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Power dissipation characteristics of great power and super high speed semiconductor switch 被引量:2
1
作者 梁琳 余岳辉 彭亚斌 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第7期2627-2632,共6页
The power dissipation characteristics of pulsed power switch reversely switched dynistors (RSDs) are investigated in this paper. According to the expressions of voltage on RSD, derived from the plasma bipolar drift ... The power dissipation characteristics of pulsed power switch reversely switched dynistors (RSDs) are investigated in this paper. According to the expressions of voltage on RSD, derived from the plasma bipolar drift model and the RLC circuit equations of RSD main loop, the simulation waveforms of current and voltage on RSD are acquired through iterative calculation by using the fourth order Runge-Kutta method, then the curve of transient power on RSD versus time is obtained. The result shows that the total dissipation on RSD is trivial compared with the pulse discharge energy and the commutation dissipation can be nearly ignored compared with the quasi-static dissipation. These characteristics can make the repetitive frequency of RSD increase largely. The experimental results prove the validity of simulation calculations. The influence factors on power dissipation are discussed. The power dissipation increases with the increase of the peak current and the n-base width and with the decrease of n-base doping concentration. In order to keep a low power dissipation, it is suggested that the n-base width should be smaller than 320μm when doping concentration is 1.0×10^14cm^-3 while the doping concentration should be higher than 5.8×10^13cm^-3 when n-base width is 270μm. 展开更多
关键词 reversely switched dynistor (RSD) pulsed power switch power dissipation
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Design Method of Reversely Switched Dynistor Based Pulse Circuit Without Magnetic Switch
2
作者 Yicheng Pi Lin Liang Xiaoxue Yan 《CSEE Journal of Power and Energy Systems》 SCIE EI CSCD 2023年第1期306-314,共9页
In the reversely switched dynistor(RSD)-based pulse power circuits,a magnetic switch is usually necessary to be applied together with a main switch.It occupies space and needs a magnetic reset.In this paper,a method o... In the reversely switched dynistor(RSD)-based pulse power circuits,a magnetic switch is usually necessary to be applied together with a main switch.It occupies space and needs a magnetic reset.In this paper,a method of designing a RSD-based pulse circuit without a magnetic switch is proposed.In the pulse circuit,a RBDT(reverse blocking diode thyristor)is used to separate the two capacitors and provide an energy branch.The pre-charge time of the RSD can be guaranteed by the energy conversion between the capacitors and inductors,instead of the saturation of the magnetic switch.In addition,the energy which is reused to trigger the RSD is based on an inductor.The pulse circuit is evaluated by simulations and practical experiments.According to the experimental results,the factors affecting the load pulse current and triggering of the RSD and RBDT are studied.Meanwhile,a method to reduce the current in the trigger switch,which is a potential problem in the pulse circuit,is proposed. 展开更多
关键词 Magnetic switch pulse power circuit reversely switched dynistor(RSD) reverse blocking diode thyristor(RBDT)
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半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究 被引量:5
3
作者 杜如峰 余岳辉 +2 位作者 彭昭廉 李焕炀 胡乾 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期195-197,202,共4页
 RSD(ReverselySwitchedDynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件,该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压,并研究了该电压与器件结构参数之间的关系,给出了...  RSD(ReverselySwitchedDynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件,该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压,并研究了该电压与器件结构参数之间的关系,给出了降低器件功耗的方法。 展开更多
关键词 半导体脉冲功率开关 RSD 开通电压 等离子体层触发 晶闸管 晶体管
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高功率反向开关晶体管开关寿命特性 被引量:6
4
作者 王海洋 何小平 +7 位作者 周竞之 陈维青 郭帆 谢霖燊 李俊娜 邹丽丽 汤俊萍 贾伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1191-1194,共4页
研制了10kV高压反向开关晶体管(RSD)开关组件。在重复频率0.2Hz、峰值电流约107kA、峰值功率约1GW、单次传输电荷约20C、单次传输能量约100kJ条件下,实验次数达50 000多次;主要研究了RSD开关的静态伏安特性随实验次数的变化趋势。采用... 研制了10kV高压反向开关晶体管(RSD)开关组件。在重复频率0.2Hz、峰值电流约107kA、峰值功率约1GW、单次传输电荷约20C、单次传输能量约100kJ条件下,实验次数达50 000多次;主要研究了RSD开关的静态伏安特性随实验次数的变化趋势。采用数值分析的方法,统计拟合得到了长脉冲大电流条件下RSD开关的寿命模型,并依据失效判据初步预估RSD开关的寿命可达107次。 展开更多
关键词 反向开关晶体管开关 固态开关 静态特性 寿命 大电流
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大功率超高速半导体开关的换流特性研究 被引量:7
5
作者 余岳辉 梁琳 +1 位作者 颜家圣 彭亚斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第30期38-42,共5页
研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲... 研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲试验平台研究了RSD的开通机理及高密度能量转换、允许通过的峰值电流、开通条件与预充、准静态损耗及其di/dt等多项特性。根据经验公式,对小直径RSD做极限电流试验,φ20mm的RSD堆体通过了19.9kA脉冲电流(脉宽30μs)。通过减小主回路电感考核了RSD的高di/dt耐量特性,放电电压3kV时得到di/dt接近8kA/μs。 展开更多
关键词 大功率开关 反向开关晶体管 开通特性 脉冲 DI/DT
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基于反向开关晶体管的重复频率脉冲电流源 被引量:7
6
作者 王海洋 何小平 徐燕 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1053-1056,共4页
介绍一种基于新型大功率半导体反向导通型双晶复合晶体管(RSD)开关的重复频率脉冲电流源。重复频率脉冲源主要包括半导体RSD开关、快速可控硅和磁开关等元件。初步实验产生的脉冲峰值电流约6.2 kA,脉冲宽度约10μs,电流上升率可达18 kA/... 介绍一种基于新型大功率半导体反向导通型双晶复合晶体管(RSD)开关的重复频率脉冲电流源。重复频率脉冲源主要包括半导体RSD开关、快速可控硅和磁开关等元件。初步实验产生的脉冲峰值电流约6.2 kA,脉冲宽度约10μs,电流上升率可达18 kA/μs,工作电压约1 kV,可工作于单次和重复频率1,10和100 Hz等状态。 展开更多
关键词 脉冲电流源 重复频率 RSD开关 晶闸管 磁开关
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大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究 被引量:3
7
作者 周竞之 王海洋 +3 位作者 何小平 陈维青 郭帆 邱爱慈 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第10期176-181,共6页
大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和... 大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和250ns四种触发脉宽下RSD峰值导通压降随触发电荷量的变化曲线,分析了250ns触发脉宽下RSD导通不充分的原因,实验结果表明临界触发电荷量计算公式中比例系数随触发脉宽增加而增大。 展开更多
关键词 反向导通双极晶闸管 触发导通特性 磁开关 触发电荷量 峰值导通压降
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12kV高压反向触发双极晶闸管开关组件 被引量:3
8
作者 何小平 王海洋 +4 位作者 周竞之 陈维青 薛斌杰 汤俊萍 邱爱慈 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期803-806,共4页
介绍了反向触发双极晶闸管(RSD)开关的结构和触发工作原理,分析了RSD组件设计要求,利用两级触发原理研制了12 kV高压RSD组件及其触发系统,工作电压10~12 kV。试验结果表明:该高压RSD串联组件触发稳定,工作可靠,12 kV工作电压下峰值电... 介绍了反向触发双极晶闸管(RSD)开关的结构和触发工作原理,分析了RSD组件设计要求,利用两级触发原理研制了12 kV高压RSD组件及其触发系统,工作电压10~12 kV。试验结果表明:该高压RSD串联组件触发稳定,工作可靠,12 kV工作电压下峰值电流可达133 kA,传输电荷24 C,电流变化率可达4.12 kA/μs,导通的峰值功率可达1.6 GW。 展开更多
关键词 反向触发双极晶闸管开关 固态开关 磁开关 大电流 大库仑量
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反向开关晶体管结构优化与特性测试 被引量:5
9
作者 梁琳 余亮 +1 位作者 吴拥军 余岳辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期876-880,共5页
对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特... 对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特殊工作方式,提出了RSD开通电压、关断时间等关键参数的测试方案并进行了实验测量。进行了RSD大电流开通试验,直径7.6cm的堆体在12kV主电压下成功通过峰值电流173kA,传输电荷32C。 展开更多
关键词 反向开关晶体管 脉冲功率开关 缓冲层 开通电压 关断时间
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基于RSD的脉冲放电系统主回路仿真与试验 被引量:3
10
作者 梁琳 余岳辉 +1 位作者 彭亚斌 王玉彬 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第8期63-67,共5页
研究了基于RSD开关的脉冲放电主回路,应用ATPDraw软件仿真了不同主电容、主电压、负载电阻条件下的输出电流波形,并在测试平台上进行了相应的开通试验。试验研究了不同叠片片数和不同主电压下磁开关的输出电压波形,为其配合RSD使用、保... 研究了基于RSD开关的脉冲放电主回路,应用ATPDraw软件仿真了不同主电容、主电压、负载电阻条件下的输出电流波形,并在测试平台上进行了相应的开通试验。试验研究了不同叠片片数和不同主电压下磁开关的输出电压波形,为其配合RSD使用、保证合适延迟时间提供了依据。进行了直径40mm的RSD管芯极限通流试验,200μs脉宽下获得峰值电流42kA,与经验公式吻合。计算和试验结果都反映了RSD开通电压随峰值电流增大而增大的趋势。 展开更多
关键词 反向开关晶体管 脉冲功率 磁开关 主回路
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反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究 被引量:4
11
作者 尚超 梁琳 +2 位作者 余岳辉 冯仁伟 刘雪青 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第3期129-133,共5页
基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压... 基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V。并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻比值对测量结果无明显影响。 展开更多
关键词 反向开关晶体管 功率半导体器件 通态峰值压降 二极管
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两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路 被引量:2
12
作者 余岳辉 李伟邦 +1 位作者 梁琳 尚超 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3047-3053,共7页
为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关... 为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析。根据实验结果,在主电压10kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0kA的主电流和15μs脉宽下7.5kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545A2·s、426A2·s。实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境。 展开更多
关键词 反向导通双晶复合管 半导体开关 磁开关 直接预充 变压器预充 高电压
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半导体RSD开关预充电路设计与研究 被引量:1
13
作者 王海洋 何小平 +1 位作者 徐燕 汤俊萍 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第2期35-37,共3页
利用快速晶闸管设计了一种可用于触发大电流半导体开关的反向导通型双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)电路。重点介绍了RSD预充电路参数选择和触发脉冲产生电路的设计,解决了预充电路和主回路RSD开关开通后各电气... 利用快速晶闸管设计了一种可用于触发大电流半导体开关的反向导通型双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)电路。重点介绍了RSD预充电路参数选择和触发脉冲产生电路的设计,解决了预充电路和主回路RSD开关开通后各电气参数的配合问题。实验结果表明,当预充电路的工作电压约为800V时,RSD开关的预充峰值电流约为600A,脉冲宽度约为2μs,流过RSD开关的脉冲峰值电流可达5.3kA,脉冲宽度约为10μs。 展开更多
关键词 半导体 开关 晶闸管 触发/反向导通型双晶复合晶体管
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RSD重复频率脉冲功率电路的研制 被引量:3
14
作者 彭亚斌 梁琳 +1 位作者 张桥 余岳辉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2011年第2期69-71,共3页
研制了一种基于高速大功率半导体脉冲开关反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的重复频率脉冲功率电路,电路主要包括放电电容充电回路、主回路及RSD预充回路等部分。分析了脉冲功率电路及磁开关工作原理。设计了工作... 研制了一种基于高速大功率半导体脉冲开关反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的重复频率脉冲功率电路,电路主要包括放电电容充电回路、主回路及RSD预充回路等部分。分析了脉冲功率电路及磁开关工作原理。设计了工作电压为2.4 kV时的电路及磁开关参数。试验结果表明,当重复频率为10 Hz时,RSD输出电流峰值为2.44 kA,脉宽为9μs,工作频率从10 Hz增加至60 Hz时,输出电流从2.44 kA下降至2.21 kA,变化率为4.5%。 展开更多
关键词 反向开关晶体管 脉冲功率开关 脉冲功率电路
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复合式罗氏线圈在RSD开关测量中的应用 被引量:2
15
作者 张卫丰 叶剑锋 余柏林 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第6期34-35,38,共3页
分析了自积分及外积分罗氏线圈典型方程及条件,提出一种自积分与外积分相结合的复合式罗氏线圈设计方法,给出了电路模型及参数。在微秒级反向导通双晶复合管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)脉冲功率系统中进行实验,结果证明,复... 分析了自积分及外积分罗氏线圈典型方程及条件,提出一种自积分与外积分相结合的复合式罗氏线圈设计方法,给出了电路模型及参数。在微秒级反向导通双晶复合管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)脉冲功率系统中进行实验,结果证明,复合式罗氏线圈很好地再现了RSD电流波形,纠正了传统自积分或外积分罗氏线圈的缺陷,在提高测量精度的同时,扩宽了传统罗氏线圈的应用范围。 展开更多
关键词 开关测量 罗氏线圈 反向导通双晶复合管
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半导体脉冲功率开关器件综述 被引量:9
16
作者 梁琳 颜小雪 +3 位作者 黄鑫远 卿正恒 杨泽伟 尚海 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第23期8631-8651,共21页
该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导... 该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导体开关器件从时间尺度上分别对应微秒级、纳秒级和皮秒级,研制材料包括硅基(Si)和碳化硅基(SiC)。该文介绍相关器件的工作机理、关键技术和应用情况,以及部分研究进展,并对未来的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 半导体开关 脉冲功率 反向开关晶体管 漂移阶跃恢复二极管 快速离化晶体管
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脉冲功率器件RSD非均匀导通的实验研究 被引量:1
17
作者 尚超 余岳辉 黄朝 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2010年第3期85-87,共3页
介绍了一种新型基于可控等离子体开通的半导体功率器件,即反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD),简述了其基本结构及工作原理。从理论上分析了导致RSD非均匀导通的因素,并通过实验进行验证,得到了2.5kV电压下,峰值电流... 介绍了一种新型基于可控等离子体开通的半导体功率器件,即反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD),简述了其基本结构及工作原理。从理论上分析了导致RSD非均匀导通的因素,并通过实验进行验证,得到了2.5kV电压下,峰值电流为14.4k ARSD的典型开通特性。分析和实验结果都显示,导致RSD非均匀导通的因素主要有:磁开关与触发回路配合不当、器件预充不足、主电流的di/dt过高以及工艺因素等,其中前两个因素最为明显,在使用中应予以特别重视并加以避免。实验结果与理论分析能够很好地吻合。 展开更多
关键词 反向开关晶体管 非均匀导通 预充电荷
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碳化硅RSD的二维数值模型研究 被引量:1
18
作者 梁琳 刘程 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2016年第1期105-108,共4页
在此通过实验进一步证实了高耐压的硅基反向开关晶体管(RSD)有更高的开通电压峰值,说明采用宽禁带碳化硅(SiC)的必要性。基于半导体物理基本方程,考虑载流子迁移率模型、SRH复合、俄歇复合、碰撞电离效应及禁带变窄效应等,采用典型4H-Si... 在此通过实验进一步证实了高耐压的硅基反向开关晶体管(RSD)有更高的开通电压峰值,说明采用宽禁带碳化硅(SiC)的必要性。基于半导体物理基本方程,考虑载流子迁移率模型、SRH复合、俄歇复合、碰撞电离效应及禁带变窄效应等,采用典型4H-SiC材料物理参数,建立了SiC RSD二维数值模型,同时结合电路模型模拟了SiC RSD的开通过程,得到不同耐压等级的SiC RSD的开通电压、电流波形。 展开更多
关键词 反向开关晶体管 碳化硅 数值模型
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反向触发晶闸管谐振式触发电路
19
作者 乔汉青 樊亚军 +1 位作者 刘胜 夏文锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期938-942,共5页
研究设计了一种可用于触发反向触发晶闸管(RSD)的电路。给出了通过参数寻优选取触发电路参数的思路。初步试验中发现存在主脉冲波形畸变和续流拖尾问题,提出了对典型谐振触发电路的两点改进:提出了基于可饱和磁介质环的触发脉冲整形方法... 研究设计了一种可用于触发反向触发晶闸管(RSD)的电路。给出了通过参数寻优选取触发电路参数的思路。初步试验中发现存在主脉冲波形畸变和续流拖尾问题,提出了对典型谐振触发电路的两点改进:提出了基于可饱和磁介质环的触发脉冲整形方法,解决了主脉冲波形畸变问题;通过串联阻容回路吸收剩余触发能量,消除了脉冲的续流拖尾。试验结果显示RSD开通特性良好,表明所设计的触发电路能满足开通μs级高上升率电流脉冲的需求。 展开更多
关键词 反向触发晶闸管 谐振式触发 参数寻优 脉冲畸变 续流拖尾
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脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究
20
作者 梁琳 余岳辉 +1 位作者 颜家圣 周郁明 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1-4,共4页
基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基... 基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域. 展开更多
关键词 通态电流上升率 反向开关晶体管 短脉冲 开关
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