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氢化作用对低能电子束辐照下GaN发光演变的影响
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作者 王彦 沈波 +2 位作者 Dierre Benjamin Sekiguchi Takashi 许福军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7864-7868,共5页
结合氢在GaN中的扩散特性,运用阴极荧光(CL)谱,对氢化前后低能电子束辐照下GaN带边发光强度的演变进行了研究.实验发现,氢化前GaN在低能电子束辐照下带边发光强度呈现衰减的趋势,而氢化后带边发射强度先上升后衰减,而且氢化后的衰减比... 结合氢在GaN中的扩散特性,运用阴极荧光(CL)谱,对氢化前后低能电子束辐照下GaN带边发光强度的演变进行了研究.实验发现,氢化前GaN在低能电子束辐照下带边发光强度呈现衰减的趋势,而氢化后带边发射强度先上升后衰减,而且氢化后的衰减比氢化前弱.1h辐照过程中,氢化后GaN带边发光强度的变化比氢化前要小很多.另外,实验中发现经过氢化处理的GaN在辐照后20h内没有观察到带边发射强度的恢复.研究表明氢原子在GaN中可以钝化缺陷来增强发光,但这种钝化缺陷的作用必须通过克服高的扩散势垒来实现,而低能电子束可以提供足够的能量使得氢原子克服扩散势垒来实现钝化作用.研究实验充分证明了氢的扩散是GaN中实现氢钝化作用的一个重要前提. 展开更多
关键词 阴极荧光 低能电子束 氢化 演变
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