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基于表面改性技术改善黄芩、黄连浸膏粉综合性能及其评价研究 被引量：1
1
作者 郑涛 杨苏皖 +3 位作者 王希晨 张玉 陈静 吕志阳 《中草药》 北大核心 2025年第3期808-818,共11页
目的采用表面改性技术优化黄芩(Scutellariae Radix,SR)、黄连(Coptidis Rhizoma,CR)浸膏粉的综合性能,优选最佳改性剂及改性工艺,为后续制剂开发提供依据。方法制备黄芩、黄连浸膏粉及流浸膏,选择二氧化硅(silicon dioxide,S)、微粉硅... 目的采用表面改性技术优化黄芩(Scutellariae Radix,SR)、黄连(Coptidis Rhizoma,CR)浸膏粉的综合性能,优选最佳改性剂及改性工艺,为后续制剂开发提供依据。方法制备黄芩、黄连浸膏粉及流浸膏,选择二氧化硅(silicon dioxide,S)、微粉硅胶(micronized silica gel,M)、羟丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose,H)3种改性剂,采用表面包覆(surface cladding,SC)和微囊化包衣(microencapsulation coating,MC)2种改性技术分别制备改性浸膏粉。测定各浸膏粉的吸湿率(H)、含水量(HR)、休止角(α)、松密度(D_(a))、振实密度(D_(c))、豪斯纳比(IH)、卡尔指数(IC)、间隙率(I_(e))、中值径(D_(50))、粒径分布宽度(span)、粒径范围(width)及比表面积(SSA)总计12个二级指标,进行归一化处理,绘制物理指纹图谱并进行相似度分析。将二级指标转换成均一性、堆积性、流动性、可压性和稳定性共5个一级指标,采用熵权-变异系数法获得权重系数,并计算各浸膏粉综合性能评分。选用主成分分析法(principal component analysis,PCA)评价各二级指标对浸膏粉综合性能的贡献率,针对影响浸膏粉均一性最为显著的D_(50)进行偏最小二乘法(partialleast squares,PLS)分析,明确各二级指标与其相关性。结果SC和MC改性技术,制备获得SR、CR浸膏粉及6种改性浸膏粉,各浸膏粉二级指标归一化处理,绘制物理指纹图谱。相似度研究得出:黄芩SR与SC改性组SR-SC-S、SR-SC-M、SRSC-H的相似度分别为0.977、0.971、0.978;SR与囊化包衣改性组SR-MC-S、SR-MC-M、SR-MC-H的相似度分别为0.717、0.739和0.693。黄连CR与SC改性组CR-SC-S、CR-SC-M、CR-SC-H的相似度分别为0.904、0.902和0.955,CR与囊化包衣改性组CR-MC-S、CR-MC-M、CR-MC-H浸膏粉的相似度分别为0.729、0.737和0.716。MC改性的SR、CR与未改性浸膏粉相比具有显著性差异,羟丙甲基纤维素改性剂差异最显著,SC改性工艺改性组效果不明显,无显著性差异。熵权变异系数法计算得出,黄芩耦合权重系数wjSR:稳定性(0.1210)、均一性(0.4840)、流动性(0.1867)、堆积性(0.0990)、可压性(0.1093);黄连耦合权重系数wjCR:稳定性(0.0134)、均一性(0.3941)、流动性(0.1731)、堆积性(0.2885)、可压性(0.1309)。浸膏粉性能综合性能评分结果显示,黄芩SR浸膏粉综合性能评分49.13,MC改性SR-MC-H、SR-MC-M、SR-MC-S综合性能评分分别为62.90、61.78、61.64,相比具显著差异,SR-MC-H综合性能评分较浸膏粉提高了28.0%,改性最佳,SC改性效果略差。黄连CR浸膏粉综合性能评分为50.21,MC改性综合性能评分均大于61.00,与浸膏粉相比差异具有显著性,CR-MC-H综合性能评分61.68,较未改性组提高了22.8%,效果最佳,SC改性,二氧化硅及微粉硅胶组浸膏粉综合性能评分分别为56.35、56.25,也有显著性差异。PCA结果表明α、SSA、HR、width、span这5个二级指标对SR、CR浸膏粉综合性能贡献率较大。针对D_(50)进行PLS分析,得出width、span、H及D_(c)等指标对浸膏粉D_(50)影响较为显著。结论表面改性技术可提高黄芩、黄连浸膏粉的综合性能,MC改性工艺改性效果较好,羟丙基甲基纤维素作为改性剂综合性能评分最高。 展开更多
关键词 黄芩 黄连 浸膏粉 物理指纹图谱 表面包覆 微囊化包衣 改性技术 熵权-变异系数法 羟丙基甲基纤维素
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基于表面改性技术改善葛根芩连方浸膏粉综合性能及其评价
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作者 吕志阳 张玉 +3 位作者 杨苏皖 王希晨 陈静 杨雨微 《中草药》 北大核心 2025年第13期4634-4642,共9页
目的采用表面改性技术优化葛根芩连方(Gegen Qinlian Compound,GQC)浸膏粉综合性能,筛选最佳改性剂及改性工艺,为制剂开发提供指导。方法利用球磨机(ball mill,BM)和喷雾干燥(spray drying,SD)包覆改性技术,选用二氧化硅(SiO_(2))、乙... 目的采用表面改性技术优化葛根芩连方(Gegen Qinlian Compound,GQC)浸膏粉综合性能,筛选最佳改性剂及改性工艺,为制剂开发提供指导。方法利用球磨机(ball mill,BM)和喷雾干燥(spray drying,SD)包覆改性技术,选用二氧化硅(SiO_(2))、乙基纤维素(ethylcellulose,EC)、硬脂酸镁(magnesium stearate,ST)3种改性剂,制备GQC改性浸膏粉(分别编号为GQC/BM-SiO_(2)、GQC/BM-EC、GQC/BM-ST和GQC/SD-SiO_(2)、GQC/SD-EC、GQC/SD-ST)。测定改性前后GQC浸膏粉的吸湿率(H)、含水量(HR)、休止角(α)、松密度(Da)、振实密度(Dc)、豪斯纳比(IH)、卡尔指数(IC)、间隙率(Ie)、中值径(D_(50))、粒径分布宽度(span)、粒径范围(width)及比表面积(SSA)总计12个二级指标,绘制物理指纹图谱,进行相似度分析。将各二级指标转换为5个一级指标,采用熵权-变异系数法确定权重,计算浸膏粉综合性能评分,筛选最优方案,扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察粒子表面形态结构变化。主成分分析(principal component analysis,PCA)法评价二级指标贡献率,偏最小二乘分析(partial least squares analysis,PLSA)法分析关键指标H、SSA的相关性。结果获得GQC浸膏粉及其6组改性浸膏粉(GQC/BM-SiO_(2)、GQC/BM-EC、GQC/BM-ST和GQC/SD-SiO_(2)、GQC/SD-EC、GQC/SD-ST),绘制物理指纹图谱并计算相似度。BM改性时,与未改性GQC浸膏粉相比,GQC/BM-SiO_(2)、GQC/BM-ST、GQC/BM-EC的相似度分别为0.953、0.920、0.969,改性不明显;SD改性时,与未改性GQC浸膏粉相比,GQC/SD-SiO_(2)、GQC/SD-ST、GQC/SD-EC的相似度分别为0.477、0.449、0.439,改性效果好。一级指标权重系数为流动性0.1048,积聚性0.1341,压缩性0.1110,稳定性0.1331,均匀性0.5170。BM组中,GQC/BM-ST综合评分最高,为50.54,提高了18.92%;SD组改性后综合评分均值为62.65,提高了47.41%,GQC/SD-ST效果最佳,为63.21。SEM显示,硬脂酸镁改性剂均匀包覆浸膏粉表面,粒子表面光滑,大小均匀,圆整度高。PCA显示,IH、D_(50)、span、width、SSA贡献率大。PLSA显示,H与α、IC、width、IH、D_(50)、span、SSA关联显著,与粉体密度相关;SSA与D_(50)、width、span关联显著,粒径及跨距影响最大。结论表面改性技术可提高GQC浸膏粉综合性能,SD改性效果较好,硬脂酸镁改性剂评分最高,为制剂开发提供参考。 展开更多
关键词 中药浸膏粉 葛根芩连方 表面改性技术 物理指纹图谱 熵权变异系数法 偏最小二乘分析 主成分分析 二氧化硅 乙基纤维素 硬脂酸镁 喷雾干燥
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用颗粒表面改性技术制备掺锰Y-BaTiO_3PTCR陶瓷 被引量：2
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作者 王兰义 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第1期21-23,共3页
颗粒表面改性技术的主要原理是通过一定的处理方法，在粉体颗粒上包裹一层欲掺杂元素的可溶性盐，并通过煅烧合成，制得颗粒表面改性的粉体。这种技术作为晶界控制的尝试，是一种具有重大意义的新的陶瓷粉体制备技术。用这种技术制备的... 颗粒表面改性技术的主要原理是通过一定的处理方法，在粉体颗粒上包裹一层欲掺杂元素的可溶性盐，并通过煅烧合成，制得颗粒表面改性的粉体。这种技术作为晶界控制的尝试，是一种具有重大意义的新的陶瓷粉体制备技术。用这种技术制备的掺锰Ｙ－ＢａＴｉ３ＰＴＣＲ陶瓷比用传统固相法制备出的同种ＰＴＣＲ陶瓷。 展开更多
关键词 颗粒表面改性 钛酸钡陶瓷 正电阻温度系数
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射频前端CMOS有源混频器的设计
4
作者 李桂琴 宋树祥 +2 位作者 岑明灿 刘国伦 张泽伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期57-62,共6页
混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一... 混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一个电感,消除寄生电容,减小间接开关机理闪烁噪声。本电路采用TSMC 180 nm RF CMOS工艺,在1. 2 V的工作电压下,Cadence软件仿真验证表明,射频频率为2. 4 GHz,本振频率为2. 39 GHz,中频频率为10 MHz时,所设计的混频器的转换增益为28. 4 d B,噪声系数为8 d B,线性度(输入三阶交调点IIP3)为10 d Bm,功耗为6. 86 mW,混频器的整体性能指标均得到了提高,满足射频前端的应用需求。 展开更多
关键词 混频器 跨导系数修正技术 吉尔伯特 电流注入 转换增益 线性度
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