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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压 被引量：1
1
作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 陈涛 冯汉华 袁润章 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期292-294,共3页
利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT... 利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 ) 展开更多
关键词 多层铁电薄膜 内建电压 刻印失效 整流特性 半导体存储器
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在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降 被引量：1
2
作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 邹雪城 徐静平 陈涛 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期374-377,共4页
利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由... 利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。 展开更多
关键词 二极管 层状铁电薄膜 界面电位降 耗尽层
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钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征 被引量：1
3
作者 李兴教 鲍军波 +3 位作者 李少平 庄严 顾豪爽 袁润章 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期437-440,共4页
采用铌掺杂的方法制备钛酸锶（STO）粉末，烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压（I-V）特性和介电特性测试表明，多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能，其介电常数很大，有良好的介电温度系数和频率系数，介电损耗小，压敏电压低，非线性... 采用铌掺杂的方法制备钛酸锶（STO）粉末，烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压（I-V）特性和介电特性测试表明，多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能，其介电常数很大，有良好的介电温度系数和频率系数，介电损耗小，压敏电压低，非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标，并与文献中的数值进行了比较。εeff高达（4～9）×10^5，具有良好的介电温度系数（｜αs｜〈0．3％）、频率系数（fr〈12％）和电压温度系数（｜k｜=0．2％）；介电损耗小（tanδ〈1％）；非线性系数大（α=4～10）；电流密度为1mA时的场强（E1 mA）值很低（0．3～2．9V／mm）；电压系数小于10％。 展开更多
关键词 SrTiO3变阻器陶瓷 铌掺杂 I-V特性 介电性质
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Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器
4
作者 李兴教 王宁章 +6 位作者 鲍军波 宁广蓉 陈涛 徐静平 陈振贤 邹雪城 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期440-444,共5页
利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变... 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度PS及矫顽场VC之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 展开更多
关键词 Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) 存储器 铁电薄膜 电位降 内建电压 金属/铁电薄膜/半导体 结构
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