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面向高功率密度电能变换器的功率半导体模块研究综述
1
作者 罗毅飞 李子聪 +2 位作者 史泽南 马啸 肖飞 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第6期208-223,共16页
功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽... 功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽禁带材料、改进芯片结构、采用先进封装和改进驱动设计。总结了不同方法提升变换器功率密度的原理,并对基于功率半导体模块设计提升变换器功率密度的现有研究进行分类对比;梳理出现有研究的主要挑战,并对未来的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 功率半导体模块 功率密度 宽禁带材料 芯片结构 先进封装 驱动设计
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中国数字经济产业存在税收缺口问题吗?
2
作者 张少华 陈鑫 黎美玲 《同济大学学报(社会科学版)》 北大核心 2025年第5期116-128,共13页
我国数字经济产业已经占据GDP的“半壁江山”,但是,中国数字经济产业是否存在税收缺口依然是“待解之谜”。本文运用基于直接消耗矩阵的投入产出表分解方法,通过对接现有国民经济核算体系来编制中国数字经济投入产出表,进而依托该表评... 我国数字经济产业已经占据GDP的“半壁江山”,但是,中国数字经济产业是否存在税收缺口依然是“待解之谜”。本文运用基于直接消耗矩阵的投入产出表分解方法,通过对接现有国民经济核算体系来编制中国数字经济投入产出表,进而依托该表评估中国数字经济产业的税收缺口问题。研究发现:(1)基于2017—2020年数据,我国数字经济产业不存在严重的税收缺口问题和贡献背离问题。尽管数字经济产业自身存在轻微的税收贡献不足问题,但是数字经济产业通过拉动其他产业发展带来了较大的间接税收贡献。(2)从数字经济细分行业的税收贡献来看,电信、互联网和相关服务、软件服务、房屋建筑、研究和试验发展等数字经济核心产业存在轻微的税收缺口问题,这些产业也正是造成实际生活中税收收入减少假象的那些行业。本研究对理解和促进我国数字经济和税收的均衡发展提供了学理支撑。 展开更多
关键词 投入产出表分解方法 数字经济投入产出表 “窄口径”税收缺口 “宽口径”税收缺口
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Tb^(3+),Pr^(3+)共掺AlN薄膜的结构与发光特性 被引量：1
3
作者 孟河辰 罗璇 +6 位作者 王晓丹 徐达 束正栋 曾雄辉 高晓冬 郑树楠 毛红敏 《光子学报》 北大核心 2025年第2期209-217,共9页
通过离子注入法,将Tb^(3+),Pr^(3+)共掺入了AlN薄膜。利用Raman光谱、高分辨薄膜X射线衍射和阴极荧光光谱等进行了结构和发光性质的表征。系统分析了Pr^(3+)的剂量变化对样品的结构、发光性能的影响。研究发现在Tb^(3+)剂量保持一定的... 通过离子注入法,将Tb^(3+),Pr^(3+)共掺入了AlN薄膜。利用Raman光谱、高分辨薄膜X射线衍射和阴极荧光光谱等进行了结构和发光性质的表征。系统分析了Pr^(3+)的剂量变化对样品的结构、发光性能的影响。研究发现在Tb^(3+)剂量保持一定的情况下,Pr^(3+)的注入会导致晶格内部压应力增大,随着Pr^(3+)注入剂量的增大,晶体内部部分点缺陷发生复合,压应力得到部分释放。阴极荧光光谱显示,随着Pr^(3+)剂量的增加,Tb^(3+)发射强度与Pr^(3+)发射强度呈现出不同的变化趋势。进一步分析表明,存在Tb^(3+)至Pr^(3+)的共振能量传递:^(5)D_(4)[Tb^(3+)]+^(3)H_(5)[Pr^(3+)]→^(7)F_(5)[Tb^(3+)]+^(3)P_(1)[Pr^(3+)]。随着Pr^(3+)剂量的增加,色度坐标从(0.2682,0.3050)变化到(0.2937,0.3207),发光颜色由蓝绿色向黄绿色转变,色温由7336 K增至10260 K。证明通过改变Tb离子与Pr离子注入剂量比可有效实现发光颜色和色温的调控。 展开更多
关键词 氮化铝 宽禁带半导体 阴极荧光 离子注入掺杂 能量传递
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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
4
作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多
关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜
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宽带隙铜铟镓硫太阳能电池的溶液法制备
5
作者 丁传安 闫伟博 +1 位作者 王少荧 辛颢 《无机化学学报》 北大核心 2025年第9期1755-1764,共10页
用金属盐和硫脲前驱体溶液,通过刮涂工艺制备出Cu(In,Ga)S_(2)半导体材料,并研究了Ga与Ga+In的物质的量浓度之比(GGI)对其对应太阳能电池性能的影响规律。结果表明,Cu(In,Ga)S_(2)带隙随着GGI的增加而逐渐提高;较低的GGI能促进晶粒生长... 用金属盐和硫脲前驱体溶液,通过刮涂工艺制备出Cu(In,Ga)S_(2)半导体材料,并研究了Ga与Ga+In的物质的量浓度之比(GGI)对其对应太阳能电池性能的影响规律。结果表明,Cu(In,Ga)S_(2)带隙随着GGI的增加而逐渐提高;较低的GGI能促进晶粒生长,有效提高器件的开路电压(VOC)和填充因子,但过高的GGI会阻碍晶粒生长,不利于器件性能的提升。在GGI=0.25时,Cu(In,Ga)S_(2)的带隙达到1.69 eV,对应器件的光电转换效率达到9.06%,与未Ga合金化的器件相比提升了37.48%。进一步的研究表明Ga合金化有效降低了体相和界面缺陷浓度,改善了异质结界面质量,抑制了载流子复合。 展开更多
关键词 溶液法 宽带隙 铜铟镓硫 薄膜太阳能电池 Ga合金化
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宽禁带半导体碳化硅基核辐射探测器研究进展
6
作者 杜青波 杨亚鹏 +5 位作者 高旭东 张智 赵晓宇 王惠琦 刘轶尔 李国强 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期737-756,共20页
碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提... 碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提升,极大地促进了SiC基核辐射探测器的发展。本文从SiC核辐射探测器的原理及性能评价指标入手,分析了辐射探测时SiC材料与各种辐射粒子相互作用的方式、主要性能指标,以及主要性能指标与SiC晶体缺陷等的关系,并基于SiC晶体的物理性质,总结对比了探测器级SiC晶体衬底制备和外延生长的方法,重点介绍了SiC带电粒子探测器、中子探测器、X/γ探测器的最新研究进展,分析了SiC基核辐射探测器发展面临的挑战,为提高SiC基核辐射探测器的性能提供了参考。 展开更多
关键词 碳化硅 宽禁带半导体 半导体核辐射探测器 单晶生长 外延生长
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压力对宽间隙钎焊接头组织与性能的影响
7
作者 孙宇博 袁晓光 王志平 《沈阳工业大学学报》 北大核心 2025年第5期656-663,共8页
【目的】通常采用宽间隙钎焊方法修复航空发动机涡轮导向叶片裂纹损伤,而宽间隙钎焊接头在成型过程中易出现孔洞缺陷,导致钎焊接头高温力学性能下降。为抑制孔洞缺陷的形成,可在钎焊过程中施加一定压力抑制孔洞缺陷的产生,但钎焊压力对... 【目的】通常采用宽间隙钎焊方法修复航空发动机涡轮导向叶片裂纹损伤,而宽间隙钎焊接头在成型过程中易出现孔洞缺陷,导致钎焊接头高温力学性能下降。为抑制孔洞缺陷的形成,可在钎焊过程中施加一定压力抑制孔洞缺陷的产生,但钎焊压力对宽间隙钎焊接头组织与力学性能的影响机制尚不明确。【方法】采用不同钎焊压力制备宽间隙钎焊接头,采用拉伸试验、显微硬度表征、断口形貌观察、能谱分析与XRD分析等手段,揭示钎焊压力对宽间隙钎焊接头组织与力学性能的影响机制。【结果】在恒定钎焊温度下,当钎焊压力为10、20和50 kg且钎料与母材的质量比例为40∶60时,宽间隙钎焊接头的拉伸强度分别为436.57、411.76和381.95 MPa,即宽间隙钎焊接头的拉伸强度随钎焊压力的升高而下降。钎焊接头断面显微硬度与能谱分析结果表明,随着钎焊压力的增大,钎焊接头断面处降熔元素和活性元素浓度偏高且显微硬度明显增大,即钎焊压力的增大会造成钎焊接头的显微硬度分布不均匀,诱发明显的应力集中现象,进而导致钎焊接头的强度随钎焊压力的增大而降低。XRD分析结果证实,钎焊过程中施加的钎焊压力造成钎焊接头与母材产生了明显的晶格畸变,钎焊压力越大,晶格扭曲程度越高,晶格畸变闭塞了降熔元素和活性元素的扩散通道,不利于元素扩散,导致钎焊接头与母材组织中降熔元素和活性元素产生富集,从而引发显微硬度分布不均匀,致使钎焊接头强度下降。通过焊后热处理或提升钎焊温度,有助于缓解晶格扭曲程度进而加强元素扩散,从而改善钎焊接头的力学性能。【结论】在宽间隙钎焊接头制备过程中施加一定压力,有助于抑制钎焊接头组织中孔洞缺陷的形成,但要充分考虑钎焊压力与温度对晶格畸变的矛盾作用关系,避免因钎焊压力过高而降低元素扩散能力。钎焊温度的提升有利于增强元素扩散,改善钎焊接头显微硬度分布的不均匀性,进而达到提升钎焊接头力学性能的效果。 展开更多
关键词 宽间隙钎焊接头 混合比例 钎焊压力 降熔元素扩散 力学性能 层状结构 共晶组织
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气刀辅助微槽辊涂法制备钙钛矿太阳电池的研究
8
作者 凌浩 王棚 李跃龙 《南开大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期34-40,共7页
报告了一种在室内环境下用简单且低成本的气刀工艺辅助制备大面积宽带隙钙钛矿薄膜的微槽辊涂法.通过调节气流速度加速溶剂挥发使钙钛矿前驱液快速达到高过饱和度并充分快速结晶,最终制备的宽带隙(1.67 eV)钙钛矿太阳电池的最佳效率达到... 报告了一种在室内环境下用简单且低成本的气刀工艺辅助制备大面积宽带隙钙钛矿薄膜的微槽辊涂法.通过调节气流速度加速溶剂挥发使钙钛矿前驱液快速达到高过饱和度并充分快速结晶,最终制备的宽带隙(1.67 eV)钙钛矿太阳电池的最佳效率达到了18.51%.此外,将微槽辊涂法制备的10 cm×10 cm钙钛矿薄膜平均切割成25块后制成钙钛矿太阳电池测得其平均效率达到17.46%,证明了气刀辅助微槽滚涂法制备大面积钙钛矿太阳电池的潜力. 展开更多
关键词 微槽辊涂法 气刀 宽带隙钙钛矿太阳电池
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温变间隙引起球轴承外圈缺陷频率偏差的研究
9
作者 夏冰新 王丹 +3 位作者 商丽 范磊 邢智慧 高国伟 《机械强度》 北大核心 2025年第10期36-42,共7页
宽温域内轴与球轴承间的间隙随温度升高而增大,同时轴承内部间隙也随温度变化而变化,轴承内圈受到增大的摩擦力矩,使内圈转速降低,从而导致外圈缺陷特征频率出现偏差,不利于球轴承的故障诊断和设备的稳定运行。考虑轴与轴承间的温变间隙... 宽温域内轴与球轴承间的间隙随温度升高而增大,同时轴承内部间隙也随温度变化而变化,轴承内圈受到增大的摩擦力矩,使内圈转速降低,从而导致外圈缺陷特征频率出现偏差,不利于球轴承的故障诊断和设备的稳定运行。考虑轴与轴承间的温变间隙,建立了宽温域内含外圈缺陷的轴承动力学模型,分析了模型的时域波形和频谱。仿真和试验结果表明,轴承振动随温度升高而加剧,外圈缺陷特征频率随温度升高而降低。根据工艺要求,适当增加轴与轴承间的过盈量,有利于降低宽温域内轴承系统的振动,提高轴承缺陷频率识别的准确性。研究结果为球轴承在宽温域的使用和健康监测提供了参考。 展开更多
关键词 球轴承 动力学模型 宽温域 间隙 频率偏差
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K417G合金大间隙钎焊接头组织与力学性能
10
作者 李思思 李文文 +3 位作者 陈波 王浩 任新宇 尚泳来 《失效分析与预防》 2025年第5期410-415,421,共7页
针对K417G合金导向叶片经过长时间服役后出现的烧蚀、裂纹等损伤,采用钎焊方法进行修复。本文采用自主研制的多元钴基钎料CoCrNi(W,Al,Ti,Mo,Ta)-B对K417G合金进行大间隙钎焊工艺的研究。钎焊温度设定为1200℃,研究不同保温时间对K417G... 针对K417G合金导向叶片经过长时间服役后出现的烧蚀、裂纹等损伤,采用钎焊方法进行修复。本文采用自主研制的多元钴基钎料CoCrNi(W,Al,Ti,Mo,Ta)-B对K417G合金进行大间隙钎焊工艺的研究。钎焊温度设定为1200℃,研究不同保温时间对K417G合金接头组织和持久性能的影响。结果表明:在钎焊过程中,钎料与K417G母材相互扩散,形成冶金质量良好的大间隙钎焊接头。钎焊接头组织由高温合金骨架粉末颗粒及颗粒间钎料连接区组成。钎料连接区包含灰色基体区和白色析出相,其中灰色基体区形成(γ+γ′)双相组织,白色物相则由硼化物组成。不同保温时间下的接头组织形貌特征相似,持久寿命随保温时间的延长呈现出先提高后下降的趋势。 展开更多
关键词 K417G合金 大间隙钎焊 接头组织 持久性能
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苏里格地区宽间隙固井技术
11
作者 田发斌 张伟 余建 《石油工业技术监督》 2025年第11期35-39,共5页
苏里格风险合作区钻井为了提速提效,采用两开两完的井深结构,其中二开采用215.9mm钻头钻进,下入Φ114.3mm套管并进行固井,环空容积达到26.3~30.9L/m,属于宽间隙固井。针对宽间隙固井存在的环空间隙大、套管居中度不易保证、裸眼封固段... 苏里格风险合作区钻井为了提速提效,采用两开两完的井深结构,其中二开采用215.9mm钻头钻进,下入Φ114.3mm套管并进行固井,环空容积达到26.3~30.9L/m,属于宽间隙固井。针对宽间隙固井存在的环空间隙大、套管居中度不易保证、裸眼封固段长、地层压力系数低、存在多个易漏层、井眼不规则、顶替效率不易提高等固井技术难点,研发了一套高强低密度粉煤灰水泥浆体系,优选出一套固井工具,包含套管扶正器、固井胶塞、浮箍浮鞋等固井技术措施,强化固井前的井眼准备,保障了宽间隙固井施工安全和固井质量。在该区块应用6口井,套管居中度达到67%以上,水平段固井质量合格率达到70%以上,提升了该区块的整体固井质量。 展开更多
关键词 宽间隙 固井 套管居中度 顶替效率 低密度水泥浆 井眼准备 固井质量
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5G时代下通信电源的技术挑战与解决方案
12
作者 丁云飞 刘俊良 《通信电源技术》 2025年第9期131-133,共3页
随着5G的快速发展,通信网络对电源系统提出了更高要求。5G基站和数据中心作为核心组成部分,其电源系统面临高功率、高密度以及高可靠性等挑战。5G基站的分布式架构与数据中心的规模化扩展,要求电源系统具备高效、稳定、智能化的特性。分... 随着5G的快速发展,通信网络对电源系统提出了更高要求。5G基站和数据中心作为核心组成部分,其电源系统面临高功率、高密度以及高可靠性等挑战。5G基站的分布式架构与数据中心的规模化扩展,要求电源系统具备高效、稳定、智能化的特性。分析5G通信电源在典型应用场景中的需求,探讨其面临的技术挑战,并提出切实可行的解决方案,为通信电源技术的创新与发展提供指导。 展开更多
关键词 5G通信电源 宽禁带半导体 模块化设计 智能管理
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DD5单晶高温合金大间隙钎焊的组织演变与界面形成机制 被引量：12
13
作者 孙元 刘纪德 +4 位作者 侯星宇 王广磊 杨金侠 金涛 周亦胄 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期875-882,共8页
采用新型Ni-Co-Cr-W-B+DD99混合粉末钎料焊接DD5单晶高温合金,分析钎料成分对接头显微组织演变和接头力学性能的影响,探讨Ni-Co-Cr-W-B钎料/DD99合金粉的界面形成机制与接头形成机理.结果表明,在钎焊过程中,Ni-Co-CrW-B钎料/DD99合金粉... 采用新型Ni-Co-Cr-W-B+DD99混合粉末钎料焊接DD5单晶高温合金,分析钎料成分对接头显微组织演变和接头力学性能的影响,探讨Ni-Co-Cr-W-B钎料/DD99合金粉的界面形成机制与接头形成机理.结果表明,在钎焊过程中,Ni-Co-CrW-B钎料/DD99合金粉的界面上首先形成了g-Ni初生相,B偏析并析出细小颗粒状的M3B2型硼化物,在冷却过程中残余液相形成块状M3B2相、g+g′共晶相和g-Ni+Ni3B+Cr B共晶相.提高混合粉末钎料中DD99合金粉的配比,可有效抑制焊缝中的硼化物和低熔点共晶相的形成,提高焊缝成分和组织均匀性.当DD99合金粉的配比增加至70%(质量分数)时,B可均匀扩散至DD5母材和DD99合金粉中,未观察到低熔点共晶相,界面处脆性化合物相显著减少,接头高温性能提高.接头经过固溶处理和时效处理后,在870℃的高温拉伸性能可提高至1010 MPa. 展开更多
关键词 单晶高温合金 大间隙钎焊 混合粉末钎料 微观组织 力学性能
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TOD宽间隔混沌调制跳变图案设计 被引量：8
14
作者 邰能建 吴德伟 +1 位作者 吴杰 于丽娜 《北京邮电大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期77-82,共6页
为增强调制跳变技术的抗截获性能,提出一种基于时间信息(TOD)的宽间隔混沌调制跳变图案设计方法.针对周期抽取法构造的混沌跳变序列在均衡性方面的缺陷,提出采用改进的周期抽取与多比特抽取结合的方法产生迭代式TOD混沌跳变序列,并分析... 为增强调制跳变技术的抗截获性能,提出一种基于时间信息(TOD)的宽间隔混沌调制跳变图案设计方法.针对周期抽取法构造的混沌跳变序列在均衡性方面的缺陷,提出采用改进的周期抽取与多比特抽取结合的方法产生迭代式TOD混沌跳变序列,并分析验证了该方法良好的均衡性.为进一步完善抗截获性能,采用对偶法和随机平移替代法对跳变图案进行宽间隔处理.仿真结果表明,对偶法在长周期条件下的性能优于随机平移法,适用于产生正常通信使用的调制跳变图案;随机平移法在最大有效周期长度范围内具有很好的均衡性,适用于短周期突发通信. 展开更多
关键词 抗截获通信 调制跳变 调制跳变图案 混沌 宽间隔
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非隔离光伏并网逆变技术的现状与展望 被引量：30
15
作者 肖华锋 王晓标 +3 位作者 张兴 王政 花为 程明 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第4期1038-1054,1397,共18页
非隔离并网系统因不含低频和高频变压器而具有变换效率高、成本低、重量轻等突出优势,近年来专家学者们对其开展了大量的研究,并在新能源开发,特别是在分布式光伏并网中普及应用。该文分析并归纳了非隔离逆变技术的发展现状。首先,从非... 非隔离并网系统因不含低频和高频变压器而具有变换效率高、成本低、重量轻等突出优势,近年来专家学者们对其开展了大量的研究,并在新能源开发,特别是在分布式光伏并网中普及应用。该文分析并归纳了非隔离逆变技术的发展现状。首先,从非隔离并网系统的共模分析模型出发总结出三大类漏电流抑制准则。接着,分别就第一代非隔离并网系统的两大关键技术:漏电流抑制拓扑和进网直流成分抑制方法进行分类讨论。最后,结合日益成熟的宽禁带器件对第二代非隔离并网系统的关键技术与挑战进行了展望。 展开更多
关键词 非隔离逆变器 共模模型 漏电流抑制 进网直流成分抑制 宽禁带器件
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n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究 被引量：16
16
作者 王丽玉 谢家纯 +2 位作者 林碧霞 王克彦 傅竹西 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期42-44,共3页
采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器。测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,... 采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器。测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应。器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值。 展开更多
关键词 氧化锌 UV增强型探测 异质结 宽禁带
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中国大中型工业企业技术创新差异化研究 被引量：11
17
作者 卢方元 焦科研 郭国峰 《科研管理》 CSSCI 北大核心 2008年第4期127-133,共7页
本文从投入-产出的角度对中国各地区大中型工业企业技术创新的差异化进行研究。首先利用鸿沟系数从总体上分析中国各地区大中型工业企业的新产品产值、科技活动经费支出、科学家和工程师人数存在的差异,然后应用面板数据模型对30个省市... 本文从投入-产出的角度对中国各地区大中型工业企业技术创新的差异化进行研究。首先利用鸿沟系数从总体上分析中国各地区大中型工业企业的新产品产值、科技活动经费支出、科学家和工程师人数存在的差异,然后应用面板数据模型对30个省市大中型工业企业的技术创新投入对产出的结构影响进行深入分析,找出它们之间的结构差异并说明其存在的原因,为各地提升大中型工业企业技术创新能力提供一些具有针对性的建议。 展开更多
关键词 技术创新 鸿沟系数 面板数据
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感性加载宽间隙腔相对论速调管的粒子模拟 被引量：6
18
作者 宋玮 刘国治 +1 位作者 林郁正 邵浩 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1322-1326,共5页
通过粒子模拟的方法研究了三腔结构的感性加载宽间隙腔相对论速调管放大器,分析了宽间隙腔中垫圈/杆等参数对于束流调制的影响。模拟结果表明:感性加载的宽间隙腔能够克服宽腔所带来的势垒效应,增加电子束与腔的作用时间,提高束流调制... 通过粒子模拟的方法研究了三腔结构的感性加载宽间隙腔相对论速调管放大器,分析了宽间隙腔中垫圈/杆等参数对于束流调制的影响。模拟结果表明:感性加载的宽间隙腔能够克服宽腔所带来的势垒效应,增加电子束与腔的作用时间,提高束流调制和能量提取的效率。模拟中采用500 keV,6 kA的电子束,经过两腔调制得到了约4.5 kA的调制电流,调制深度接近80%;采用渐变结构的输出腔,得到功率约1.2 GW,频率2.86 GHz,效率为40%的输出微波。 展开更多
关键词 高功率微波 相对论速调管放大器 宽间隙腔 粒子模拟 束流调制
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K417G高温合金大间隙钎焊的组织演变与性能研究 被引量：7
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作者 程准 李小强 +2 位作者 屈盛官 朱德智 李晖云 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期3262-3269,共8页
采用低熔点的含硼镍基合金粉末与高熔点镍基合金粉末的混合粉末作为钎料,在真空热压炉中对K417G镍基高温合金进行大间隙钎焊连接。研究了钎料成分对接头显微组织演变规律的影响,分析了接头的强化机制。结果表明,提高钎料中高熔点合金粉... 采用低熔点的含硼镍基合金粉末与高熔点镍基合金粉末的混合粉末作为钎料,在真空热压炉中对K417G镍基高温合金进行大间隙钎焊连接。研究了钎料成分对接头显微组织演变规律的影响,分析了接头的强化机制。结果表明,提高钎料中高熔点合金粉的含量,可有效减少焊缝中硼化物的形成量,提高焊缝组织均匀性。当钎料中高熔点合金粉含量为95%(质量分数)时,硼元素扩散均匀,获得弥散分布的颗粒状的M_(3)B_(2)型硼化物,接头的室温和600℃时的抗拉强度分别为971和934 MPa,达到了母材的强度。此外,原位析出于接头界面处的细小弥散碳硼化物M_(23)(C,B)_(6)与基体的共格关系是实现高质量大间隙钎焊连接的重要因素。 展开更多
关键词 K417G高温合金 大间隙钎焊 粉末钎料 显微组织 抗拉强度
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具有禁带展宽特性的一维光子晶体 被引量：9
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作者 王利 王占山 +2 位作者 吴永刚 王少伟 陈玲燕 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期229-232,共4页
提出了介质的光学厚度系数成圆形分布的一维光子晶体结构 ,与周期结构的光子晶体相比 ,该结构具有禁带展宽特性 同时讨论了起止膜层及膜层的光学厚度对该结构禁带特性的影响 ,优化出了在所选材料的介电常数所允许的频率范围内 。
关键词 光子晶体 宽禁带 光学厚度系数 圆形分布
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