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自旋电子学研究进展 被引量:4
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作者 颜冲 于军 +2 位作者 包大新 陈文洪 朱大中 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-6,55,共7页
自旋电子学是上世纪 90年代以来飞速发展起来的新兴学科。与传统的半导体电子器件相比 ,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点。电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振隧... 自旋电子学是上世纪 90年代以来飞速发展起来的新兴学科。与传统的半导体电子器件相比 ,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点。电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振隧道器件、THz频率光学开关、调制器、编码器、解码器及用于量子计算、量子通信等装置的新型器件 ,从而触发一场信息技术革命。文中介绍了自旋电子学的若干最新研究进展。 展开更多
关键词 自旋电子学 巨磁电阻 稀磁半导体 自旋相关输运
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High Power InG sP/G s SCH SQW Lasers
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作者 LIZhong-hui Xiang-wu 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2000年第4期193-195,共3页
InG sP/G s SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOCVD. The dependence of t hreshold current density on cavity length was explained. Laser diodes are char acterized by the output power of 1 W to 2 W, threshold curre... InG sP/G s SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOCVD. The dependence of t hreshold current density on cavity length was explained. Laser diodes are char acterized by the output power of 1 W to 2 W, threshold current density ( J th ) of 330 A/cm 2 to 450 A/cm 2 and external differe ntial quantum efficiency ( η d) of 35% to 75%, and these characteristics ar e in good agreement with the designed requirement. 展开更多
关键词 HETEROSTRUCTURE Quantum well Semicond uctor lasers
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