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不同驱动方式下永磁无刷电动机损耗及热场研究
被引量：
7
1
作者
赵南南
刘卫国
ZHUZQ
《电机与控制学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第9期92-98,共7页
针对方波和正弦波两种驱动方式对永磁无刷电动机损耗及温升的影响进行了研究,其中方波驱动下对比分析了3种等效电压相同,不同PWM占空比情况下电动机损耗及温升的不同。仿真了2种驱动方式下电动机的电流,并对电流波形进行了谐波分析。采...
针对方波和正弦波两种驱动方式对永磁无刷电动机损耗及温升的影响进行了研究,其中方波驱动下对比分析了3种等效电压相同,不同PWM占空比情况下电动机损耗及温升的不同。仿真了2种驱动方式下电动机的电流,并对电流波形进行了谐波分析。采用一种精确的损耗模型对电机进行了损耗计算,并在此基础上利用解析集总参数热网络法进行了温度场分析,实验结果验证了分析结果。通过研究发现,正弦波驱动下电动机的电流为平滑的正弦波,而方波驱动下的电流中存在显著的时间谐波以及PWM型逆变器带来的载波谐波,造成方波驱动下电动机的转子涡流损耗远大于正弦波驱动的。正弦波驱动下,电机的定转子温升差异并不明显。方波驱动下,电动机的转子温升明显高于定子的,并且随着PWM占空比的降低,定转子的温升差异加剧。
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关键词
永磁无刷电动机
损耗
热场
方波
正弦波
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职称材料
SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法
被引量：
2
2
作者
卢殿通
P.L.F.Hemment
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第10期993-998,共6页
报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SI...
报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 。
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关键词
SIMOX薄膜
红外光谱
非破坏性测量
薄膜厚度
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职称材料
SIMOX薄膜材料的电学性能
3
作者
卢殿通
P.L.F.Hemment
《半导体杂志》
2000年第1期6-9,共4页
本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。
关键词
离子注入
SIMOX
薄膜材料
电学性能
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职称材料
题名
不同驱动方式下永磁无刷电动机损耗及热场研究
被引量：
7
1
作者
赵南南
刘卫国
ZHUZQ
机构
西安建筑科技大学机电工程学院
西北工业大学自动化学院
departmentofelectronicandelectricalengineering
出处
《电机与控制学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第9期92-98,共7页
基金
陕西省教育厅自然科学专项项目(2013JK1009)
西安建筑科技大学学科建设重点培育计划专项资金建设项目(XK201223)
+1 种基金
西安建筑科技大学青年科技基金(QN1322)
西安建筑科技大学人才科技基金(RC1308)
文摘
针对方波和正弦波两种驱动方式对永磁无刷电动机损耗及温升的影响进行了研究,其中方波驱动下对比分析了3种等效电压相同,不同PWM占空比情况下电动机损耗及温升的不同。仿真了2种驱动方式下电动机的电流,并对电流波形进行了谐波分析。采用一种精确的损耗模型对电机进行了损耗计算,并在此基础上利用解析集总参数热网络法进行了温度场分析,实验结果验证了分析结果。通过研究发现,正弦波驱动下电动机的电流为平滑的正弦波,而方波驱动下的电流中存在显著的时间谐波以及PWM型逆变器带来的载波谐波,造成方波驱动下电动机的转子涡流损耗远大于正弦波驱动的。正弦波驱动下,电机的定转子温升差异并不明显。方波驱动下,电动机的转子温升明显高于定子的,并且随着PWM占空比的降低,定转子的温升差异加剧。
关键词
永磁无刷电动机
损耗
热场
方波
正弦波
Keywords
permanent magnet brushless motors
loss
thermal
square wave
sine wave
分类号
TM351 [电气工程—电机]
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职称材料
题名
SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法
被引量：
2
2
作者
卢殿通
P.L.F.Hemment
机构
北京师范大学低能核物理研究所
departmentofelectronicandelectricalengineering
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第10期993-998,共6页
基金
国家自然科学基金!( No.F0 4 0 1 0 5)
北京自然科学基金!( No.4 952 0 0 2 )资助项目&&
文摘
报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 。
关键词
SIMOX薄膜
红外光谱
非破坏性测量
薄膜厚度
Keywords
SIMOX film
IR spectra
nondestructive method of measurement
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SIMOX薄膜材料的电学性能
3
作者
卢殿通
P.L.F.Hemment
机构
北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心
departmentofelectronicandelectricalengineering
出处
《半导体杂志》
2000年第1期6-9,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目!(F0 4 0 10 5)
北京自然科学基金的资助项目!(4 952 0 0 2 )
文摘
本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。
关键词
离子注入
SIMOX
薄膜材料
电学性能
Keywords
Ion implantation
SIMOX
Spreading resistance
Hall-effects
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同驱动方式下永磁无刷电动机损耗及热场研究
赵南南
刘卫国
ZHUZQ
《电机与控制学报》
EI
CSCD
北大核心
2013
7
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职称材料
2
SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法
卢殿通
P.L.F.Hemment
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
SIMOX薄膜材料的电学性能
卢殿通
P.L.F.Hemment
《半导体杂志》
2000
0
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职称材料
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