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活性染料长车染色轧-轧-蒸短流程工艺开发
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作者 吕惠雯 盛春英 +5 位作者 张梦杰 于琦 郭冬梅 赵志彬 樊伟力 王辉芹 《染整技术》 2025年第8期33-35,共3页
传统长车活性染色流程能耗大,耗时长。为了节约时间和能耗,采取省去染料烘干过程的方式来缩短染色工艺流程,优化活性染料汽固液配方以适配轧-轧-蒸染色短流程工艺。该工艺对布样得色量和色牢度无影响,为生产提供了便捷高效的工艺流程。
关键词 轧-轧-蒸 汽固液 色牢度 力度差异值
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CVD含氟粉尘资源化制备氟硅酸铵的技术研究
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作者 杨洁 解毓朝 +3 位作者 李贵平 鲁涛 蒋尧兵 曾宪坤 《广州化工》 2025年第13期160-164,共5页
化学气相沉积技术是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术,半导体行业运用此技术后产生了大量含氟粉尘类的固体废物。本文按照固液比0.22将CVD含氟粉尘溶解于纯水,除去水不溶物,将滤液进行蒸发浓缩,滤液浓缩至波美度值为25°B... 化学气相沉积技术是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术,半导体行业运用此技术后产生了大量含氟粉尘类的固体废物。本文按照固液比0.22将CVD含氟粉尘溶解于纯水,除去水不溶物,将滤液进行蒸发浓缩,滤液浓缩至波美度值为25°Bé(比重为1.21)左右,然后置于0℃的温度条件下让其进行结晶,待结晶完全后,以过滤的方式对其固液分离,分离得出的晶体烘干至恒重,以工业氟硅酸铵国标方法对产品进行检测,氟硅酸铵含量为99%左右,且游离酸含量小于0.3%,符合国家优等品标准。本工作实现了CVD含氟废液均可资源化制备氟硅酸铵的工艺流程,极大程度减少了氟资源的浪费,使氟资源得到充分有效的利用。 展开更多
关键词 化学气相沉积技术 波美度 蒸发 固液比 冷却
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物理气相沉积法在泡沫钛基底上生长硒化铟纳米棒研究
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作者 侯尹慧 刘曦 《常熟理工学院学报》 2025年第2期26-29,共4页
本文基于一维纳米材料的气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长机理,采用简单的物理气相沉积法,以硒化铟(In_(2)Se_(3))粉末为前驱体,在镀金(Au)的泡沫钛基底上实现生长出高密度的一维In_(2)Se_(3)纳米棒.通过扫描电子显微镜(Scanning... 本文基于一维纳米材料的气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长机理,采用简单的物理气相沉积法,以硒化铟(In_(2)Se_(3))粉末为前驱体,在镀金(Au)的泡沫钛基底上实现生长出高密度的一维In_(2)Se_(3)纳米棒.通过扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)的结果表明,相比于普通的单晶硅基底,在泡沫钛基底上生长的一维In_(2)Se_(3)纳米棒具有更高的密度,且泡沫钛基底能够重复使用,在提高制备效率的同时极大降低了制备成本. 展开更多
关键词 泡沫钛基底 物理气相沉积法 VLS In_(2)Se_(3)纳米棒
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氧化铝模板法制备Ge纳米线 被引量:9
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作者 叶好华 叶志镇 +4 位作者 黄靖云 吴贵斌 赵炳辉 涂江平 侯山昆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期173-176,共4页
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径... 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 . 展开更多
关键词 Ge纳米线 氧化铝模板 低压化学气相沉积
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碟状氧化锌气相生长及机理的研究 被引量:7
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作者 朱光平 王马华 +1 位作者 刘忠良 刘亲壮 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期65-67,共3页
采用气相沉积法制备了碟状的氧化锌,并基于自催化的气-液-固机理及气-固机理结合温度及过饱和度等生长因素对碟状氧化锌的生长机理进行了研究,结果表明,较高的生长温度及适中的过饱和度被归结为碟状氧化锌形成的原因。
关键词 氧化锌 纳米碟 气-液-固机理
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四针状氧化锌晶须的生长机理 被引量:11
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作者 陈艺锋 唐谟堂 杨声海 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期423-428,共6页
用“时间标尺”实验法测定了T ZnO晶须在不同生长时期的生长速率, 用扫描电镜观察分析了不同条件下晶须的生长形貌。结果表明: T ZnO晶须的结晶作用是气 液 固(VLS)方式, 晶须生长受螺旋生长机理控制; 锌蒸气中产生凝聚生长的锌液滴是制... 用“时间标尺”实验法测定了T ZnO晶须在不同生长时期的生长速率, 用扫描电镜观察分析了不同条件下晶须的生长形貌。结果表明: T ZnO晶须的结晶作用是气 液 固(VLS)方式, 晶须生长受螺旋生长机理控制; 锌蒸气中产生凝聚生长的锌液滴是制备T ZnO晶须的关键, 锌从液滴内向外扩散在晶须的端面产生生长台阶, 随着液滴内的原子向外不断扩散, 针体部分就不断地伸长生长, 当液滴内的原子全部消耗尽时, 晶须便不再发生轴向生长; 气 固(VS)方式的作用主要是促进晶须棱面生长而使晶须变粗, 对轴向生长几乎没有影响。 展开更多
关键词 T-ZnO晶须 生长速度 气-液-固生长 气-固生长
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中药更年安浸取液汽液固三相流自然循环蒸发浓缩 被引量:6
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作者 刘明言 姜峰 +9 位作者 孙永利 元英进 李修伦 林瑞泰 聂万达 张汝成 沈启民 李鑫荣 江大志 方鹏 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1029-1031,共3页
Preliminary experimental studies on evaporation of Gengnian’an liquid extract of traditional Chinese medicine(TCM)with vapor-liquid-solid flow boiling technique were carried out in a transparent natual circulating th... Preliminary experimental studies on evaporation of Gengnian’an liquid extract of traditional Chinese medicine(TCM)with vapor-liquid-solid flow boiling technique were carried out in a transparent natual circulating three-phase evaporator. The height of the heating tube is 2.5 m with an inner diameter of 0.038 m and an outer diameter of 0.045 m. The cylindrical solid particles with a diameter of 0.0025 m and a length of 0.0025 m is made of a kind of inert material that does not interact with the liquid of Gengnian’an. The heat energy for the evaporator was supplied by the electric heating system. It was shown that the presence of the solid particles could enhance the process of heat transfer since the heat transfer coefficients in vapor-liquid-solid boiling system was about 1.5-2.0 times that of the vapor-liquid boiling system when the heat flux was constant. On the other hand,fouling prevention and a lower wall temperature were also seen when the solid particles were present. The quality of concentrated liquid of TCM would be improved. 展开更多
关键词 传热强化 汽液固三相流 流动沸腾 防垢 中药浸取液 更年安 自然循环
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汽-液-固三相流化床蒸发器浓缩食品液体的实验研究 被引量:3
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作者 高启君 刘振义 +2 位作者 李丁 宋继田 甄永杰 《食品与机械》 CSCD 2004年第4期25-27,共3页
介绍了三相流化床蒸发器的结构特点 ,对其传热和防、除垢性能进行了研究 ;论述了把汽 -液 -固三相流化床蒸发器应用于食品液体浓缩的可行性。研究结果表明 :汽 -液 -固三相流化床蒸发器具有良好的传热和防、除垢性能 ,在食品工业中具有... 介绍了三相流化床蒸发器的结构特点 ,对其传热和防、除垢性能进行了研究 ;论述了把汽 -液 -固三相流化床蒸发器应用于食品液体浓缩的可行性。研究结果表明 :汽 -液 -固三相流化床蒸发器具有良好的传热和防、除垢性能 ,在食品工业中具有一定的应用前景。 展开更多
关键词 汽-液-固三相流化床蒸发器 浓缩 食品液体 传热 除垢 防垢 结构特点
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冲蚀与空蚀交互磨损三相流场仿真与试验研究 被引量:11
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作者 庞佑霞 唐勇 +4 位作者 梁亮 朱宗铭 许焰 刘厚才 李彬 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期115-120,共6页
基于计算流体力学方法,数值研究在模拟水轮机工况下,冲蚀与空蚀交互作用时,试件表面上汽液固三相流场的动力学特性(压力场、速度场、汽相体积比分布),然后在转盘式磨损装置上,进行汽液固三相冲蚀与空蚀交互磨损试验,并对试件微观形貌进... 基于计算流体力学方法,数值研究在模拟水轮机工况下,冲蚀与空蚀交互作用时,试件表面上汽液固三相流场的动力学特性(压力场、速度场、汽相体积比分布),然后在转盘式磨损装置上,进行汽液固三相冲蚀与空蚀交互磨损试验,并对试件微观形貌进行分析。结果表明:数值分析得到试件表面最小和最大压力值、气泡速度最大值和汽相比例最大值均出现在空化孔附近,其他位置基本不变,说明空化孔附近交互磨损比单一空蚀磨损严重。就某一空化孔而言,顺着转盘旋转方向的孔边某一夹角展开区域汽相比例较大,并且出现最小和最大压力;从试件微观磨痕分析,其上存在短程犁沟和空蚀孔,磨痕呈现规律性。仿真的气泡轨迹和试件磨痕基本一致,数值计算结果和试验结果吻合得较好,从而证明了数值分析的正确性和合理性。上述数值仿真为揭示流体机械过流部件冲蚀与空蚀交互作用磨损机理奠定了基础。 展开更多
关键词 冲蚀与空蚀 交互磨损 汽液固三相 流场仿真 试验研究
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硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征 被引量:4
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作者 吴玲玲 吴仁兵 +4 位作者 杨光义 陈建军 翟蕊 林晶 潘颐 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期485-488,533,共5页
采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC... 采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长. 展开更多
关键词 简单加热法 SIC纳米线 气-固-液机制
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汽-液-固多管循环流化床蒸发器中固体颗粒的分布 被引量:11
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作者 姜峰 王兵兵 +1 位作者 齐国鹏 李修伦 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期133-137,共5页
为研究三相循环流化床蒸发器加热管束内固体颗粒的分布规律,设计并构建了汽-液-固透明多管循环流化床蒸发系统.利用CCD图像采集和数据处理系统,研究了液体循环流量、热通量、颗粒加入量及颗种类等参数对于加热管束中固体颗粒分布的影响... 为研究三相循环流化床蒸发器加热管束内固体颗粒的分布规律,设计并构建了汽-液-固透明多管循环流化床蒸发系统.利用CCD图像采集和数据处理系统,研究了液体循环流量、热通量、颗粒加入量及颗种类等参数对于加热管束中固体颗粒分布的影响.结果表明:随着液体循环流量、热通量和颗粒加入量的增加,颗粒分布的不均匀度降低;而随着颗粒沉降速度的增加,颗粒分布的不均匀度增大.研究结果为进一步解决固体颗粒在加热管束中良好分布的问题奠定了基础. 展开更多
关键词 汽-液-固 循环流化床蒸发器 可视化 颗粒分布 强化传热 防、除垢
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电弧放电制备碳化硅纳米棒 被引量:6
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作者 吴旭峰 凌一鸣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1283-1286,共4页
用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒。将摩尔分数为50%C,25%SiO2和25%Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A。分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜... 用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒。将摩尔分数为50%C,25%SiO2和25%Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A。分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜照片表明:粉末中有结晶良好的SiC纳米棒,直径约10~20nm,长径比为10以上,并且纳米棒头部缀有金属纳米粒子。X射线衍射分析表明:粉体中主相为β-SiC,有少量Cu,Raman光谱中775cm-1有1个尖锐峰。分析认为,少量阴极材料Cu被电弧蒸发作为催化剂并由气液固过程生成了SiC纳米棒。 展开更多
关键词 碳化硅 纳米棒 电弧放电 气液固过程
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真空热蒸发生长CdX(X=S,Te)纳米线研究性实验 被引量:6
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作者 简基康 吴荣 +1 位作者 尚飞 邹华 《物理实验》 北大核心 2010年第8期1-4,8,共5页
将一维纳米结构的气—液—固生长机制与大学材料物理实验真空热蒸发镀膜结合,设计了生长半导体纳米线的研究性实验.利用金属铋或锡作为催化剂,真空热蒸发生长了CdS,CdTe等半导体纳米线.纳米线产物形貌均匀,并可实现选择性生长.
关键词 真空热蒸发镀膜 纳米线 气-液-固机制
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UNIFAC基团贡献法研究及应用进展 被引量:11
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作者 魏静 解新安 +1 位作者 丁年平 刘华敏 《当代化工》 CAS 2008年第6期659-665,共7页
UNIFAC基团贡献法是推算组分活度系数应用最广泛的模型之一。介绍了UNIFAC基团贡献法的研究进展,分析了UNIFAC模型在气液平衡(气体溶解度、纯组分的蒸汽压、典型气液平衡预测)、液液平衡(液体混合物的表面张力、萃取精馏体系、聚合物溶... UNIFAC基团贡献法是推算组分活度系数应用最广泛的模型之一。介绍了UNIFAC基团贡献法的研究进展,分析了UNIFAC模型在气液平衡(气体溶解度、纯组分的蒸汽压、典型气液平衡预测)、液液平衡(液体混合物的表面张力、萃取精馏体系、聚合物溶液粘度的推算、典型液液平衡预测)、固液平衡(同分异构体的平衡体系、固体溶解度的计算)体系的应用领域及其局限性,并针对UNIFAC基团贡献法存在的问题,提出UNIFAC基团贡献法的研究方向和具体的研究内容。 展开更多
关键词 UNIFAC基团贡献法 研究进展 气液平衡 液液平衡 固液平衡
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三相循环流化床麦草浆黑液蒸发器的研究 被引量:6
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作者 贾原媛 高振楠 李修伦 《中国造纸学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期59-62,共4页
研究了新型麦草浆黑液蒸发器———汽液固三相循环流化床蒸发器的强化传热和防、除垢性能。麦草浆黑液是全国造纸行业的主要污染物 ,采用碱回收处理。蒸发是碱回收关键的一个工段。实验表明 ,在浓度 31 %的黑液中加入聚四氟乙烯粒子可... 研究了新型麦草浆黑液蒸发器———汽液固三相循环流化床蒸发器的强化传热和防、除垢性能。麦草浆黑液是全国造纸行业的主要污染物 ,采用碱回收处理。蒸发是碱回收关键的一个工段。实验表明 ,在浓度 31 %的黑液中加入聚四氟乙烯粒子可提高传热系数2 0 %~ 40 %。 展开更多
关键词 麦草浆黑液蒸发器 汽液固三相循环流化床蒸发器 强化传热 碱回收 造纸 结垢 除垢性能 防垢
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氧气辅助法制备氮化硼纳米管 被引量:2
16
作者 李娟 吴浩 +1 位作者 陈拥军 徐盛明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期880-884,共5页
将无定形硼粉于流动氨气(50 mL/min)和不同氧气流量(10、15、20、40 mL/min)的混合气氛下高温(1300℃)处理后,在不锈钢基片上收集到白色棉花状产物。研究结果表明,微量的氧气可将硼粉氧化成气态的B2O2中间体,为BN纳米管的生长提供活性... 将无定形硼粉于流动氨气(50 mL/min)和不同氧气流量(10、15、20、40 mL/min)的混合气氛下高温(1300℃)处理后,在不锈钢基片上收集到白色棉花状产物。研究结果表明,微量的氧气可将硼粉氧化成气态的B2O2中间体,为BN纳米管的生长提供活性较高的硼源。当氧气流量适中时,所得纳米管的平均直径为80 nm,长度可达几百微米。氧气流量对BN纳米管的直径和产量影响较大,纳米管直径随着氧气流量的增大而增大,产量则出现先升高后降低的趋势。氮化硼纳米管的生长机理属于气–液–固模型。 展开更多
关键词 氮化硼纳米管 氧气辅助法 气–液–固生长机理
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GaN纳米线生长的影响因素与机理分析 被引量:1
17
作者 王新中 于广辉 +1 位作者 李世国 张春晓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期199-203,209,共6页
基于气液固(VLS)反应机制,采用厚度为2~3nm的金属镍作为催化剂,金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源,在自行改造的化学气相沉积(CVD)设备内获得了大面积GaN纳米线。通过扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射... 基于气液固(VLS)反应机制,采用厚度为2~3nm的金属镍作为催化剂,金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源,在自行改造的化学气相沉积(CVD)设备内获得了大面积GaN纳米线。通过扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,表明GaN纳米线的成核及生长与反应室气路结构有密切关系,水平弯管式气路将有利于GaN纳米线的生长。此外,生长气流将直接影响GaN纳米线的生长状况,生长温度为920℃、NH3和N2的气流量分别为100和500cm^3/min时,可以获得形貌较好的纳米线。同时,探索了Ga源与样品位置间的距离对纳米线中Ga和N的质量分数的影响,并分析了其影响机理。 展开更多
关键词 氮化镓 纳米线 气液固(VLS) 化学气相沉积(CVD)
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稀释率对新型固液气分流式瘤胃模拟系统发酵效果的影响 被引量:4
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作者 包万华 王加启 +3 位作者 卜登攀 姜雅慧 金恩望 雒秋江 《动物营养学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1534-1540,共7页
本试验旨在研究稀释率对新型固液气分流式瘤胃模拟系统发酵效果的影响。采用单因子完全随机试验设计,共设4个处理,各处理稀释率分别为6%/h、8%/h、10%/h、12%/h,每个处理3个重复,每个重复1个发酵罐。试验期10 d。结果表明:随着稀释率的... 本试验旨在研究稀释率对新型固液气分流式瘤胃模拟系统发酵效果的影响。采用单因子完全随机试验设计,共设4个处理,各处理稀释率分别为6%/h、8%/h、10%/h、12%/h,每个处理3个重复,每个重复1个发酵罐。试验期10 d。结果表明:随着稀释率的提高,发酵液pH极显著提高(P<0.01),而氨态氮(NH3-N)浓度则极显著降低(P<0.01)。稀释率由6%/h上升到10%/h,总挥发性脂肪酸(TVFA)及戊酸浓度极显著下降(P<0.01)。稀释率从6%/h提高到8%/h时,原虫数量极显著提高了6.91%(P<0.01),但当稀释率从8%/h提高到12%/h时,原虫数量却极显著下降了5.18%(P<0.01)。随着稀释率从6%/h增加到10%/h,木聚糖酶活性(P<0.01)及微生物蛋白质(MCP)产量(P<0.05)显著或极显著降低,粗蛋白质体外消失率极显著升高(P<0.01)。稀释率为10%/h和12%/h的2个处理,中性洗涤纤维体外消失率显著高于另外2个处理(P<0.05)。结果提示,稀释率能够影响新型固液气分流式瘤胃模拟系统的发酵情况,稀释率为8%/h时,原虫数量以及纤维素类酶活性、各瘤胃发酵参数更加有利于发酵,因此可推荐作为本系统最优运行条件。 展开更多
关键词 稀释率 固液气分流式瘤胃模拟系统 瘤胃发酵
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三相流化床蒸发浓缩更年安提取物的研究 被引量:1
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作者 刘明言 聂万达 凌宁生 《中草药》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1325-1327,共3页
目的使用三相流化床蒸发浓缩中试装置用于更年安提取物的浓缩,探索最佳浓缩工艺。方法以浓缩器总传热系数、蒸发强度、浸膏的相对密度和最终产品中大黄素为指标,考察影响的主要因素:浓缩温度、分离室压力、加热蒸汽压力,并与普通的汽液... 目的使用三相流化床蒸发浓缩中试装置用于更年安提取物的浓缩,探索最佳浓缩工艺。方法以浓缩器总传热系数、蒸发强度、浸膏的相对密度和最终产品中大黄素为指标,考察影响的主要因素:浓缩温度、分离室压力、加热蒸汽压力,并与普通的汽液两相外循环蒸发浓缩器进行比较。结果三相流化床蒸发浓缩最佳工艺为:加热蒸汽压力为0.15~0.25MPa,浓缩温度小于80℃,分离室压力为0.04~0.08MPa,颗粒直径0~0.020m。与普通外循环蒸发浓缩器相比,更年安醇提液的蒸发强度和总传热系数提高0.6倍,更年安水提液的蒸发强度和总传热系数提高0.3倍。三相流化床浓缩器连续运行300h,没有药物挂壁,而普通外循环浓缩器100h左右即会结垢。三相流化床蒸发浓缩工艺可以使浓缩液相对密度在1.35以上时一次出膏,勿需后续的真空球型浓缩罐再浓缩。更年安片中指标成分大黄素符合要求。结论三相流化床蒸发浓缩器具有在线防止结垢、效率高、浓缩时间短、流程简单,适应范围广等优点,可应用于中药浓缩。 展开更多
关键词 更年安提取物 三相流化床 浓缩
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HVPE生长的高质量GaN纳米柱的光学性能 被引量:1
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作者 陈琳 王琦楠 +2 位作者 陈丁丁 陶志阔 修向前 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期526-530,共5页
GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注。研究了一种利用氢化物气相外延(HVPE)系统生长高质量的Ga N纳米柱的方法。使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出了GaN纳米柱。在不同生长时间和不同HCl体... GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注。研究了一种利用氢化物气相外延(HVPE)系统生长高质量的Ga N纳米柱的方法。使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出了GaN纳米柱。在不同生长时间和不同HCl体积流量下制备了多组样品,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱对样品进行了分析表征。测试结果表明,在较低的HCl体积流量下,生长2 min的样品具有较高的晶体质量和较好的光学性质。讨论了不同生长阶段的GaN纳米结构发光特性的变化规律,认为纳米结构所产生的表面态密度大小差异会造成带边峰位的红移和展宽。 展开更多
关键词 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓 纳米柱 气-液-固(VLS)机制 光致荧光
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