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德国AIM公司三代红外探测器的发展
1
作者
J. Zieglerl
D. Eich
+11 位作者
M. Mahlein
T. Schallenberg
R. Scheibner
J. Wendler
J. Wenisch
R.Wollrab
V. Daumer
R. Rehm
F. Rutz
M. Walther
田萦(译)
王忆锋(校对)
《云光技术》
2012年第2期37-48,共12页
三代红外探测器组件——双色(DC),双波段(DB)以及大规模2-DY0阵要求精细的生产技术:诸如分子束外延(MBE)以及新的列阵制备工艺,此类技术可以满足日趋复杂的器件结构及低成本的需求。AIM公司将采用上述三种技术制备高性能器件...
三代红外探测器组件——双色(DC),双波段(DB)以及大规模2-DY0阵要求精细的生产技术:诸如分子束外延(MBE)以及新的列阵制备工艺,此类技术可以满足日趋复杂的器件结构及低成本的需求。AIM公司将采用上述三种技术制备高性能器件以扩大其未来的业务。DC/MW/MW探测器基于II-型超晶格锑化物(IAF通过MBE技术制备而成),像元规格为384×288,像元中心距为40μm。AIM公司的DB/MW/LW/FPA(焦平面列阵)选用了MBE技术,通过在CdZnTe衬底上生长MCT,该技术与IAF公司合作完成。由AIM公司制备了像元规格为640×512,像元中心距为15μm的FPA。尽管在不同的衬底上用MBE方法生长MW/MCT薄膜具有挑战性,但对于制备具备百万像素的大规模2维FPA(MW1280×1024,像元中心距为15μm)而言,这种技术是必要的。本文给出了上述三代FPA及集成探测器杜瓦制冷机组件(IDCAs)的发展现状及近期测试结果。
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关键词
红外探测器
三代探测器
HGCDTE
MCT
双色
双波段
MW/LW
百万像素
MBE
II-型超晶格锑化物
T2SL
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职称材料
题名
德国AIM公司三代红外探测器的发展
1
作者
J. Zieglerl
D. Eich
M. Mahlein
T. Schallenberg
R. Scheibner
J. Wendler
J. Wenisch
R.Wollrab
V. Daumer
R. Rehm
F. Rutz
M. Walther
田萦(译)
王忆锋(校对)
机构
aim infrarot-module gmbh
Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics
不详
出处
《云光技术》
2012年第2期37-48,共12页
文摘
三代红外探测器组件——双色(DC),双波段(DB)以及大规模2-DY0阵要求精细的生产技术:诸如分子束外延(MBE)以及新的列阵制备工艺,此类技术可以满足日趋复杂的器件结构及低成本的需求。AIM公司将采用上述三种技术制备高性能器件以扩大其未来的业务。DC/MW/MW探测器基于II-型超晶格锑化物(IAF通过MBE技术制备而成),像元规格为384×288,像元中心距为40μm。AIM公司的DB/MW/LW/FPA(焦平面列阵)选用了MBE技术,通过在CdZnTe衬底上生长MCT,该技术与IAF公司合作完成。由AIM公司制备了像元规格为640×512,像元中心距为15μm的FPA。尽管在不同的衬底上用MBE方法生长MW/MCT薄膜具有挑战性,但对于制备具备百万像素的大规模2维FPA(MW1280×1024,像元中心距为15μm)而言,这种技术是必要的。本文给出了上述三代FPA及集成探测器杜瓦制冷机组件(IDCAs)的发展现状及近期测试结果。
关键词
红外探测器
三代探测器
HGCDTE
MCT
双色
双波段
MW/LW
百万像素
MBE
II-型超晶格锑化物
T2SL
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
德国AIM公司三代红外探测器的发展
J. Zieglerl
D. Eich
M. Mahlein
T. Schallenberg
R. Scheibner
J. Wendler
J. Wenisch
R.Wollrab
V. Daumer
R. Rehm
F. Rutz
M. Walther
田萦(译)
王忆锋(校对)
《云光技术》
2012
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