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用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声电荷灵敏前置放大器的设计 被引量:4
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作者 刘洋 田华阳 +3 位作者 何高魁 黄小健 郝晓勇 继世梁 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期317-321,共5页
介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PI... 介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PIN探测器配用,采用小型温差电制器制冷至-20℃,对5.9 keV X射线的能量分辨率(FWHM)最好可以达到195 eV。 展开更多
关键词 电荷灵敏 晶体管反馈 低噪声 高分辨率 SI-PIN探测器
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基于双管正激的电容器充电电源控制策略研究 被引量:2
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作者 张辉 林磊 谭林丰 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2017年第2期30-36,共7页
分析了一种变压器二次侧采用二极管全桥不控整流的双管正激型电容器充电电源,其磁复位由直流电源和充电电容共同完成,增加了开关周期内传输的能量。详细分析了电路的工作原理和输出特性,比较了电容器充电过程中传统脉宽调制和开关频率... 分析了一种变压器二次侧采用二极管全桥不控整流的双管正激型电容器充电电源,其磁复位由直流电源和充电电容共同完成,增加了开关周期内传输的能量。详细分析了电路的工作原理和输出特性,比较了电容器充电过程中传统脉宽调制和开关频率调节两种控制方法。指出在恒流充电要求下,基于开关频率调节的控制策略有助于提高充电速率,并通过Matlab/Simulink仿真和实验验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 双管正激变换器 恒流充电 磁复位 开关频率调节
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双管正激变换器Saber仿真应用研究 被引量:1
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作者 范立荣 杨帆 张凯强 《微型机与应用》 2014年第18期86-89,共4页
传统的单管正激变换器由于磁芯复位导致占空比漂移限制,MOSFET承受输入2倍或更多的电源电压,使其应用受到限制,而双管正激变换器具有开关管电压低、无桥臂直通危险、可靠性高及无需外加磁芯复位电路等优点,因而广泛应用在中大功率电路... 传统的单管正激变换器由于磁芯复位导致占空比漂移限制,MOSFET承受输入2倍或更多的电源电压,使其应用受到限制,而双管正激变换器具有开关管电压低、无桥臂直通危险、可靠性高及无需外加磁芯复位电路等优点,因而广泛应用在中大功率电路中。从双管正激变换器的原理入手,在Saber软件平台搭建一个中等功率(200 W^500 W)双管正激变换器模型,并对搭建的变换器模型进行在线实时仿真与修改,最终得到了较为满意的效果。仿真结果不仅验证了前面所述双管正激变换器的优点,而且表明该模型对缩短开发周期、降低设计成本有显著的效果。 展开更多
关键词 双管正激 磁芯复位 SABER
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Reset noise reduction through column-level feedback reset in CMOS image sensors
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作者 李斌桥 徐江涛 +1 位作者 谢爽 孙忠岩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期137-141,共5页
A low reset noise CMOS image sensor (CIS) based on column-level feedback reset is proposed. A feedback loop was formed through an amplifier and a switch. A prototype CMOS image sensor was developed with a 0.18μm CI... A low reset noise CMOS image sensor (CIS) based on column-level feedback reset is proposed. A feedback loop was formed through an amplifier and a switch. A prototype CMOS image sensor was developed with a 0.18μm CIS process. Through matching the noise bandwidth and the bandwidth of the amplifier, with the falling time period of the reset impulse 6μs, experimental results show the reset noise level can experience up to 25 dB reduction. The proposed CMOS image sensor meets the demand of applications in high speed security surveillance systems, especially in low illumination. 展开更多
关键词 CMOS image sensor reset noise feedback reset five-transistor pixel global shutter
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双管箝位正激变换器的无源无损耗缓冲电路分析
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作者 陈永真 孟丽囡 +1 位作者 宁武 张志伟 《电源世界》 2006年第9期9-12,共4页
双管箝位正激变换器是一种常用的电路拓朴。本文详尽地分析了一种双管箝位正激变换器的无源无损耗缓冲电路的工作原理及工作过程,指出正确选择缓冲电路的参数的理论依据。
关键词 双管箝位正激变换器无源 无损耗缓冲电路 复位
原文传递
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