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一种毫米波双面晶圆的自动化三维测试系统
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作者 杨进 张君直 +4 位作者 朱健 黄旼 郁元卫 闫樊钰慧 王留宝 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期94-101,共8页
近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫... 近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫米波晶上阵列,具有“三免”(免连接器、免电缆、免管壳封装)的颠覆性结构。本文针对毫米波晶上阵列的自动化测试需求,创新性提出一种毫米波双面晶圆测试方法,突破了多尺寸双面晶圆可靠固定、双面探针精确对准和自动切换以及扎针强度精确控制和实时调节等关键技术,在此基础上研制出毫米波双面晶圆自动测试平台,解决了毫米波收发前端晶上阵列三维测试的难点,对毫米波晶上系统的测试具有重大参考价值。 展开更多
关键词 毫米波 双面晶圆 自动化测试 三维测试 测试系统
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低介电常数制程芯片激光开槽工艺及可靠性研究
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作者 吉勇 杨昆 +2 位作者 李杨 李欣欣 焦鸿浩 《微电子学》 北大核心 2025年第4期678-683,共6页
低介电常数(Low-K)介质材料是芯片制备过程中广泛使用的一种材料,其低介电常数可提升芯片总体性能,但同时由于低介电常数材料的松软结构和易渗透性,使得低介电常数晶圆在切割加工时易出现边缘破裂、崩边爆裂等情况。主要研究低介电常数... 低介电常数(Low-K)介质材料是芯片制备过程中广泛使用的一种材料,其低介电常数可提升芯片总体性能,但同时由于低介电常数材料的松软结构和易渗透性,使得低介电常数晶圆在切割加工时易出现边缘破裂、崩边爆裂等情况。主要研究低介电常数芯片切割工艺中不同激光开槽工艺参数对低介电常数晶圆边缘质量、切槽几何形貌的影响,并对不同激光开槽工艺参数下得到的芯片进行封装、可靠性测试。试验结果表明,不同激光开槽工艺参数直接影响芯片切割后的形貌,并导致其在封装后可靠性试验中的所受应力不同,从而影响电路的可靠性。 展开更多
关键词 低介电常数芯片 激光开槽 晶圆划片 可靠性
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基于虚拟仪器的微波芯片MPW测试系统设计
3
作者 俞利国 虞书铭 +1 位作者 张邓 陈浩 《计算机测量与控制》 2025年第7期130-138,共9页
为解决微波芯片多项目测试功能复杂、测试效率低、测试稳定性差等问题,设计了一种基于虚拟仪器的MPW测试系统;采用虚拟仪器作为软件工具编程语言,设计以多项目测试为核心的探针台动作控制、仪器测试控制、数据采集与分析处理等功能,并... 为解决微波芯片多项目测试功能复杂、测试效率低、测试稳定性差等问题,设计了一种基于虚拟仪器的MPW测试系统;采用虚拟仪器作为软件工具编程语言,设计以多项目测试为核心的探针台动作控制、仪器测试控制、数据采集与分析处理等功能,并对测试硬件进行柔性化集成以实现微波芯片MPW测试系统;经实验结果表明该测试系统可通过晶圆绘制分析软件工具制作Wafer Map下发至晶圆测试软件工具进行多项目位置识别,按照设计的测试流程控制仪器与探针台,可实现微波芯片的多项目晶圆测试任务;该测试系统可柔性化应用于各类型的MPW测试场景,相比常规晶圆测试系统无法高效完成多项目测试的局限性,可大幅度提升微波芯片的多项目晶圆测试效率,降低测试成本。 展开更多
关键词 微波芯片 虚拟仪器 多项目晶圆 测试系统 软件工具
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晶圆高可靠性测试方法研究
4
作者 蔺鹏程 孙烨 李建超 《质量与标准化》 2025年第11期56-60,共5页
随着国产集成电路产业的快速发展,晶圆测试作为保障芯片质量的核心环节,其标准的自主化建设日益迫切。本研究基于晶圆企业先进工艺节点与高可靠性产品的需求,通过对国外先进标准的借鉴,通过大量工艺验证、测试数据分析与失效模式研究,... 随着国产集成电路产业的快速发展,晶圆测试作为保障芯片质量的核心环节,其标准的自主化建设日益迫切。本研究基于晶圆企业先进工艺节点与高可靠性产品的需求,通过对国外先进标准的借鉴,通过大量工艺验证、测试数据分析与失效模式研究,制定了一项具有自主知识产权的晶圆高可靠性测试企业标准。该标准实施一年来,显著提升了产品良率与质量一致性、降低了客户端早期失效率,获得重点客户认可。希望本研究能为国内半导体企业制定自主化、智能化的高可靠性测试标准提供参考。 展开更多
关键词 晶圆测试 高可靠性 加严筛选 空间异常检测 数据驱动 失效预测
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关节镜下Wafer术治疗尺骨撞击综合征20例临床疗效
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作者 李远 银毅 +4 位作者 李清山 何克 冷雨 孙官军 彭旭 《安徽医药》 CAS 2025年第1期87-90,I0005,共5页
目的探讨关节镜下Wafer术治疗腕关节尺骨撞击综合征(UIS)的早期疗效。方法回顾性分析2019年8月至2022年9月遂宁市中心医院收治20例尺骨阳性变异(UV)≤4 mm的UIS病人,均行关节镜下Wafer术治疗,术后行规范的康复性锻炼。男9例,女11例,年... 目的探讨关节镜下Wafer术治疗腕关节尺骨撞击综合征(UIS)的早期疗效。方法回顾性分析2019年8月至2022年9月遂宁市中心医院收治20例尺骨阳性变异(UV)≤4 mm的UIS病人,均行关节镜下Wafer术治疗,术后行规范的康复性锻炼。男9例,女11例,年龄范围18~76岁,病程范围6~24个月。术前尺骨撞击试验、尺腕压力试验及Press test均为阳性。术前腕关节掌屈、背伸、尺偏、桡偏角度分别为(54.2±3.8)°、(61.1±4.3)°、(15.8±4.6)°、(13.0±2.7)°,疼痛视觉模拟评分法(VAS)、Mayo腕关节评分、上肢功能评分表(DASH)评分、握力、UV程度分别为(6.2±1.1)分、(53.5±9.1)分、(45.9±5.8)分、(60.5±9.3)N,(3.5±1.5)mm。结果病人切口均Ⅰ期愈合,无腕关节僵硬及感染等并发症发生。病人均获随访,随访时间范围为12~24个月。末次随访时腕关节掌屈、背伸分别为(54.7±4.1)°、(61.7±4.6)°,与术前比较均差异无统计学意义(P>0.05);尺偏、桡偏角度分别为(34.4±5.3)°、(15.6±3.5)°,与术前比较均差异有统计学意义(P<0.05);VAS、Mayo腕关节评分、DASH评分、握力、UI分别为(1.6±0.6)分、(81.0±8.3)分、(15.7±4.2)分、(80.8±8.7)N,(0.8±0.8)mm,上述指标与术前比较均差异有统计学意义(P<0.05)。结论关节镜下Wafer手术治疗UV≤4 mm的UIS病人疗效确切,可有效缓解疼痛,改善腕关节功能,值得临床应用及推广。 展开更多
关键词 腕关节 关节镜检查 Wafer术 尺骨撞击综合征 尺骨阳性变异 尺骨撞击试验 尺腕压力试验
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n^(+)/n^(-)型硅衬底扩散片X_(jn+)理论分析与测试方法优化
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作者 张现磊 李立谦 +1 位作者 周涛 张志林 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期39-45,共7页
n型衬底扩散片扩散深度(X_(jn+))是n^(+)/n^(-)型硅衬底扩散片最重要的参数之一,X_(jn+)的理论计算对磷扩散生产和X_(jn+)测试具有重要的指导意义。但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大,需更精准的计算方法。通过实验对X_(jn+)的... n型衬底扩散片扩散深度(X_(jn+))是n^(+)/n^(-)型硅衬底扩散片最重要的参数之一,X_(jn+)的理论计算对磷扩散生产和X_(jn+)测试具有重要的指导意义。但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大,需更精准的计算方法。通过实验对X_(jn+)的测试与理论计算结果进行对比分析,引入了修正系数k_(n)与k_(p),得到理论计算与测试结果吻合的X_(jn+)计算方法。并根据修正后的计算方法对染色法测试X_(jn+)进行了优化。新的X_(jn+)计算方法得到的结果与测试结果差异小于2%,可用于指导生产,且优化后的X_(jn+)测试方法更加便捷。 展开更多
关键词 衬底扩散片 扩散系数修正 协同扩散 n型衬底扩散片扩散深度(X_(jn+))计算 X_(jn+)测试方法优化
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横向超声振动对金刚石线锯切割硬脆材料锯切力及临界切削深度的影响 被引量:7
7
作者 李伦 李淑娟 +1 位作者 汤奥斐 李言 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期187-196,共10页
硬脆晶体材料,如SiC、Ge和Si等,由于其临界切削深度极小,常规加工方法很难实现塑性模式加工,研究横向超声振动金刚石线锯对硬脆材料锯切力和临界切削深度的影响有重要意义。在研究线锯受迫振动的基础上,分析金刚石线锯在横向超声波激励... 硬脆晶体材料,如SiC、Ge和Si等,由于其临界切削深度极小,常规加工方法很难实现塑性模式加工,研究横向超声振动金刚石线锯对硬脆材料锯切力和临界切削深度的影响有重要意义。在研究线锯受迫振动的基础上,分析金刚石线锯在横向超声波激励下柔性旋转点切割硬脆材料的条件;用特征函数对超声激励下金刚石线锯的振动切割状态进行表征;应用磨削理论建立了单颗金刚石磨粒切割硬脆材料的力学模型;推导出超声振动激励下金刚石线锯锯切硬脆材料临界切削深度的计算公式。以单晶SiC为对象,进行了超声振动线锯切割和普通线锯切割对比试验。结果表明相同条件下,超声振动线锯切割SiC的锯切力比普通线锯的锯切力减少22.4%-64.2%,临界切削深度增加1倍,晶片表面粗糙度有明显的改善。试验结果与理论分析具有良好的一致性。 展开更多
关键词 金刚石线锯 横向超声振动 锯切力 临界切削深度 SiC切割试验
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110 GHz在片16项误差模型校准件定值方法研究 被引量:5
8
作者 王一帮 周瑞 +3 位作者 陈婷 吴爱华 刘晨 梁法国 《计量学报》 CSCD 北大核心 2021年第3期365-369,共5页
现有商用集总参数校准件电路模型使用简便,但由于校准件电路模型的不完善、电路中参数在提取过程中采用拟合算法等原因,导致其定值准确度受限。从用于高频串扰修正的16项误差模型校准件设计入手,给出了校准件高精度的定值方法——即通... 现有商用集总参数校准件电路模型使用简便,但由于校准件电路模型的不完善、电路中参数在提取过程中采用拟合算法等原因,导致其定值准确度受限。从用于高频串扰修正的16项误差模型校准件设计入手,给出了校准件高精度的定值方法——即通过研制辅助的Multiline TRL校准标准,采用测试加仿真的方式对校准件进行定值,并采用定值文件作为定值样式。采用定值过的16项误差模型校准件校准在片测试系统,并与美国NIST基于Multiline TRL的二次校准方法比较,在110 GHz内,两者S21相差在0.30 dB以内,相位相差1°以内。所不同的是,16项误差模型校准件的个数远低于NIST,并且在校准过程中不需要移动探针。在保证准确度的前提下,大大提高了测试效率。 展开更多
关键词 计量学 在片测试 16项误差模型 校准件定值 Multiline TRL 串扰
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用于在片测试系统整体校准的电阻标准件 被引量:4
9
作者 丁晨 乔玉娥 +2 位作者 刘岩 翟玉卫 郑世棋 《中国测试》 CAS 北大核心 2019年第7期97-101,116,共6页
为解决在片测试系统中1~1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调... 为解决在片测试系统中1~1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调节长与宽的比值,研制出1~1000Ω电阻标准件.为消除电阻测量过程中芯片内部回路引线的影响,研制出相对应的短路器.通过组建具有温度控制系统的定标装置,在-40~100℃温度下对标准件进行定标,定标结果表明电阻标准件的阻值与温度具有良好的线性关系,短期重复性RSD优于0.05%,年稳定性RSD优于0.1%,可以有效解决现有在片测试系统低值电阻参数的整体校准问题. 展开更多
关键词 在片测试系统 校准 薄膜溅射法 电阻标准件 短路器
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MEMS晶圆级测试系统现状及未来展望 被引量:6
10
作者 乔玉娥 刘岩 +3 位作者 程晓辉 丁立强 丁晨 梁法国 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第10期1-3,7,共4页
微机电系统(MEMS)产品的广泛应用使得晶圆级测试技术必要性日益凸显。分析了国内和国际MEMS晶圆级测试系统硬件和MEMS晶圆级测试技术的现状。参照国际上利用RM8096/8097标准物质(RM)对MEMS产品进行计量测试的方法,给出了针对我国现有MEM... 微机电系统(MEMS)产品的广泛应用使得晶圆级测试技术必要性日益凸显。分析了国内和国际MEMS晶圆级测试系统硬件和MEMS晶圆级测试技术的现状。参照国际上利用RM8096/8097标准物质(RM)对MEMS产品进行计量测试的方法,给出了针对我国现有MEMS晶圆级测试系统校准问题的初步解决方案。并指出了该类测试系统今后向着标准化模块化方向发展的趋势。 展开更多
关键词 微机电系统 晶圆级测试系统 测试技术 标准物质
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一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计 被引量:5
11
作者 黄静 杨羽佳 +2 位作者 王玉娇 孙玲 赵继聪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期494-499,共6页
为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路。该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度呈正比的关系,通过电路结构设计与晶体管尺... 为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路。该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度呈正比的关系,通过电路结构设计与晶体管尺寸优化,获得一个与温度无关的基准电压。电路中的MOSFET偏置于工作电流极低的亚阈值区,从而有效降低了整个带隙基准电路的功耗。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,在Aether软件环境下完成了电路的仿真和版图设计。后仿真结果表明,室温下,电源电压为3.3 V时,电路总电流为81.2 nA,输出基准电压为1.03 V,启动时间约为0.48μs,功耗约为268 nW,在-40~125℃的范围内温度漂移系数为3.2×10-5/℃。流片后在片测试结果表明,当电源电压在1.6~3.3 V之间变化时,电路输出电压稳定。 展开更多
关键词 带隙基准 低功耗 自偏置 全集成 在片测试
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GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究 被引量:2
12
作者 陈金远 陶洪琪 +4 位作者 曹敏华 吴振海 郑华 高建峰 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期579-583,共5页
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验... 讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。 展开更多
关键词 在片测试 脉冲功率测试 在片校准技术
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集成电路RFID芯片测试系统设计与实现 被引量:4
13
作者 孙克辉 熊迁 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2013年第11期44-46,49,共4页
为了测试RFID集成电路芯片成品,设计了一种基于ISO14443A协议读写芯片的非接触式集成电路(RFID)芯片的功能测试系统。该测试系统完全采用国内自主产权设计的半自动测试台配置搭建测试,适合针对某一系列芯片研发的测试使用,避免了功能性... 为了测试RFID集成电路芯片成品,设计了一种基于ISO14443A协议读写芯片的非接触式集成电路(RFID)芯片的功能测试系统。该测试系统完全采用国内自主产权设计的半自动测试台配置搭建测试,适合针对某一系列芯片研发的测试使用,避免了功能性冗余浪费。在测试方面,能够直接连接芯片的测试引脚,直接测试;也可以通过非接触式近距离感应耦合测试。工业使用结果表明:系统能够精准地测试RFID芯片性能,具有测试效率高、使用便捷的特点。 展开更多
关键词 RFID 晶元测试系统 ISO14443A协议
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MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制 被引量:3
14
作者 乔玉娥 刘岩 +3 位作者 丁晨 翟玉卫 梁法国 郑世棋 《中国测试》 北大核心 2017年第7期88-91,共4页
针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高... 针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出年稳定性优于0.1%的在片标准件。经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题。 展开更多
关键词 MEMS片上测试系统 绝缘性能 片上高阻标准件 标定
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GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量 被引量:1
15
作者 孙伟 田小建 +4 位作者 孙建国 衣茂斌 张慕义 张玉清 马振昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1010-1013,共4页
用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激... 用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 . 展开更多
关键词 在片测量 砷化镓 单片集成电路 激光器 驱动电路
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我国集成电路测试技术现状及发展策略 被引量:33
16
作者 俞建峰 陈翔 杨雪瑛 《中国测试》 CAS 2009年第3期1-5,共5页
集成电路在现代电子整机中的应用比重已超过25%,测试是分析集成电路缺陷的最好工具,通过测试可以提高集成电路的成品率。通过分析我国集成电路产业现状,论述我国集成电路的设计验证测试、晶圆测试、芯片测试、封装测试等关键测试环节的... 集成电路在现代电子整机中的应用比重已超过25%,测试是分析集成电路缺陷的最好工具,通过测试可以提高集成电路的成品率。通过分析我国集成电路产业现状,论述我国集成电路的设计验证测试、晶圆测试、芯片测试、封装测试等关键测试环节的技术水平,提出进一步发展我国集成电路测试产业的相关建议。 展开更多
关键词 集成电路 设计验证 晶圆测试 芯片测试 封装测试 发展策略
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用于晶元及封装测试的DC-DC内建可测性设计 被引量:1
17
作者 袁冰 来新泉 +2 位作者 李演明 叶强 王红义 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期581-585,606,共6页
针对单片DC-DC变换器进行了内建可测性设计。通过控制外围引脚使芯片进入一种特殊的测试状态,利用引脚复用技术,实现对基准电压、振荡频率、导通电阻等多种特性指标的测量。该方法无须外围专用控制结构配合,对于晶元以及封装后的芯片测... 针对单片DC-DC变换器进行了内建可测性设计。通过控制外围引脚使芯片进入一种特殊的测试状态,利用引脚复用技术,实现对基准电压、振荡频率、导通电阻等多种特性指标的测量。该方法无须外围专用控制结构配合,对于晶元以及封装后的芯片测试全部适用,降低了编程的复杂程度,提高了测试效率。应用于一款TSOT封装的高效电流模同步整流型降压DC-DC变换器中。测试结果表明,内建可测性设计对芯片的正常工作没有任何影响,测试精度满足DC-DC设计要求。 展开更多
关键词 DC—DC变换器 内建可测性设计 晶元测试 封装测试
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圆片测试中的熔丝修调方法研究 被引量:2
18
作者 高剑 赵影 李杰 《电子测量技术》 2016年第6期15-19,共5页
熔丝修调因工艺简单、速度快,被广泛用于混合信号电路芯片的圆片测试中,但其类型多样,控制电路繁琐,修调受电阻变化的影响且不可恢复,因此精度不易控制,测试效率低。针对此问题,提出一种对串行、并行结构通用的测试系统修调控制电路,展... 熔丝修调因工艺简单、速度快,被广泛用于混合信号电路芯片的圆片测试中,但其类型多样,控制电路繁琐,修调受电阻变化的影响且不可恢复,因此精度不易控制,测试效率低。针对此问题,提出一种对串行、并行结构通用的测试系统修调控制电路,展示了减小测试误差的计算方法,最后,改进了传统测试流程,提出了以合并测试步骤及并行测试为基础的简化方法。测试结果表明,该方法操作性强,能够有效提高测试效率和准确率。 展开更多
关键词 混合信号电路 修调 熔丝 圆片测试
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FAW加工过程线锯振动建模与实验验证 被引量:1
19
作者 汤奥斐 李淑娟 +2 位作者 李伦 李言 纪磊磊 《应用力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期750-756,共7页
在分析Si C单晶切割过程的基础上,建立了固结磨粒线锯(FAW)加工过程中的横向振动模型,该模型为有阻尼的轴向运动弦线的受迫振动模型。采用激光测振仪测量线锯的振动,运用非切削与切削实验验证了振动模型的准确性和线锯振动测量方法的有... 在分析Si C单晶切割过程的基础上,建立了固结磨粒线锯(FAW)加工过程中的横向振动模型,该模型为有阻尼的轴向运动弦线的受迫振动模型。采用激光测振仪测量线锯的振动,运用非切削与切削实验验证了振动模型的准确性和线锯振动测量方法的有效性;对线锯横向振动最重要的影响因素——线锯张力进行了分析和标定。张力从17N增加到23N以及从17N增加到24N的实验结果表明:张力改变对振动幅值影响较小,但使振动第一阶频率变化明显,前者变化导致频率增加9%,后者变化导致频率增加18%,而且频率不随张力线性变化;其他切削参数不变,进给速度在0.25mm/min^0.75mm/min内变化,振动频率变化小于3%;假定张力在测量中无变化,则轴向速度在1.3m/s^1.9m/s内变化时对线锯振动并无影响。研究结论为线锯加工的张力控制提供了分析基础。 展开更多
关键词 固结磨粒金刚石线锯 线锯加工振动模型 轴向运动弦 线锯振动基频 SI C切割实验
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晶圆级异构集成毫米波收发组件测试技术 被引量:5
20
作者 张兆华 张明辉 +1 位作者 崔凯 胡永芳 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2023年第8期91-96,共6页
晶圆级封装技术能够大幅压缩前端收发组件的体积和重量,实现有源相控阵雷达的小型化,也带来诸如热管理、通道隔离、信号串扰、可返修性、可测试性等方面的技术挑战。由于引入了较多的先进工艺步骤和复杂的封装架构,如何对其进行测试以... 晶圆级封装技术能够大幅压缩前端收发组件的体积和重量,实现有源相控阵雷达的小型化,也带来诸如热管理、通道隔离、信号串扰、可返修性、可测试性等方面的技术挑战。由于引入了较多的先进工艺步骤和复杂的封装架构,如何对其进行测试以保证成品率、降低成本成为行业关注的技术难题。文中介绍了毫米波晶圆级异构集成封装工艺技术,并针对典型晶圆级封装组件的集成方案和测试流程对测试技术需求和面临的技术挑战进行了深入分析,对产品测试过程中涉及的晶圆级探针分层测试、治具测试和空口(OTA)测试三个关键技术进行梳理和总结,对后续射频晶圆级3D封装组件/模块的测试具有重要的借鉴和参考价值。 展开更多
关键词 空口测试 毫米波 晶圆级封装 收发组件
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