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量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应 被引量：1
1
作者 王荣 杨靖波 +2 位作者 范强 许颖 孙旭芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1558-1561,共4页
用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池，Isc,Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3... 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池，Isc,Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3×10^12cm^-2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3×10^12cm^-2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2×10^13cm^-2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0．35eV的深能级有关． 展开更多
关键词 量子阱 GAAS太阳电池 质子辐照
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Energy internet technology:modeling,optimization and dispatch of integrated energy systems 被引量：1
2
作者 Shilie WENG Chenghong GU Yiwu WENG 《Frontiers in Energy》 SCIE CSCD 2018年第4期481-483,共3页
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