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Microstructures and characteristics of deep trap levels in ZnO varistors doped with Y_2O_3 被引量:5
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作者 LIU Jun 1 ,HU Jun 1 ,HE JinLiang 1 ,LIN YuanHua 2 &LONG WangCheng 1 1State Key Laboratory of Power Systems,Department of Electrical Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China 2State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing,Department of Material Science and Engineering,Tsinghua University, Beijing 100084,China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第12期3668-3673,共6页
In this paper discussions on ZnO based varistor ceramics doped with different ratios of Y2O3 are presented.Analysis on the phase and microstructures of the samples indicates that an additional phase is detected in the... In this paper discussions on ZnO based varistor ceramics doped with different ratios of Y2O3 are presented.Analysis on the phase and microstructures of the samples indicates that an additional phase is detected in the samples doped with Y2O3,and the average grain size of the specimens decreases from about 9.2μm to 4.5μm,with an increase in the addition of Y2O3 from 0 mol%to 3 mol%.The corresponding varistor’s voltage gradient markedly increases from 462 V/mm to 2340 V/mm,while the nonlinear coefficient decreases from 22.3 to 11.5,respectively.Furthermore,the characteristics of deep trap levels in these ZnO samples are investigated by measuring their dielectric spectroscopies.The trap energy level and capture cross section evaluated by relaxation peak of the Cole-Cole plot vary slightly as the addition of Y2O3 increases.These traps may be ascribed to the intrinsic defects of ZnO lattice. 展开更多
关键词 ZnO VARISTORS Y2O3 electrical properties deep trap levelS
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Investigation of Quantum Entanglement through a Trapped Three Level Ion Accompanied with Beyond Lamb-Dicke Regime
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作者 Rasim Dermez 《Journal of Quantum Information Science》 2020年第2期23-35,共13页
In this study, our goal is to obtain the entanglement dynamics of trapped three-level ion interaction two laser beams in beyond Lamb-Dicke parameters. Three values of LDP, <span style="white-space:nowrap;"... In this study, our goal is to obtain the entanglement dynamics of trapped three-level ion interaction two laser beams in beyond Lamb-Dicke parameters. Three values of LDP, <span style="white-space:nowrap;"><em>η</em>=0.09, <span style="white-space:nowrap;"><em>η</em>=0.2 </span></span>and <span style="white-space:nowrap;"><em>η</em>=0.3 </span>are given. We used the concurrence and the negativity to measure the amount of quantum entanglement created in the system. The interacting trapped ion led to the formation of phonons as a result of the coupling. In two quantum systems (ion-phonons), analytical formulas describing both these measurements are constructed. These formulas and probability coefficients include first order terms of final state vector. We report that long survival time of entanglement can be provided with two quantum measures. Negativity and concurrence maximum values are obtained N = 0.553 and for LDP = 0.3. As a similar, the other two values of LDP are determined and taken into account throughout this paper. For a more detailed understanding of entanglement measurement results, “contour plot” was preferred in Mathematica 8. 展开更多
关键词 Entangled State trapped Three-level Ion Lamb-Dick Parameter Rabi Frequency Quantum Measures
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Effect of electron traps on long afterglow behavior of Sr_3Al_2O_6:Eu_(0.01)^(2+),Dy_(0.02-x)^(3+),Ho_x^(3+) 被引量:2
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作者 李亚 王银海 +2 位作者 熊毅 彭铁球 莫茂松 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期105-109,共5页
The long persistent phosphors Sr3Al2O6:Eu0.012+,Dy0.02-x3+,Hox3+ (x=0, 0.01, 0.02) were prepared by a high temperature solid state reaction. All samples showed a broad band emission peaking at 510 nm, which coul... The long persistent phosphors Sr3Al2O6:Eu0.012+,Dy0.02-x3+,Hox3+ (x=0, 0.01, 0.02) were prepared by a high temperature solid state reaction. All samples showed a broad band emission peaking at 510 nm, which could be ascribed to Eu2+ transition between 4f65d1 and 4f7 electron configurations. With the increase of substitution of Ho3+ ions for the Dy3+ ions in the as-prepared phosphors Sr3Al2O6:Eu0.012+,Dy0.02-x3+,Hox3+ (x=0, 0.01, 0.02), the initial intensity of the afterglow obviously decreased. From the thermoluminescence (TL) curves of the samples, we concluded that codoped Ho3+ ions led to a decline of the trap depth and redistribution of the trap. This may be responsible for the change of afterglow of Sr3Al2O6:Eu0.012+,Dy0.02-x3+,Hox3+ (x=0, 0.01, 0.02). 展开更多
关键词 electron transfer defect band THERMOLUMINESCENCE trap energy level rare earths
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A scheme for the implementation of unconventional geometric phase gates with trapped ions 被引量:1
4
作者 谢鸿 李洪才 +2 位作者 杨榕灿 林秀 黄志平 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第11期3382-3385,共4页
We propose a scheme for the realization of unconventional geometric two-qubit phase gates with two identical two-level ions, In the present scheme, the two ions are simultaneously illuminated by a standing-wave laser ... We propose a scheme for the realization of unconventional geometric two-qubit phase gates with two identical two-level ions, In the present scheme, the two ions are simultaneously illuminated by a standing-wave laser pulse with its pulse frequency being tuned to the ionic transition. The gate operation time can be much shorter, making the system robust against decoherence. In addition, we choose the appropriate experimental parameters to construct the geometric phase gate in one step, and thus avoid implementing the pure geometric single qubit operation. 展开更多
关键词 unconventional geometric phase gate trapped ions two-level ions
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Cluster states prepared by using hot trapped ions 被引量:1
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作者 杨榕灿 李洪才 +1 位作者 林秀 黄志平 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第8期2219-2223,共5页
We propose a scheme for the preparation of one-dimensional and two-dimensional cluster states by using hot trapped ions. The scheme is based on the interaction between two ions and bichromatic radiation. The vibration... We propose a scheme for the preparation of one-dimensional and two-dimensional cluster states by using hot trapped ions. The scheme is based on the interaction between two ions and bichromatic radiation. The vibrational mode in our protocol is only virtually excited so that the system is insensitive to the thermal field. In addition, we only use two levels of ions as qubits and the successful probability may achieve 100%. 展开更多
关键词 cluster states hot trapped ions bichromatic radiation two-level ions
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数字经济赋能养老服务业跨越“低水平均衡陷阱” 被引量:9
6
作者 夏杰长 罗敬蔚 《河北学刊》 北大核心 2025年第1期152-161,共10页
中国养老服务业正面临低水平需求与高成本供给之间的矛盾,这直接导致养老服务业陷入“低水平均衡陷阱”。数字经济在优化养老资源配置、降低养老服务成本和完善养老生态系统等方面发挥了重要作用,是跨越养老服务业“低水平均衡陷阱”的... 中国养老服务业正面临低水平需求与高成本供给之间的矛盾,这直接导致养老服务业陷入“低水平均衡陷阱”。数字经济在优化养老资源配置、降低养老服务成本和完善养老生态系统等方面发挥了重要作用,是跨越养老服务业“低水平均衡陷阱”的重要力量。借力数字经济推动养老服务实现高水平均衡,进而实现养老服务业高质量发展,需要综合施策:适当延长老年群体工作年限;对老年人口进行数字技术培训,助力他们跨越数字鸿沟;利用数字技术优化养老服务的资源配置;多渠道降低养老服务业成本;提升从业人员数字素养。 展开更多
关键词 “低水平均衡陷阱” 老龄化 数字经济 养老服务业
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环氧/碳化硅涂覆环氧树脂直流沿面闪络特性
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作者 张健 刘贺千 +5 位作者 高禾 李中原 杨洪达 张朋 王磊 李枕 《电机与控制学报》 北大核心 2025年第4期45-53,共9页
针对干式空心电抗器在电力系统中抑制电网电压波形畸变和表面电荷积聚引发的沿面闪络对材料绝缘特性破坏的关键问题,表面涂覆被广泛应用于改善材料的绝缘性能。本文研究了不同含量的环氧/碳化硅(EP/SiC)涂料对EP表面电荷积聚特性及沿面... 针对干式空心电抗器在电力系统中抑制电网电压波形畸变和表面电荷积聚引发的沿面闪络对材料绝缘特性破坏的关键问题,表面涂覆被广泛应用于改善材料的绝缘性能。本文研究了不同含量的环氧/碳化硅(EP/SiC)涂料对EP表面电荷积聚特性及沿面闪络特性的影响。通过表面电位衰减测试(SPD),表面电导及沿面闪络电压等实验测试,探究了其电学特性变化。研究表明,SiC粒子主要控制EP中的浅陷阱,SiC含量越多,浅陷阱密度越高、能级越低,表面电荷越容易消散。添加SiC粒子后,浅陷阱能级和密度均发生改变,在二者的作用下,电荷在试样表面沉积量明显减少,随着表面电荷积聚量减少,电场畸变程度下降,沿面闪络电压最高可提升19.37%。EP的绝缘性能得到显著提升。 展开更多
关键词 干式空心电抗器 EP/SiC 浅陷阱能级 浅陷阱密度 表面电荷 沿面闪络 绝缘性能提升
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SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)发光粉体的长余辉特性研究 被引量:22
8
作者 耿杰 吴召平 +1 位作者 陈玮 罗澜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期480-484,共5页
采用高温固相合成法制得了SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415°.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料... 采用高温固相合成法制得了SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415°.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300~450nm,发射光谱的峰值波长在518nm处.这一结果表明该材料的发光是由Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带跃迁产生的.其余辉衰减由初始的快衰减和其后的慢衰减所组成.通过热释光谱对材料中的陷阱能级进行了分析,该材料中存在两个较深的陷阱能细。苴深度分别为0.38和1.34eV. 展开更多
关键词 长余辉 光谱 热释发光 陷阱能级
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打浆度对纤维素绝缘纸性能的影响 被引量:12
9
作者 廖瑞金 鄢水强 +3 位作者 杨丽君 袁媛 黄游宇 郑小玲 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期3777-3783,共7页
打浆度是综合反映绝缘纸纤维素被切断、润胀和纤维细化的程度,直接影响电力变压器中油纸复合绝缘性能的重要指标。为探究打浆度对油–纸绝缘系统性能的影响规律,在实验室制备了5个不同打浆度的绝缘纸手抄片,浸油后形成油纸复合绝缘样品... 打浆度是综合反映绝缘纸纤维素被切断、润胀和纤维细化的程度,直接影响电力变压器中油纸复合绝缘性能的重要指标。为探究打浆度对油–纸绝缘系统性能的影响规律,在实验室制备了5个不同打浆度的绝缘纸手抄片,浸油后形成油纸复合绝缘样品,测试了不同打浆度油纸绝缘样品的机械性能和交/直流介电性能。利用扫描电子显微镜对绝缘纸表面和断面的纤维进行了微观形貌观测,研究了现有条件下打浆度对绝缘纸机械性能影响,并结合典型的油纸复合绝缘“纸带”模型,分析了打浆度对绝缘纸绝缘性能的影响规律。结果表明:随着打浆度的增加,纤维的分丝帚化程度增加,并逐渐变短变细,纤维分布更均匀,纤维间连接变紧密,但随着打浆度的持续上升,后期纤维质量受损严重,因此使得绝缘纸机械强度、电气强度呈先上升后下降趋势;内部陷阱能级先降低后增高,相对介电常数和介质损耗先减小后增大。综合认为,5个打浆度中,85°SR打浆度时绝缘纸具有最优的绝缘性能。 展开更多
关键词 打浆度 绝缘纸 介电性能 微观形貌 陷阱能级
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硅烷接枝聚丙烯的直流电性能与陷阱机制 被引量:13
10
作者 彭向阳 姚驰 +3 位作者 余欣 胡世勋 范亚洲 何金良 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期4480-4489,共10页
为研究接枝改性聚丙烯(polypropylene,PP)作为可回收直流电缆绝缘的电气性能及其调控机理,制备了乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane,VTES)接枝改性的聚丙烯,并重点对其常温和高温下的击穿场强、体积电阻率和相关的陷阱特性与机... 为研究接枝改性聚丙烯(polypropylene,PP)作为可回收直流电缆绝缘的电气性能及其调控机理,制备了乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane,VTES)接枝改性的聚丙烯,并重点对其常温和高温下的击穿场强、体积电阻率和相关的陷阱特性与机制进行了测试与分析。实验研究表明:接枝硅烷后的聚丙烯在30℃和90℃两种温度以及电缆绝缘层工作场强的条件下,其电阻率最高提升2~3倍,击穿场强提升接近10%,空间电荷被显著抑制;接枝硅烷可以在材料中引入大量深陷阱。仿真分析表明,接枝硅烷能够在材料中引入较深的电子陷阱能级和较深的静电势阱。陷阱和势阱可以捕获自由载流子,影响电荷输运过程,从而实现电阻率的提升。该文工作可为后续接枝改性聚丙烯直流电缆绝缘材料研究与开发提供参考。 展开更多
关键词 高压直流电缆 聚丙烯 接枝改性 硅烷 直流电阻率 陷阱能级 势阱
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聚酰亚胺薄膜的高场电导特性 被引量:9
11
作者 张沛红 李刚 +1 位作者 盖凌云 雷清泉 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期465-468,共4页
研究了Dupont原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜在10 kV/mm、20 kV/mm电场下电晕老化8 h前后和在不同温度下的高场电导特性.结果表明,原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜老化前的电老化阈值分别为35 kV/mm和45 kV/mm,并随着老化电场的增加而下降.... 研究了Dupont原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜在10 kV/mm、20 kV/mm电场下电晕老化8 h前后和在不同温度下的高场电导特性.结果表明,原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜老化前的电老化阈值分别为35 kV/mm和45 kV/mm,并随着老化电场的增加而下降.随着温度的升高,原始聚酰亚胺薄膜的电老化阈值明显增加,而耐电晕薄膜的电老化阈值略有下降.耐电晕薄膜的电导电流比原始薄膜约大一个数量级.根据空间电荷限制电流与温度的关系,求出原始和耐电晕聚酰亚胺薄膜的陷阱能级分别为0.9 eV和0.7 eV. 展开更多
关键词 有机高分子材料 聚酰亚胺薄膜 电导电流 电老化阈值 陷阱能级
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热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制 被引量:4
12
作者 林元华 南策文 +1 位作者 张中太 王雨田 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期201-206,共6页
利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,S... 利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异. 展开更多
关键词 热释发光 正电子湮灭 长余辉 陷阱能级
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SrAl_2O_4:Eu^(2+)和SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉和热释光谱 被引量:3
13
作者 邓柳咏 胡义华 +2 位作者 王银海 吴浩怡 谢伟 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期257-263,共7页
采用高温固相法在弱还原气氛中,1300°C合成了掺杂Eu^(2+)和Dy^(3+)离子的SrAl_2O_4。对比研究了SrAl_2O_4:Eu^(2+)和SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)的余辉特性和热释光谱,并探讨了Dy^(3+)的掺杂对SrAl_2O_4:Eu^(2+)陷阱能级的影响。XR... 采用高温固相法在弱还原气氛中,1300°C合成了掺杂Eu^(2+)和Dy^(3+)离子的SrAl_2O_4。对比研究了SrAl_2O_4:Eu^(2+)和SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)的余辉特性和热释光谱,并探讨了Dy^(3+)的掺杂对SrAl_2O_4:Eu^(2+)陷阱能级的影响。XRD分析表明:Eu^(2+)和Dy^(3+)的掺杂没有改变SrAl_2O_4的晶相。光致发光分析表明:Dy^(3+)的掺杂没有改变SrAl_2O_4:Eu^(2+)的光致发光光谱和发光中心。热释光谱对比分析结果显示:Eu^(2+)的掺杂在SrAl_2O_4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy^(3+)的掺杂不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善SrAl_2O_4:Eu^(2+)的余辉特性。不同等待时间的热释光谱曲线显示;在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉材料复杂的余辉衰减规律。 展开更多
关键词 材料 陷阱能级 铝酸锶 长余辉 热释光
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燃烧法合成Eu^(2+)、Dy^(3+)、Nd^(3+)共掺杂的硅酸盐长余辉发光材料Sr_2MgSi_2O_7和Sr_2ZnSi_2O_7 被引量:5
14
作者 徐咏钗 宋华杰 +2 位作者 尹盛玉 赵长亮 陈栋华 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期20-22,共3页
采用燃烧法在600~800℃合成了Sr2MgSi2O7:Eu2+、Dy3+、Nd3+,Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+、Nd3+和Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+蓝色长余辉发光材料,对材料进行了XRD、TEM、激发和发射光谱、余辉亮度及余辉衰减的测定.结果表明:稀土离子的掺杂对基质... 采用燃烧法在600~800℃合成了Sr2MgSi2O7:Eu2+、Dy3+、Nd3+,Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+、Nd3+和Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+蓝色长余辉发光材料,对材料进行了XRD、TEM、激发和发射光谱、余辉亮度及余辉衰减的测定.结果表明:稀土离子的掺杂对基质晶体结构没有影响,激发和发射光谱显示它们的光谱性质是Eu2+典型的4f-5d的跃迁所致,对Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+材料,Nd3+的共掺杂有利于提高其余辉性能. 展开更多
关键词 燃烧法 碱土硅酸盐 长余辉 发光 陷阱能级
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不同基质和稀土含量对SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)材料余辉特性的影响 被引量:4
15
作者 王文杰 杨志平 +1 位作者 郭智 朱胜超 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第2期138-142,共5页
用高温固相法在还原气氛中制备了SrAl2 O4 :Eu2 + ,Dy3+ 长余辉发光材料 ,测得了其晶体结构、激发光谱和发射光谱 .在所知的最佳激发条件下 ,给材料以一定的辐照剂量后 ,测得了不同基质浓度、不同稀土掺杂浓度时的热释光谱 ,并计算了相... 用高温固相法在还原气氛中制备了SrAl2 O4 :Eu2 + ,Dy3+ 长余辉发光材料 ,测得了其晶体结构、激发光谱和发射光谱 .在所知的最佳激发条件下 ,给材料以一定的辐照剂量后 ,测得了不同基质浓度、不同稀土掺杂浓度时的热释光谱 ,并计算了相应的陷阱能级深度 .结合不同样品的余辉衰减曲线和热释光曲线进行分析 ,发现Dy3+ 掺入量的变化对材料的余辉性能影响很大 ,而作为基质的铝离子 ,其浓度在一定范围内的变化对材料的余辉性能影响不大 .这与Matsuzawa等人所提出的该材料的余辉机理模型相符 . 展开更多
关键词 长余辉 余辉曲线 热释光 陷阱能级
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温度和电压对双层有机发光二极管复合效率的影响 被引量:2
16
作者 许雪梅 彭景翠 +2 位作者 李宏建 瞿述 赵楚军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期12-14,共3页
提出了双层有机电致发光二极管ITO PPV PBD Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响 :在电压为 6~ 7 5V时 ,复合效率随温度变化出现两个峰值 ,但随着电压升高 ,两峰值相互靠拢 ,当电压达到 9V时 ,峰值位置重叠 ,... 提出了双层有机电致发光二极管ITO PPV PBD Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响 :在电压为 6~ 7 5V时 ,复合效率随温度变化出现两个峰值 ,但随着电压升高 ,两峰值相互靠拢 ,当电压达到 9V时 ,峰值位置重叠 ,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外 ,还由于复合区域发生变化引起的。 展开更多
关键词 双层有机发光二极管 复合效率 温度 电压 缺陷能级 复合区域
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TFEL器件SiO_2加速层载流子加速研究 被引量:2
17
作者 蔡军 楼立人 +3 位作者 夏上达 汪克林 邓振波 徐叙瑢 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期37-41,共5页
通过对薄膜场致发光器件分层结构加速层电子加速过程的研究,提出了缺陷能级辅助电子加速机制.根据陷阱填充动力学模型,定性解释了陷阱填充过程以及电子填充陷阱随电场的变化.通过对加速层载流子输运的分析,探讨了加速层导电机构、... 通过对薄膜场致发光器件分层结构加速层电子加速过程的研究,提出了缺陷能级辅助电子加速机制.根据陷阱填充动力学模型,定性解释了陷阱填充过程以及电子填充陷阱随电场的变化.通过对加速层载流子输运的分析,探讨了加速层导电机构、陷阱能级对输运的影响以及发光亮度与加速层厚度的关系. 展开更多
关键词 加速层 TFEL器件 二氧化硅 载流子 电子加速
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基于等温表面电位衰减法的氧化石墨烯/低密度聚乙烯纳米复合材料陷阱分布特性 被引量:8
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作者 李忠磊 韩晨磊 +1 位作者 赵伟铭 杜伯学 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3583-3590,共8页
聚合物绝缘材料中空间电荷的注入、输运、积聚和消散过程与材料的陷阱特性密切相关。为研究氧化石墨烯(GO)添加对聚乙烯材料陷阱特性的影响,制备了GO质量分数分别为0.001%、0.005%、0.01%、0.02%、0.05%的氧化石墨烯/低密度聚乙烯(LDPE... 聚合物绝缘材料中空间电荷的注入、输运、积聚和消散过程与材料的陷阱特性密切相关。为研究氧化石墨烯(GO)添加对聚乙烯材料陷阱特性的影响,制备了GO质量分数分别为0.001%、0.005%、0.01%、0.02%、0.05%的氧化石墨烯/低密度聚乙烯(LDPE)纳米复合材料,基于等温表面电位衰减(ISPD)法研究了30℃、50℃和70℃下GO/LDPE纳米复合材料的陷阱分布特性。研究发现:GO/LDPE试样均存在2个陷阱能级中心,随GO质量分数从0增加至0.05%,试样陷阱能级呈现先增大后减小的趋势;当GO质量分数为0.01%时,复合材料的深陷阱能级和密度最大;随着温度的升高,复合材料深陷阱中心所捕获的电荷更易发生脱陷过程,从而导致复合材料视在深陷阱能级增大。分析认为,质量分数为0.01%的GO纳米添加可以增大复合材料深陷阱密度,降低载流子迁移率,从而有效抑制电荷向试样内部的迁移过程。 展开更多
关键词 氧化石墨烯 低密度聚乙烯 纳米复合材料 等温表面电位衰减 温度 陷阱能级分布
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长余辉发光材料Zn_2SiO_4:Dy^(3+)的制备及发光性能(英文) 被引量:3
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作者 彭子飞 余军保 +2 位作者 徐捷 周亚丽 刘恒 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2006年第2期47-50,共4页
以Zn_2SiO_4为基质,用高温固相法(ss),sol-gel法(sg)制备得到Zn_2SiO_4:Dy^(3+)长余辉发光材料,该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文献报道.由该发光材料的激发谱发现,其在紫外的235~350nm范围有吸收,其发射光谱表明,在... 以Zn_2SiO_4为基质,用高温固相法(ss),sol-gel法(sg)制备得到Zn_2SiO_4:Dy^(3+)长余辉发光材料,该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文献报道.由该发光材料的激发谱发现,其在紫外的235~350nm范围有吸收,其发射光谱表明,在紫光(378nm,393nm)、橙光(595nm)、红光(691nm)部位有发射峰.通过对比掺杂与未掺杂样品发射光谱,说明样品发光是由基质Zn_2SiO_4产生的,Dy^(3+)的掺杂只是使材料形成了陷阱能级进而发出长余辉,还阐述了Zn_2SiO_4:Dy^(3+)的可能发光机理. 展开更多
关键词 Zn2SiO4:Dy^3+ 制备 长余辉 陷阱能级
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TSC测量技术中存在的若干问题的探讨 被引量:4
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作者 田付强 卜文斌 +3 位作者 杨春 韩柏 王毅 雷清泉 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期21-28,共8页
热刺激电流(TSC)测量技术是研究电介质材料中电荷存贮和输运过程的重要工具。本文介绍了TSC的基本理论,对传统TSC理论和实验方法存在的局限性进行了分析,探讨了TSC应用过程中长期以来所存在的问题以及理论上的误区,并介绍了一些改进的... 热刺激电流(TSC)测量技术是研究电介质材料中电荷存贮和输运过程的重要工具。本文介绍了TSC的基本理论,对传统TSC理论和实验方法存在的局限性进行了分析,探讨了TSC应用过程中长期以来所存在的问题以及理论上的误区,并介绍了一些改进的分析理论和实验思想,拓展和加深了TSC的应用广度和深度。 展开更多
关键词 热刺激电流 局限性 陷阱能级 试验方法和理论的改进
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