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可级联的压控晶闸管同步驱动电路
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作者 王文东 吴朝阳 +2 位作者 王淦平 吴编 杨周炳 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期136-139,共4页
针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和... 针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和低压供电条件下快前沿输出的问题;其次,通过计算和仿真确定了电路参数和主要器件选型;最后,使用6级串联的MCT作为放电开关搭建了测试电路,在充电电压8.4 kV、工作重复频率20 Hz条件下,4Ω电阻负载上获得了幅值为1.958 kA的准方波脉冲电流。 展开更多
关键词 驱动电路 MOS栅控晶闸管 串联 同步 准方波脉冲
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基于MCT集成封装的低电感爆炸箔起爆系统设计与放电性能研究 被引量:1
2
作者 张腾 张玉若 +2 位作者 梁车平 何强 牛犇 《火工品》 北大核心 2025年第5期51-55,共5页
为解决传统爆炸箔起爆系统(EFIs)的高电感、大体积和低能量利用率问题,提出一种基于MOS控制晶闸管(MCT)集成封装的低电感EFI设计。该设计通过将MCT与EFI一体化封装,缩短了放电回路,结合电容放电单元(CDU)优化,有效降低了系统寄生参数。... 为解决传统爆炸箔起爆系统(EFIs)的高电感、大体积和低能量利用率问题,提出一种基于MOS控制晶闸管(MCT)集成封装的低电感EFI设计。该设计通过将MCT与EFI一体化封装,缩短了放电回路,结合电容放电单元(CDU)优化,有效降低了系统寄生参数。实验显示,集成式设计电感降至44 nH,放电周期缩短至841 ns,性能优于分装式设计。在800 V电压下,集成式CDU峰值电流达1283 A,较分装式提高3.9%,放电效率提升。实验验证了该设计在降低发火能量、缩小体积和提升可靠性方面的优势,为高精度起爆系统的小型化与高效能化提供新思路。 展开更多
关键词 爆炸箔起爆系统 MOS控制晶闸管 集成封装 低电感设计 放电特性
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可控关断逆阻型IGCT换流阀研制
3
作者 刘磊 卢宇 +1 位作者 黄宇 谢晔源 《电力电子技术》 2025年第2期27-30,39,共5页
基于大功率晶闸管构成的电流源型换流器在HVDC工程中得到广泛应用,由于晶闸管的固有关断特性,当交流系统电压跌落时会引发换相失败问题,这将导致直流功率波动、甚至直流闭锁,威胁电网安全稳定运行。为了解决换相失败问题,首先基于逆阻... 基于大功率晶闸管构成的电流源型换流器在HVDC工程中得到广泛应用,由于晶闸管的固有关断特性,当交流系统电压跌落时会引发换相失败问题,这将导致直流功率波动、甚至直流闭锁,威胁电网安全稳定运行。为了解决换相失败问题,首先基于逆阻型集成门极换流晶闸管(RB-IGCT)构建了新型换流器,提出了这种换流器的两种运行模式,设计了可控关断RB-IGCT换流器控制系统,并基于所设计的控制系统提出了换流器换相工作时序。其次采用6英寸RB-IGCT设计了换流阀,并提出了IGCT驱动单元的设计方案。最后搭建了换流阀运行试验系统,完成了RB-IGCT换流阀样机研制和验证,通过试验验证了换流阀设计的合理性。所提成果可为后续RB-IGCT在HVDC工程中的应用提供有力支撑。 展开更多
关键词 换流器 可控关断 逆阻型集成门极换流晶闸管
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电网故障下晶闸管控制型移相器穿越策略
4
作者 李鹏 林金娇 陈实 《电力工程技术》 北大核心 2025年第4期128-137,共10页
晶闸管控制型移相器(thyristor controlled phase shifting transformer, TCPST)是一种新型潮流控制设备,其串并联耦合拓扑及接入电网方式特殊,须考虑其在电网故障情况下的处理策略。文中基于TCPST的结构及原理,分析电网故障冲击对TCPS... 晶闸管控制型移相器(thyristor controlled phase shifting transformer, TCPST)是一种新型潮流控制设备,其串并联耦合拓扑及接入电网方式特殊,须考虑其在电网故障情况下的处理策略。文中基于TCPST的结构及原理,分析电网故障冲击对TCPST的影响,明确TCPST内部故障电流分布和过电流、过励磁特征。在此基础上,提出TCPST应对电网故障冲击的穿越控制策略,构建TCPST接入电网的故障状态识别判据和控制时序,通过电气特征量对TCPST区内外故障和电网故障恢复状态进行识别,实现TCPST故障退出时序及自动重启,通过TCPST暂时退出保护电网严重故障情况下的设备安全。对文中所提TCPST故障穿越策略开展仿真验证,结果表明该策略可实现TCPST在电网故障时的可靠穿越,有效提升TCPST可用率,保证其潮流调节作用得以充分发挥。 展开更多
关键词 晶闸管控制型移相器(TCPST) 晶闸管控制开关 旁路开关 故障穿越 自动重启 故障恢复
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晶闸管可控移相器继电保护策略研究
5
作者 李鹏 陈实 林金娇 《电网与清洁能源》 北大核心 2025年第5期12-21,共10页
基于晶闸管可控移相器的拓扑与等值电路,推导得出其正常运行时的电流等幅特性。基于等幅特性提出幅值差动保护判据,根据磁链平衡原理提出了串联变压器和并联变压器差动保护判据,基于基尔霍夫电流定律提出可控移相器绕组差动保护判据,并... 基于晶闸管可控移相器的拓扑与等值电路,推导得出其正常运行时的电流等幅特性。基于等幅特性提出幅值差动保护判据,根据磁链平衡原理提出了串联变压器和并联变压器差动保护判据,基于基尔霍夫电流定律提出可控移相器绕组差动保护判据,并构建了可控移相器主保护策略。分析了旁路开关偷合和晶闸管控制回路故障异常工况下的暂态特性,制定了针对异常工况保护策略,以及绕组过压过流后备保护配置方案,各保护范围相互重叠,构成了可控移相器继电保护策略。仿真模拟了不同位置故障,仿真结果表明,所配置的可控移相器继电保护策略均可有效反应可控移相器区内可能发生的各种类型故障,从而验证了该保护策略的完备性和有效性。 展开更多
关键词 可控移相器 电流等幅特性 差动保护 串联变压器 并联变压器
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基于STM32单片机的马弗炉温度控制器设计
6
作者 李响 刘伟 +2 位作者 徐浩翔 孟令尚 冯成泽 《机电工程技术》 2025年第2期138-142,共5页
为提高马弗炉的温度控制精度和稳定性,针对工业加热炉温控需求,开发了一款基于STM32单片机的温度控制器。通过精密的温度传感器采集炉内及样品室的温度数据,并利用模拟数字信号转换器将所采集的模拟信号转换为数字信号,传输至STM32单片... 为提高马弗炉的温度控制精度和稳定性,针对工业加热炉温控需求,开发了一款基于STM32单片机的温度控制器。通过精密的温度传感器采集炉内及样品室的温度数据,并利用模拟数字信号转换器将所采集的模拟信号转换为数字信号,传输至STM32单片机进行处理。温度的调节通过可控硅调压技术实现,以精确控制加热功率。采用MATLAB软件建立数学模型,并基于此模型确定了最优PID控制策略。实验结果表明,相较于传统的单回路PID控制,采用串级PID控制策略能显著提高温度控制的精度和稳定性,证明了所设计控制器在实现马弗炉精确温控方面的有效性和优越性。不仅明显提升了马弗炉的温度控制性能,也为类似的工业温度控制应用提供了可靠的技术方案,展示了明显的创新性和应用价值。此项研究成果对于推动高精度、高稳定性温度控制技术在工业领域的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 温度控制 串级PID STM32 可控硅
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压控型脉冲功率半导体器件技术及应用 被引量:5
7
作者 孙瑞泽 陈万军 +3 位作者 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期94-102,共9页
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、... 近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。 展开更多
关键词 脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 MOS栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲
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单相桥式全控整流电路晶闸管续流问题分析 被引量:1
8
作者 袁亚洲 舒畅 +2 位作者 董军阳 谢志平 杨玲 《电气技术》 2024年第10期36-41,共6页
本文以晶闸管单相桥式全控整流电路为研究对象,简述单相整流桥的工作原理及其特点,分析续流电阻在整流电路中的作用,分别从整流桥整流和逆变两种状态入手,研究续流电阻在不同工况下的工作原理及其对电路输出波形的影响,并通过Matlab仿... 本文以晶闸管单相桥式全控整流电路为研究对象,简述单相整流桥的工作原理及其特点,分析续流电阻在整流电路中的作用,分别从整流桥整流和逆变两种状态入手,研究续流电阻在不同工况下的工作原理及其对电路输出波形的影响,并通过Matlab仿真和现场试验对续流电阻的作用进行验证,以期为工程现场续流电阻的准确选取提供依据。 展开更多
关键词 单相全控整流 晶闸管整流 续流 逆变
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晶闸管和IGBT混合的三相电机两相变频控制策略 被引量:3
9
作者 谢仕宏 梁荣茂 梁力 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第2期252-259,共8页
现有三相交直交变频电路中大多使用IGBT作为电力电子器件,为了进一步降低低压大容量变频器设备成本,减少IGBT的使用,提出了一种晶闸管和IGBT混合的三相电机两相变频电路结构及四开关八电压矢量直接转矩控制策略.首先分析了利用IGBT辅助... 现有三相交直交变频电路中大多使用IGBT作为电力电子器件,为了进一步降低低压大容量变频器设备成本,减少IGBT的使用,提出了一种晶闸管和IGBT混合的三相电机两相变频电路结构及四开关八电压矢量直接转矩控制策略.首先分析了利用IGBT辅助晶闸管关断的三相电机两相变频电路结构,并分析了不同开关状态下的瞬时电路工作原理,给出三相四开关拓扑下的八电压矢量生成方法;其次提出四开关八矢量异步电机直接转矩控制策略,并给出扇区划分、电压矢量选择和电压矢量伏秒生成原理;最后通过仿真实验验证所提策略的正确性和可行性.仿真结果验证了上述电路结构和控制方法的有效性. 展开更多
关键词 三相电机 两相变频 晶闸管 八电压矢量 直接转矩控制
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高压快速光控脉冲晶闸管的设计与实现 被引量:1
10
作者 王凌云 刘宏伟 +2 位作者 袁建强 谢卫平 颜家圣 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第23期7566-7576,共11页
为提升功率半导体开关器件的峰值功率及开通速度,将晶闸管与光导开关(PCSS)的优势进行结合,设计了一种高压光控脉冲晶闸管器件,实验及分析中发现光生载流子横向扩展速度较慢,易诱发电流集中效应,从而导致器件失效,开关的导通速度也难以... 为提升功率半导体开关器件的峰值功率及开通速度,将晶闸管与光导开关(PCSS)的优势进行结合,设计了一种高压光控脉冲晶闸管器件,实验及分析中发现光生载流子横向扩展速度较慢,易诱发电流集中效应,从而导致器件失效,开关的导通速度也难以进一步提升。在此基础上继续进行改进,提出大面积分散的阵列式门极结构,并采用激光二极管阵列、大电流脉冲强驱动等技术,大幅度提升了注入功率与均匀性。为了与阵列式门极图形匹配,设计了5×3阵列光源,使驱动的光功率峰值达到1 200W,波长为905nm。基于传统硅基μm级工艺平台,流片了23 mm开关芯片,完成了激光二极管阵列与开关的一体化封装。开关实现了工作电压8.5 kV、输出电流6 kA、开通峰值功率50 MW的工作特性,测试di/dt达到55 kA/μs,验证了该文设计的具有高工作电压、高隔离电压、快导通速度特性的新型光控脉冲晶闸管的有效性和可行性。此外,该文探讨了光控脉冲晶闸管结构提升脉冲性能的两种技术路径分别是提升驱动注入的峰值功率和均匀性。采用光控阵列式驱动和阵列式门极的技术路线,可有效地解决电控晶闸管、传统光控晶闸管(LTT)、单门极光控脉冲晶闸管的缺陷,显著提高器件的性能水平。 展开更多
关键词 脉冲晶闸管 光控 快速 阵列式门极 激光二极管阵列
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用于直流可控避雷器的晶闸管控制单元设计 被引量:4
11
作者 王俊 汪涛 +4 位作者 骆仁松 李乐乐 王德昌 刘磊 高岩峰 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期121-128,共8页
基于晶闸管的直流可控避雷器是混合级联特高压直流输电系统的关键设备,而晶闸管控制单元(thyristor control unit,TCU)作为其核心开关器件晶闸管的驱动控制装置,对于直流可控避雷器晶闸管的可靠运行起到十分重要的作用。直流可控避雷器... 基于晶闸管的直流可控避雷器是混合级联特高压直流输电系统的关键设备,而晶闸管控制单元(thyristor control unit,TCU)作为其核心开关器件晶闸管的驱动控制装置,对于直流可控避雷器晶闸管的可靠运行起到十分重要的作用。直流可控避雷器的晶闸管工作在高压直流的条件下,其TCU的设计有别于常见的工作于交流电压条件下的晶闸管阀。文中首先介绍了直流可控避雷器的工作原理,接着分析了可控避雷器晶闸管TCU的工作原理,将TCU分为五大电路功能模块,并给出了各个电路功能模块的设计方案,实现了直流工况下晶闸管的触发控制。根据某实际工程直流可控避雷器提出的TCU设计需求,设计了样机,并通过试验验证了设计的合理性。 展开更多
关键词 可控避雷器 TCU 直流取能 晶闸管
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双芯IGCT浪涌电流鲁棒性研究 被引量:1
12
作者 鲁一苇 姚德贵 +3 位作者 董曼玲 肖超 陈涛 杨武华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期234-239,245,共7页
作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减... 作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减小。在此基础上,分析了寿命控制技术对Dual IGCT浪涌鲁棒性的影响。结果表明,增大GCT-B的载流子寿命可以提高器件的浪涌鲁棒性,但同时会增大器件的功耗;而在对GCT-B进行载流子寿命控制时,引入具有较大寿命对温度依赖系数的复合中心,可以有效提高Dual IGCT浪涌电流鲁棒性,同时不影响器件的其他性能。最后,提出了一种工艺成本较低的阳极短路Dual IGCT新结构,其在浪涌电流下的晶格温升与传统的Dual IGCT相比大幅减小(约150 K),呈现出极高的抗浪涌能力。 展开更多
关键词 双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT) 浪涌电流 寿命控制 复合中心 鲁棒性
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模拟换流阀长期运行工况的高压大功率晶闸管电热联合老化系统研制 被引量:2
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作者 刘隆晨 张康 +2 位作者 喻悦箫 庞磊 贾志杰 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2024年第2期20-28,共9页
近年来国内多个直流换流站发生严重事故,经调查发现事故起因多为长时间运行的换流阀晶闸管发生不同程度的老化甚至绝缘能力丧失。掌握晶闸管参数退化规律是开展晶闸管运维监测、预防此类事故继续发生的基础。因此为了深入了解换流阀晶... 近年来国内多个直流换流站发生严重事故,经调查发现事故起因多为长时间运行的换流阀晶闸管发生不同程度的老化甚至绝缘能力丧失。掌握晶闸管参数退化规律是开展晶闸管运维监测、预防此类事故继续发生的基础。因此为了深入了解换流阀晶闸管老化过程中特性参数退化规律与老化机理,首先需要搭建试验所需的模拟换流阀运行过程的晶闸管老化试验装置。文中首先分析了换流阀晶闸管的实际运行工况,并基于此设计了晶闸管电热联合老化主电路,接着对电路中涉及到的控制单元,包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的驱动电路与晶闸管的触发电路进行设计与搭建,并基于晶闸管的实际运行工况设计了晶闸管结温控制系统。为了获得晶闸管老化过程中特性参数的退化规律,设计了晶闸管漏电流在线监测系统与反向恢复离线测量系统。经过检验,各个模块以及主电路均能够保持长期稳定运行,为换流阀晶闸管的老化试验打下了良好基础。 展开更多
关键词 换流阀晶闸管 老化试验装置 驱动电路 结温控制 特性参数
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一种晶闸管LED调光控制方法及调光电路设计
14
作者 林为 胡昌吉 +1 位作者 李姗 梁水英 《电工技术》 2024年第20期11-13,16,共4页
利用传统晶闸管调光技术对LED光源进行调光存在诸多缺点,对此提出一种晶闸管LED调光控制方法及调光电路。利用晶闸管调光器输出的模拟调光电压控制电源(反激变换器)芯片的开通和关断,将斩波交流电的模拟信号转变为输出到LED的周期性方波... 利用传统晶闸管调光技术对LED光源进行调光存在诸多缺点,对此提出一种晶闸管LED调光控制方法及调光电路。利用晶闸管调光器输出的模拟调光电压控制电源(反激变换器)芯片的开通和关断,将斩波交流电的模拟信号转变为输出到LED的周期性方波(PWM)电流,从而实现晶闸管调光器对LED的数字调光。最后给出了具体的电路及设计建议,并通过仿真进行了初步验证。 展开更多
关键词 晶闸管调光 LED 控制芯片 恒流 PWM
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特高压分级式可控高抗的集约化设计与应用 被引量:1
15
作者 喻劲松 史英 +3 位作者 赵波 魏宏 王学启 赵阳 《电力电容器与无功补偿》 2024年第4期54-62,共9页
特高压分级式可控高抗(HCSR)解决了固定高抗在限制过电压和无功补偿方面无法兼顾的矛盾,其系统调控的灵活性高,为特高压交流电网的安全、稳定运行提供了保障。HCSR各个分设备不仅具有特高压设备重量重、体积大、结构复杂等特点,分设备... 特高压分级式可控高抗(HCSR)解决了固定高抗在限制过电压和无功补偿方面无法兼顾的矛盾,其系统调控的灵活性高,为特高压交流电网的安全、稳定运行提供了保障。HCSR各个分设备不仅具有特高压设备重量重、体积大、结构复杂等特点,分设备之间的集成设计、绝缘配合均会导致建设用地需求大幅增加,这与国家严控建设用地增量的政策存在偏差。为此,本文充分考虑户外环境因素的影响,合理利用立体化空间设计理念,创新性提出了取能电抗器区域转接母线垂直设计,以及成套装置局部GIS设计的集约化设计方案。在合理控制设备和工程建设成本的前提下,优化解决了其粗放型使用建设用地的问题。采用集约化设计后,HCSR占地可节约25%左右,效果显著。 展开更多
关键词 分级式可控高抗 辅助电抗 晶闸管阀 旁路开关 集约化设计
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基于自耦变压器结构的双调节式矿用消弧线圈研究
16
作者 王曦 《科技创新与应用》 2024年第34期118-123,共6页
该文设计一种带有三次绕组的自耦变压器结构矿用消弧线圈,二次绕组接晶闸管投切电容电路,第三绕组具有高短路阻抗特性,输出端接反并联晶闸管,对消弧线圈进行细调。通过系统双调节回路的协调控制,可实现变压器消弧线圈的大范围连续调节... 该文设计一种带有三次绕组的自耦变压器结构矿用消弧线圈,二次绕组接晶闸管投切电容电路,第三绕组具有高短路阻抗特性,输出端接反并联晶闸管,对消弧线圈进行细调。通过系统双调节回路的协调控制,可实现变压器消弧线圈的大范围连续调节。对消弧线圈的运行参数、控制策略以及调谐方法进行深入的研究分析。这种消弧线圈具有响应速度快、连续调节范围宽、谐波小、伏安特性好及补偿精度高等优点。MATLAB仿真验证新型矿用消弧线圈的合理性和优越性。 展开更多
关键词 配电网 单相接地故障 消弧线圈 晶闸管投切电容 可控电抗
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基于CMC芯片的充退磁控制器设计
17
作者 魏彬 丁文晖 +3 位作者 陈定定 林日峰 傅正珂 黄宇 《仪器仪表标准化与计量》 2024年第5期21-23,45,共4页
本文介绍了一种新型充退磁控制器,该充退磁控制器以国内自主研发的CMC芯片为主控芯片进行开发,支持采用满足IEC 61131-3《可编程逻辑控制器》标准的5种编程语言进行客户程序开发。本文介绍了该充退磁控制器的工作原理、主要结构以及主... 本文介绍了一种新型充退磁控制器,该充退磁控制器以国内自主研发的CMC芯片为主控芯片进行开发,支持采用满足IEC 61131-3《可编程逻辑控制器》标准的5种编程语言进行客户程序开发。本文介绍了该充退磁控制器的工作原理、主要结构以及主要功能。该充退磁控制器支持多级模块扩展,实现多路磁板的充退磁控制。经测试验证,该控制器通过PWM波控制晶闸管通断,可完成精准的充退磁控制逻辑,使被控磁板产生稳定的磁力,响应迅速。 展开更多
关键词 CMC芯片 充退磁控制器 扩展 晶闸管
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基于电力模拟信号的井式电炉启动控制方法研究
18
作者 邓亚伟 王康 +1 位作者 戴明明 杜海红 《工业加热》 CAS 2024年第8期16-21,共6页
井式电炉启动过程需要快速将温度升至设定值,以满足生产需求。然而,由于受电炉电流和转速等因素的限制,会导致超调量较大的问题出现。为了降低井式电炉启动控制超调量,提出一种基于电力模拟信号的井式电炉启动控制方法。电力调整器利用... 井式电炉启动过程需要快速将温度升至设定值,以满足生产需求。然而,由于受电炉电流和转速等因素的限制,会导致超调量较大的问题出现。为了降低井式电炉启动控制超调量,提出一种基于电力模拟信号的井式电炉启动控制方法。电力调整器利用信号采集器采集井式电炉转速与电流的电力模拟信号,并通过A/D转换单元将其变为数字信号;微处理器利用增量式比例、积分、微分控制技术,结合数字信号,输出井式电炉启动控制信号;晶闸管驱动单元接收井式电炉启动控制信号后,驱动交流晶闸管,调整晶闸管导通角,启动井式电炉;利用电流检测单元,实时检测井式电炉启动电流,当启动电流过大时,利用过载/短路保护单元,关断晶闸管,防止晶闸管过热损坏;当启动电流正常时,利用其恢复电力调整器的井式电炉启动控制功能。实验证明:该方法可有效实现井式电炉启动控制,且井式电炉启动过程平稳;当突加负载时,该方法的井式电炉启动控制超调量较小,具备较优的井式电炉启动控制性能。 展开更多
关键词 电力调整器 井式电炉 启动控制 智能仪表 增量式PID 晶闸管
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反应堆控制棒控制系统MDP卡件故障探析
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作者 李艺 《电子技术应用》 2024年第S2期63-68,共6页
反应堆控制棒控制系统是核电厂重要控制系统,其作用为反应堆堆芯控制棒进行移动控制和棒位信息测量。该系统的运行状况将直接影响电厂的稳定运行。通过对该系统重要部件——MDP卡件相关电路分析以及与负载的匹配性进行理论分析,剖析卡... 反应堆控制棒控制系统是核电厂重要控制系统,其作用为反应堆堆芯控制棒进行移动控制和棒位信息测量。该系统的运行状况将直接影响电厂的稳定运行。通过对该系统重要部件——MDP卡件相关电路分析以及与负载的匹配性进行理论分析,剖析卡件发生故障的内在因素。同时对卡件反馈监测模块中电流异常报警参数的设定分析,确定相应故障报警点;利用参数调整进行可靠性分析。通过上述分析研究,将可能造成故障的原因因子逐一做了相应探析。明确了卡件电流异常故障的根本原因,并做出针对性改进措施,提高系统设备运行的可靠性。 展开更多
关键词 反应堆控制棒 可控硅 匹配性
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TCSC抑制次同步谐振的机理研究及其参数设计 被引量:61
20
作者 葛俊 童陆园 +2 位作者 耿俊成 陈全世 韩光 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第6期25-29,共5页
正确地分析TCSC频率阻抗特性是评价TCSC抑制SSR能力的基础。该文给出了考虑导通角变化的三维频率阻抗图,该图清晰地表明:当目标导通角小于临界导通角时,TCSC低频阻抗特性存在一个容性曲面,只有越过临界导通角后低频视在阻抗才表现为感... 正确地分析TCSC频率阻抗特性是评价TCSC抑制SSR能力的基础。该文给出了考虑导通角变化的三维频率阻抗图,该图清晰地表明:当目标导通角小于临界导通角时,TCSC低频阻抗特性存在一个容性曲面,只有越过临界导通角后低频视在阻抗才表现为感性。基于IEEE第一基准模型的数字仿真分析验证了频率阻抗计算方法和结果的正确性,深入阐明了TCSC抑制SSR的物理机理以及要实现完全抑制SSR需满足的工作条件。在此基础上还讨论了TCSC主电路的参数设计原则,使得TCSC不仅能满足工频基波阻抗调节特性的要求,而且能最大限度地提高对SSR的抑制能力。 展开更多
关键词 TCSC 次同步谐振 参数设计 可控串联电容补偿 电力系统 频率阻抗特性
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