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T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究
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作者 倪志远 白霖 +2 位作者 林罡 鲍诚 章军云 《电子技术应用》 2025年第4期40-44,共5页
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅... 对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析,为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。 展开更多
关键词 GaN HEMT T型栅 ESD 栅脚栅帽 总栅宽
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沟道宽度对H栅DSOI NMOSFET电离总剂量效应影响
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作者 杨弘毅 郑齐文 +2 位作者 崔江维 李豫东 郭旗 《微电子学》 北大核心 2025年第1期1-8,共8页
针对H栅结构双埋氧层绝缘体上硅(Double Silicon-On-Insulator,DSOI)NMOS器件,观察到不同沟道宽度下的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)响应存在差异,宽沟道器件在电参数的退化上更加显著,对亚阈值分离技术与直流电流电压技术提取... 针对H栅结构双埋氧层绝缘体上硅(Double Silicon-On-Insulator,DSOI)NMOS器件,观察到不同沟道宽度下的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)响应存在差异,宽沟道器件在电参数的退化上更加显著,对亚阈值分离技术与直流电流电压技术提取出的陷阱电荷密度进行研究,结果表明,沟道宽度与氧化物陷阱电荷密度具有正相关的趋势,界面陷阱电荷密度则随沟道宽度增大而减小,TG偏置下不同沟道宽度器件中的电场差异是导致辐射诱导氧化物陷阱电荷密度不同的主要原因,并且氧化物陷阱电荷的积聚形成的静电势垒会影响界面陷阱电荷产生。 展开更多
关键词 电离总剂量效应 H栅结构 沟道宽度 DSOI 陷阱电荷
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平原区水闸闸孔净宽的简化计算
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作者 刘红伟 窦洪国 《江西水利科技》 2025年第4期285-289,共5页
根据平原区无底槛平底水闸的结构型式和过闸流态,在水力学实际液体恒定总流能量方程理论的基础上,对水闸过流边界条件进行合理的假定,对某些参数进行合理的简化,以上下游水头差为主要因素,推导出一套闸孔总净宽计算的简化公式。经复核,... 根据平原区无底槛平底水闸的结构型式和过闸流态,在水力学实际液体恒定总流能量方程理论的基础上,对水闸过流边界条件进行合理的假定,对某些参数进行合理的简化,以上下游水头差为主要因素,推导出一套闸孔总净宽计算的简化公式。经复核,公式计算结果精确可靠,可直接应用于水闸设计,提高设计效率。 展开更多
关键词 无槛平底闸 闸孔总净宽 水力学 水头差 水头损失
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节制闸闸孔总净宽的计算与研究 被引量:6
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作者 冯庆刚 《水利科技与经济》 2012年第4期16-18,共3页
通过对南水北调东线一期工程鲁北段小运河输水工程的设计实践发现,输水河道上的节制闸闸孔总净宽的确定,不仅与河道上下游水位差及过闸流量有关,还应考虑闸室总宽度和河道总宽度的关系。
关键词 节制闸 闸孔总净宽 过闸水位差 闸室总宽度 河道总宽度
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Reduction of THD in Thirteen-Level Hybrid PV Inverter with Less Number of Switches
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作者 Natesan Sivakumar S. Sumathi 《Circuits and Systems》 2016年第10期3403-3414,共12页
Multilevel inverter (MLI) is one of the most efficient power converters which are especially suited for high power applications with reduced harmonics. MLI not only achieves high output power and is also used in renew... Multilevel inverter (MLI) is one of the most efficient power converters which are especially suited for high power applications with reduced harmonics. MLI not only achieves high output power and is also used in renewable energy sources such as photovoltaic, wind and fuel cells. Among various topologies of MLI, this paper mainly focuses on cascaded MLI with three unequal DC sources called asymmetric cascaded MLI which reduces the number of power switches. Various modulation techniques are also reviewed in literature [1]. In this paper we focus on sinusoidal (or) multicarrier pulse width modulation (SPWM) which improves the output voltage at lower modulation index for obtaining lower Total Harmonic Distortion (THD) level. The gating signal for the 13-level hybrid inverter using SPWM technique is generated using Field Programmable Gate Array (FPGA) processor. The proposed modulation technique results in reduced percentage of THD, but lower order harmonics are not eliminated. So a new technique called Selective Harmonic Elimination (SHE) is also implemented in order to reduce the lower order harmonics. The optimum switching angles are determined for obtaining minimum THD. The performance evaluation of the proposed PWM inverter is verified using an experimental model of 13-level cascaded hybrid MLI and compared with MATLAB/SIMULINK model. 展开更多
关键词 Asymmetric Cascaded Multi Level Inverter (ACMLI) total Harmonic Distortion (THD) Sinusoidal Pulse width Modulation (SPWM) Field Programmable gate Array (FPGA) Selective Harmonic Elimination (SHE)
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