 喷雾处理器 湿法工作台 旋转清洗 甩干机 使用水量
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成本有效的用于互连线条的稀释酸刻蚀后清洗
3
作者 H.S.Sohn J.W. Butterbaugh +2 位作者 E.D.Olson J.Diedrick N.P.Lee 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期31-35,共5页
铝线条条和硅氧化物通孔刻蚀后,传统上都是使用包含胺,重金属结合剂,表面活性剂及其他成分进行清洗。这些混合剂是用来高效去除刻蚀后残留物的,而不会对硅氧化物介质造成过量的刻蚀,也不会破坏或进一步腐蚀铝。羟胺(许多此类溶解混合物... 铝线条条和硅氧化物通孔刻蚀后,传统上都是使用包含胺,重金属结合剂,表面活性剂及其他成分进行清洗。这些混合剂是用来高效去除刻蚀后残留物的,而不会对硅氧化物介质造成过量的刻蚀,也不会破坏或进一步腐蚀铝。羟胺(许多此类溶解混合物的主要成分)所带来的供应、成本和残留物等问题,促使集成电路制造商寻求可替换的清洗化学试剂。 在集成电路制造的过程中,在只使用硅和硅氧化物的时期,使用浓缩和稀释的酸混合物用来清洗硅晶已有十多年的历史了。但是,当出现了铝或其他金属后,不能使用浓缩酸进行清洗,因为会对金属产生过量的破坏。 近来,稀释酸混合物已成功用来高效去除铝线条和硅氧化物通孔刻蚀后的残留物,而不会对氧化物造成过量的刻蚀,也不会破坏或进一步腐蚀铝。稀释酸混合物的特征是含有两种或两种以上的硫磺酸,双氧和氢氟酸。这些化学试剂在当今的 IC 制造厂很容易得到,并可采用目前的清洗设备,如 FSI　ZETA? 系统,方便地在线混合稀释。 在线混合稀释化学试剂可以明显节约成本。一个批量喷雾系统可以同时处理多达 100 片的　200mm 晶圆或 50 片300mm 晶圆,提高了产量从而节约了成本。性价比高的铝互连线条的稀释酸刻蚀后清洗已被成功验证并用于生产中。 展开更多
关键词 刻蚀 互连线 通孔 300MM晶圆 清洗设备 IC制造 性价比 集成电路制造 成本 化学试剂
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利用成批喷雾式方法降低周期时间并提高工艺性能
4
作者 Erik Olson Byron J.Palla 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期21-25,共5页
关键词 集成电路 成批喷雾 喷雾式清洗机 性能 周期时间
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自动化蚀刻控制下的可重复性(英文)
5
作者 赵水林 葛晓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期31-34,共4页
以氟化氢为基础的溶液被广泛地用在扩散前清洗工艺中的二氧化硅清洗与蚀刻中。为降低不同批次之间工艺效果的差别,也就是增加批次与批次之间工艺效果的可重复性,更好地控制氧化物地腐蚀显得尤为重要。自动化的蚀刻控制体系弥补了在线的... 以氟化氢为基础的溶液被广泛地用在扩散前清洗工艺中的二氧化硅清洗与蚀刻中。为降低不同批次之间工艺效果的差别,也就是增加批次与批次之间工艺效果的可重复性,更好地控制氧化物地腐蚀显得尤为重要。自动化的蚀刻控制体系弥补了在线的化学品浓度与反应温度的偏差而达到了精确的蚀刻目标。 展开更多
关键词 蚀刻控制 可重复性 腐蚀 氟化氢 清洗工艺 二氧化硅
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全湿法、无灰化的全新去胶技术
6
作者 Jeff Butterbaugh 《集成电路应用》 2006年第8期51-51,共1页
在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在... 在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在离子注入工艺中，图形化的光刻胶起掩模的作用，特别难以清除。大剂量的离子注入（〉1×l014ions／cm^2）将光刻胶表面脱氢并高度交联，其性能很像非晶碳。改性光刻胶的厚度由注入剂量、注入能量和注入离子种类决定。 展开更多
关键词 集成电路 全湿法 离子注入工艺 表面去除 去胶工艺 制造过程 光刻胶 光刻工艺
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低温气胶无损伤清洗
7
作者 Jeffrey M.Lauerhaas Carlos Morote 《电子工业专用设备》 2006年第6期28-28,35,共2页
关键词 清洗技术 无损伤 低温 材料结构 工艺要求 纳米器件 特征尺寸 单晶圆 半导体技术 超声波振荡
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