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基于可变电容的X波段高功率宽频带波束扫描反射阵列天线设计
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作者 张炀 李相强 +2 位作者 张健穹 王庆峰 唐先锋 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第6期48-56,共9页
针对高功率微波系统宽频带和波束扫描需求,提出并设计了一种基于可变电容的X波段高功率宽频带波束扫描反射阵列天线。天线采用线极化喇叭馈源和三明治介质埋藏式贴片单元,其中贴片部分为嵌套式双谐振结构集成可变电容,同步拓宽相位调节... 针对高功率微波系统宽频带和波束扫描需求,提出并设计了一种基于可变电容的X波段高功率宽频带波束扫描反射阵列天线。天线采用线极化喇叭馈源和三明治介质埋藏式贴片单元,其中贴片部分为嵌套式双谐振结构集成可变电容,同步拓宽相位调节范围(360°)与工作带宽。通过消除单元突变结构并采用三明治介质层,有效抑制了三相点产生,使功率容量提升至5 MW(0.1 MPa气压SF6环境)。调节可变电容容值可实现8.55~9.65 GHz频段内12%相对调谐带宽。基于11×11矩形栅格的反射阵仿真表明:242 mm口径阵列天线最大增益25.12 dBi,口径效率54.39%,全频带支持0°~20°波束扫描。相较于现有技术,该设计在调谐带宽(12%)和功率容量(5 MW)方面具有优势,为高功率微波系统的宽频带波束控制提供了有效途径。 展开更多
关键词 高功率微波 宽频带 电控波束扫描 反射阵列天线 可变电容
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一种三模可重构滤波器
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作者 周胤良 陈昌明 +1 位作者 刘贤达 张雨洋 《成都信息工程大学学报》 2025年第3期318-321,共4页
基于椭圆函数原型滤波器,提出一种工作在200 MHz~2 GHz三模可重构滤波器。采用PIN二极管构成的射频开关加以组合,实现低通滤波、高通滤波、带通滤波3种不同模式。通过加载变容二极管,完成其中心频率和带宽调谐。测试结果表明,在3种不同... 基于椭圆函数原型滤波器,提出一种工作在200 MHz~2 GHz三模可重构滤波器。采用PIN二极管构成的射频开关加以组合,实现低通滤波、高通滤波、带通滤波3种不同模式。通过加载变容二极管,完成其中心频率和带宽调谐。测试结果表明,在3种不同模式下,滤波器的通带内插入损耗范围均在0.78~2.85 dB,回波损耗优于10 dB;低通滤波器的截止频率在1.12~1.65 GHz连续可调,高通滤波器和带通滤波器的通带调谐范围分别为840 MHz~1.3 GHz和870 MHz~1.5 GHz。测试和仿真结果吻合较好,研究成果为可重构滤波器的设计提供一种方案。 展开更多
关键词 滤波器 可重构 变容二极管 PIN二极管
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Dual-Polarized 2D Beam-Scanning Antenna Based on Reconfigurable Reflective Elements
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作者 LIU Zhipeng LI Kexin +2 位作者 CAI Yuanming LIU Feng GUO Jiayin 《ZTE Communications》 2025年第1期85-89,共5页
In this paper,a dual-polarized antenna operating at 3.5 GHz is presented with 2D beam-scanning performance.The steerable beam is realized based on a 2×2 active reflective metasurface.The active metasurface is com... In this paper,a dual-polarized antenna operating at 3.5 GHz is presented with 2D beam-scanning performance.The steerable beam is realized based on a 2×2 active reflective metasurface.The active metasurface is composed of folded annular rings and cross dipoles embedded with voltage-controlled varactor diodes.By tuning the capacitance values of the varactors,the reflective phase of the metasurface is reconfigured to tilt the main beam.To verify the scanning performance,a prototype is fabricated and measured.At 3.5 GHz,the measured scanning ranges are from-25°to 29°and-27°to 29°in the XOZ and YOZ planes,respectively. 展开更多
关键词 dual-polarized antenna reflective metasurface 2D beam scanning varactor diode
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Improvements in reverse breakdown characteristics of THz GaAs Schottky barrier varactor based on metal-brim structure 被引量:3
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作者 Lu-Wei Qi Xiao-Yu Liu +2 位作者 Jin Meng De-Hai Zhang Jing-Tao Zhou 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期464-468,共5页
The excellent reverse breakdown characteristics of Schottky barrier varactor(SBV)are crucially required for the application of high power and high efficiency multipliers.The SBV with a novel Schottky structure named m... The excellent reverse breakdown characteristics of Schottky barrier varactor(SBV)are crucially required for the application of high power and high efficiency multipliers.The SBV with a novel Schottky structure named metal-brim is fabricated and systemically evaluated.Compared with normal structure,the reverse breakdown voltage of the new type SBV improves from-7.31 V to-8.75 V.The simulation of the Schottky metal-brim SBV is also proposed.Three factors,namely distribution of leakage current,the electric field,and the area of space charge region are mostly concerned to explain the physical mechanism.Schottky metal-brim structure is a promising approach to improve the reverse breakdown voltage and reduce leakage current by eliminating the accumulation of charge at Schottky electrode edge. 展开更多
关键词 breakdown characteristics Schottky metal-brim Schottky barrier varactor GAAS
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INDEPENDENTLY-TUNED CONCURRENT DUAL-BAND BRANCH-LINE COUPLER USING VARACTOR 被引量:1
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作者 Guo Xiaofeng Ye Yan +2 位作者 Liu Taijun Xu Qian Li Ruiyang 《Journal of Electronics(China)》 2014年第4期348-353,共6页
This paper presents a concurrent dual-band branch-line coupler with an independently tunable center frequency. In the proposed architecture, the quarter-wavelength lines, which work at two separated bands concurrently... This paper presents a concurrent dual-band branch-line coupler with an independently tunable center frequency. In the proposed architecture, the quarter-wavelength lines, which work at two separated bands concurrently and can be tuned in one of them, are key components. Based on the analysis of ABCD-matrix, a novel hybrid structure and a pair of varactors topology are utilized to achieve concurrent dual-band operation and independent tunability, respectively. Using this configuration, it is convenient to tune the center frequency of the upper band, while the responses of the lower band remain unaltered. To verify the proposed idea, a demonstration is implemented and the simulated results are presented. 展开更多
关键词 Branch-line coupler Concurrent dual-band varactor Independently tuned Quarter-wavelength lineCLC number:TN92
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Optimization of terahertz monolithic integrated frequency multiplier based on trap-assisted physics model of THz Schottky barrier varactor 被引量:1
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作者 Lu-Wei Qi Jin Meng +5 位作者 Xiao-Yu Liu Yi Weng Zhi-Cheng Liu De-Hai Zhang Jing-Tao Zhou Zhi Jin 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第10期308-314,共7页
The optimization of high power terahertz monolithic integrated circuit (TMIC) is systemically studied based on the physical model of the Schottky barrier varactor (SBV) with interface defects and tunneling effect. An ... The optimization of high power terahertz monolithic integrated circuit (TMIC) is systemically studied based on the physical model of the Schottky barrier varactor (SBV) with interface defects and tunneling effect. An ultra-thin dielectric layer is added to describe the extra tunneling effect and the damping of thermionic emission current induced by the interface defects. Power consumption of the dielectric layer results in the decrease of capacitance modulation ration (Cmax/Cmin), and thus leads to poor nonlinear C–V characteristics. The proposed Schottky metal-brim (SMB) terminal structure could improve the capacitance modulation ration by reducing the influence of the interface charge and eliminating the fringing capacitance effect. Finally, a 215 GHz tripler TMIC is fabricated based on the SMB terminal structure. The output power is above 5 mW at 210–218 GHz and the maximum could exceed 10 mW at 216 GHz, which could be widely used in terahertz imaging, radiometers, and so on. This paper also provides theoretical support for the SMB structure to optimize the TMIC performance. 展开更多
关键词 C-V characteristic physics-based model terahertz monolithic integrated circuit(TMIC) Schottky barrier varactor
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A GaAs planar Schottky varactor diode for left-handed nonlinear transmission line applications
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作者 董军荣 杨浩 +2 位作者 田超 黄杰 张海英 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第6期462-467,共6页
The left-handed nonlinear transmission line (LH-NLTL) based on monolithic microwave integrated circuit (MMIC) technology possesses significant advantages such as wide frequency band, high operating frequency, high... The left-handed nonlinear transmission line (LH-NLTL) based on monolithic microwave integrated circuit (MMIC) technology possesses significant advantages such as wide frequency band, high operating frequency, high conversion efficiency, and applications in millimeter and submillimeter wave frequency multiplier. The planar Schottky varactor diode (PSVD) is a major limitation to the performance of the LH-NLTL frequency multiplier as a nonlinear component. The design and the fabrication of the diode for such an application are presented. An accurate large-signal model of the diode is proposed. A 16 GHz-39,6 GHz LH NLTL frequency doubler using our large-signal model is reported for the first time. The measured maximum output powers of the 2nd harmonic are up to 8 dBm at 26.4 GHz, and above 0 dBm from 16 GHz to 39.6 GHz when the input power is 20 dBm. The application of the LH-NLTL frequency doubler furthermore validates the accuracy of the large-signal model of the PSVD. 展开更多
关键词 GAAS planar Schottky varactor diode left-handed nonlinear transmission lines fre-quency doubler
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Varactor-tunable frequency selective surface with an embedded bias network
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作者 林宝勤 屈绍波 +3 位作者 童创明 周航 张衡阳 李伟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第9期395-398,共4页
A new technique for designing a varactor-tunable frequency selective surface (FSS) with an embedded bias network is proposed and experimentally verified. The proposed FSS is based on a square-ring slot FSS. The freq... A new technique for designing a varactor-tunable frequency selective surface (FSS) with an embedded bias network is proposed and experimentally verified. The proposed FSS is based on a square-ring slot FSS. The frequency tuning is achieved by inserting varactor diodes between the square mesh and each unattached square patch. The square mesh is divided into two parts for biasing the varactor diodes. Full-wave numerical simulations show that a wide tuning range can be achieved by changing the capacitances of these loaded varactors. Two homo-type samples using fixed lumped capacitors are fabricated and measured using a standard waveguide measurement setup. Excellent agreement between the measured and simulated results is demonstrated. 展开更多
关键词 frequency selective surface varactor diodes embedded bias network
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Design of a varactor-tunable metamaterial absorber
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作者 林宝勤 达新宇 +4 位作者 赵尚弘 蒙文 李凡 方英武 王甲富 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第6期542-546,共5页
In this paper, we design a varactor-tunable metamaterial absorber (MA). The tunable MA is based on a mushroom-type high impedance surface (HIS), in which varactors are loaded between adjacent metal patches to adju... In this paper, we design a varactor-tunable metamaterial absorber (MA). The tunable MA is based on a mushroom-type high impedance surface (HIS), in which varactors are loaded between adjacent metal patches to adjust the capacitance and tune the resonance frequency, the primary ground plane is etched as the bias network to bias all of the varactors in parallel, and another ultra-thin grounded film is attached to the bottom. Its absorption characteristics are realized for electrically dielectric loss. The simulated values of a sample indicate that a tunable frequency range from 2.85 GHz to 2.22 GHz is achieved by adjusting the varactor capacitance from 0.1 pF to 2.0 pF, and better than 0.97 absorbance is realized; in addition, the tunable frequency range is expanded from 4.12 GHz to 1.70 GHz after optimization. 展开更多
关键词 metamaterial absorber (MA) high impedance surfaces (HISs) varactor
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NOVEL ELECTRONIC TUNER USING VARACTORS FOR TUNABLE RF FRONT-ENDS
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作者 Li Liang Liu Taijun +4 位作者 Ye Yan Zhang Haili Hui Ming Li Jun Wen Huafeng 《Journal of Electronics(China)》 2013年第3期268-274,共7页
This paper presents a novel electronic tuner with high power handling capability utilizing varactors based on the asymmetric bilateral coupled microstrip transmission line. Through varying the bias voltage of the vara... This paper presents a novel electronic tuner with high power handling capability utilizing varactors based on the asymmetric bilateral coupled microstrip transmission line. Through varying the bias voltage of the varactor at the Ultra High Frequency (UHF) band, the performance of the tuner is demonstrated according to simulated and measured results from several cases with the return loss (S11 ) below -20 dB and the insertion loss (S21 ) within ±0.5 dB. Compared with tuners using p and t network, electronic tuner of this paper shows superior frequency agility as well as wide impendence coverage. Advanced biasing structure has been developed to improve power handling for high power level applications. It is expected that the novel tuner would be part of intelligent Radio Frequency (RF) front-ends system and cognitive wireless system in the future. 展开更多
关键词 Electronic tuner Coupled microstrip Matching network MULTI-BAND varactorS
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基于阶跃阻抗谐振器的四阶频率可调滤波器设计
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作者 李双 李胜先 +2 位作者 刘军 张能 史曼 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期359-365,共7页
提出一种基于阶跃阻抗谐振器的紧凑型四阶四零点频率可调滤波器设计。滤波器使用变容二极管加载的阶跃阻抗谐振器(VL-SIR),有效拓宽了滤波器的调谐范围。在VL-SIR之间引入交叉耦合,从而在滤波器通带近端产生一对传输零点,显著提高了滤... 提出一种基于阶跃阻抗谐振器的紧凑型四阶四零点频率可调滤波器设计。滤波器使用变容二极管加载的阶跃阻抗谐振器(VL-SIR),有效拓宽了滤波器的调谐范围。在VL-SIR之间引入交叉耦合,从而在滤波器通带近端产生一对传输零点,显著提高了滤波器的选择性。同时,引入源和负载端的交叉耦合,在通带远端生成一对传输零点,以提高带外抑制。此外,采用基于VL-SIR的频变耦合结构来实现恒定绝对带宽。仿真结果与实测结果吻合良好。测量结果显示,可调滤波器频率调谐范围为0.78~1.15 GHz,3 dB绝对带宽约为55±3 MHz,滤波器的回波损耗大于10 dB,插入损耗约为2.8~3.3 dB。 展开更多
关键词 带通滤波器 微带 可调滤波器 变容管加载的阶跃阻抗谐振器
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陷波频率可重构的超宽带滤波器设计
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作者 孙雯婕 张旭 +1 位作者 赵梦晨 何明 《压电与声光》 北大核心 2024年第6期973-978,共6页
以多模谐振器为基础,设计了一种新型陷波可重构超宽带滤波器。基于传输线理论和奇偶模理论设计多模谐振器结构,利用HFSS与ADS联合仿真确定滤波器的尺寸参数,通过在滤波器枝节上加载变容二极管来实现滤波器陷波的可重构。设计得到的超宽... 以多模谐振器为基础,设计了一种新型陷波可重构超宽带滤波器。基于传输线理论和奇偶模理论设计多模谐振器结构,利用HFSS与ADS联合仿真确定滤波器的尺寸参数,通过在滤波器枝节上加载变容二极管来实现滤波器陷波的可重构。设计得到的超宽带滤波器中心频率为3.35 GHz,3 dB相对带宽为68.7%,且陷波频率独立可调节。仿真结果表明通带内陷波频率可调范围为3.2~4 GHz,相对可调范围为33%,通带内插入损耗在0.5 dB以内。对该滤波器进行加工并实际测量,得到的陷波可调范围为3.3~4.02 GHz,与仿真结果基本吻合。实验结果表明,该可重构超宽带滤波器的结构简单,尺寸较小,陷波可调范围宽,能有效地抑制系统内的干扰信号。 展开更多
关键词 多模谐振器 陷波 可重构 超宽带 变容二极管
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基于变压器磁调谐的双模W波段VCO
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作者 朱承同 徐雷钧 +1 位作者 谢月娥 陈元平 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期164-170,共7页
提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的... 提出了一种基于变压器的用于无变容管W波段压控振荡器(VCO)的磁调谐技术。通过控制变压器磁调谐线圈所连接MOS管的开关状态,引入了四个重叠的频率子带。所提出的可切换的六线圈变压器采用40 nm CMOS工艺的顶层厚金属设计,实现了较高的输出频率稳定性和谐振腔品质因数。所采用的技术在对相位噪声的不利影响最小的情况下扩展了调谐范围,实现了无变容管W波段VCO的宽调谐范围和低功耗。所设计的双模W波段VCO输出频率为84.2~107.5 GHz,频率调谐范围大于24%,在1 V电源电压下功耗仅6.1 mW,在10 MHz偏移处的相位噪声为-107.203~-97.875 dBc/Hz。 展开更多
关键词 变压器 磁调谐 无变容管 W波段 压控振荡器(VCO)
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基于变容二极管的直流电压非接触测量方法研究
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作者 刘国福 李岩 +2 位作者 柳革命 邹兰平 尹高锋 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2024年第6期110-114,共5页
为解决接触式测量技术对原电路的侵入性和安全性问题,根据变容二极管PN结反向偏压下的电容特性,提出了一种基于变容二极管的非接触式直流电压测量方法。该方法通过电场耦合效应感应待测直流电压,通过正弦信号激励和相关测量技术实现变... 为解决接触式测量技术对原电路的侵入性和安全性问题,根据变容二极管PN结反向偏压下的电容特性,提出了一种基于变容二极管的非接触式直流电压测量方法。该方法通过电场耦合效应感应待测直流电压,通过正弦信号激励和相关测量技术实现变容二极管的电容测量。利用LTspice软件对设计的测量电路进行仿真,并搭建实验测量系统。仿真和实验结果表明:该测量系统可以实现非接触式的直流电压测量,在变容二极管的工作电压范围内,相对测量误差≤2.50%。文中提出的测量方法,摒弃了传统直流电压非接触测量方式中的机械运动部件,具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 直流电压 非接触测量 变容二极管 电场耦合 LTspice仿真
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225 GHz三倍频器实用设计方法 被引量:6
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作者 孟进 张德海 +2 位作者 蒋长宏 赵鑫 姚常飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期190-195,共6页
结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的... 结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的影响.设计完成以后,器件加工以及电装过程均在国内完成.测试结果表明在221 GHz处,有最大输出功率3.1 m W,在219~227 GHz频率范围内输出功率均大于2 m W.以上研究为今后设计高效率亚毫米波倍频器提供重要的参考价值. 展开更多
关键词 三倍频器 变容二极管 自偏置 阻抗匹配
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一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成C MOS压控振荡器 被引量:7
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作者 王海永 林敏 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期322-326,共5页
提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低... 提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 .测试结果表明 ,该压控振荡器在电源电压为 1 8V的情况下功耗约为10mW ,在振荡器中心频率为 2 46GHz时的单边带相位噪声为 - 10 5 89dBc/Hz @6 0 0kHz .该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中 . 展开更多
关键词 CMOS 压控振荡器 射频 变容管 互补金属氧化物半导体晶体管 VCO ISM频段
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1V 2.5GHz压控振荡器设计 被引量:9
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作者 李天望 曾晓军 洪志良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期80-84,共5页
设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中... 设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中心频率 6 0 0 k Hz处的相位噪声为 - 119d Bc/ Hz,调谐范围为 2 8% ,功耗为 3.6 m W. 展开更多
关键词 频率合成器 压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 可变电容 无线收发器 无线通信
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宽带低相噪分立VCO的设计 被引量:8
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作者 魏志强 刘祖深 +1 位作者 黄武 柳舒 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2011年第9期817-822,共6页
压控振荡器(VCO)在通信、雷达、测试仪器等领域中的应用非常广泛,但宽带调谐、低相噪一直是VCO设计的瓶颈。通过对负阻原理的分析,根据三极管的等效电路参数采用准线性法对最佳谐振元件进行了估算,从而提高了对VCO设计的准确性和时效性... 压控振荡器(VCO)在通信、雷达、测试仪器等领域中的应用非常广泛,但宽带调谐、低相噪一直是VCO设计的瓶颈。通过对负阻原理的分析,根据三极管的等效电路参数采用准线性法对最佳谐振元件进行了估算,从而提高了对VCO设计的准确性和时效性。由变容二极管对和PC电感组成的并联谐振网络,实现了宽带调谐、低相噪,并对三次谐波分量有所抑制。通过最后的实验测试,调谐电压在5~18 V时,频率覆盖范围为468 MHz^1.13 GHz,相位噪声?105 dBc/Hz@10 kHz at 969.27 MHz,输出功率?1 dBm,调谐灵敏度为34 MHz/V。 展开更多
关键词 压控振荡器 负阻 准线性 变容二极管 低相噪
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变容二极管调频电路实验的创新与改进 被引量:6
19
作者 杨光义 王雪迪 +1 位作者 金伟正 王晓艳 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2015年第7期41-45,共5页
以变容二极管调频实验为核心,将LC振荡、晶体振荡、倍频和选频等实验巧妙组合,设计了一套综合振荡和倍频的变容二极管调频倍频实验电路。该实验电路涉及的实验内容丰富,综合性强,学生可以通过实验全面理解和掌握相关知识。教学实践表明... 以变容二极管调频实验为核心,将LC振荡、晶体振荡、倍频和选频等实验巧妙组合,设计了一套综合振荡和倍频的变容二极管调频倍频实验电路。该实验电路涉及的实验内容丰富,综合性强,学生可以通过实验全面理解和掌握相关知识。教学实践表明,该实验效果良好,适合在高等院校推广应用。 展开更多
关键词 变容二极管 调频电路 倍频 选频
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基于肖特基变容二极管的0.17THz二倍频器研制 被引量:4
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作者 缪丽 黄维 +1 位作者 蒋均 郭桂美 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第3期947-950,共4页
研制了一种基于肖特基变容二极管的0.17 THz二倍频器,该器件为0.34 THz无线通信系统收发前端提供了低相噪、低杂散的本振信号。倍频器结构基于波导腔体石英基片微带电路实现,其核心器件是多结正向并联的肖特基变容二极管。文中采用结参... 研制了一种基于肖特基变容二极管的0.17 THz二倍频器,该器件为0.34 THz无线通信系统收发前端提供了低相噪、低杂散的本振信号。倍频器结构基于波导腔体石英基片微带电路实现,其核心器件是多结正向并联的肖特基变容二极管。文中采用结参数模型和三维电磁模型相结合的方式对二极管进行建模,通过两种电路匹配方式实现了0.17 THz二倍频器的最优化设计,最终完成器件的加工及测试。测试结果表明,在输入80~86 GHz,20 d Bm的驱动信号下,倍频器的最大输出功率达12.21 m W,倍频效率11%,输出频点为163 GHz;当前端输入功率达到饱和状态时,该频点输出功率可达21.41 m W。 展开更多
关键词 太赫兹技术 二倍频器 变容二极管 倍频源
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