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3D NAND FLASH存储器辐射效应研究进展及展望
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作者 向爽 张国和 +2 位作者 李洋 白豪杰 贺朝会 《微电子学与计算机》 2025年第10期85-100,共16页
相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于... 相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于平面器件的辐射响应机制。综述了3D NAND FLASH存储器辐射效应的研究现状,介绍了空间辐射环境下3D NAND FLASH的总剂量效应与单粒子效应(重离子、质子、中子)的研究进展,分析了涉及的辐射损伤机理和性能退化规律。结果表明,三维结构设计在一定程度上提高了器件的抗总剂量效应和单粒子效应能力。重点探讨了三维结构特有的辐射响应现象,包括总剂量辐射响应在垂直堆叠层结构中的“U”型非均匀变化、重离子效应中阈值电压的双次级峰分布等。最后,基于3D NAND FLASH的发展趋势,对先进NAND FLASH(尤其是面向超高堆叠层数和三维封装微模组方向发展的器件)辐射效应未来的研究方向和抗辐射加固思路进行了展望。 展开更多
关键词 3D nand flash存储器 总剂量效应 单粒子效应 损伤机理
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Dynamic Write-Voltage Design and Read-Voltage Optimization for MLC NAND Flash Memory
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作者 Cai Runbin Fang Yi +2 位作者 Shi Zhifang Dai Lin Han Guojun 《China Communications》 SCIE CSCD 2024年第12期297-308,共12页
To mitigate the impact of noise and inter-ference on multi-level-cell(MLC)flash memory with the use of low-density parity-check(LDPC)codes,we propose a dynamic write-voltage design scheme con-sidering the asymmetric p... To mitigate the impact of noise and inter-ference on multi-level-cell(MLC)flash memory with the use of low-density parity-check(LDPC)codes,we propose a dynamic write-voltage design scheme con-sidering the asymmetric property of raw bit error rate(RBER),which can obtain the optimal write voltage by minimizing a cost function.In order to further improve the decoding performance of flash memory,we put forward a low-complexity entropy-based read-voltage optimization scheme,which derives the read voltages by searching for the optimal entropy value via a log-likelihood ratio(LLR)-aware cost function.Simulation results demonstrate the superiority of our proposed dynamic write-voltage design scheme and read-voltage optimization scheme with respect to the existing counterparts. 展开更多
关键词 error correction coding multi-level-cell(MLC) nand flash memory read voltage write voltage
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Program Error Mitigation in MLC NAND Flash Memory with Soft Decision Decoders 被引量:1
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作者 Zequn Fang Zheng Ma +2 位作者 Xiaohu Tang Yue Xiao Youhua Tang 《China Communications》 SCIE CSCD 2021年第4期76-87,共12页
Benefiting from strong decoding capabilities,soft-decision decoding has been used to replace hard-decision decoding in various communication systems,and NAND flash memory systems are no exception.However,soft-decision... Benefiting from strong decoding capabilities,soft-decision decoding has been used to replace hard-decision decoding in various communication systems,and NAND flash memory systems are no exception.However,soft-decision decoding relies heavily on accurate soft information.Owing to the incremental step pulse programming(ISPP),program errors(PEs)in multi-level cell(MLC)NAND flash memory have different characteristics compared to other types of errors,which is very difficult to obtain such accurate soft information.Therefore,the characteristics of the log-likelihood ratio(LLR)of PEs are investigated first in this paper.Accordingly,a PE-aware statistical method is proposed to determine the usage of PE mitigation schemes.In order to reduce the PE estimating workload of the controller,an adaptive blind clipping(ABC)scheme is proposed subsequently to approximate the PEs contaminated LLR with different decoding trials.Finally,simulation results demonstrate that(1)the proposed PE-aware statistical method is effective in practice,and(2)ABC scheme is able to provide satisfactory bit error rate(BER)and frame error rate(FER)performance in a penalty of negligible increasing of decoding latency. 展开更多
关键词 program errors soft-decision decoder nand flash memory clipping approximation
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Low-Complexity Detection and Decoding Scheme for LDPC-Coded MLC NAND Flash Memory 被引量:1
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作者 Xusheng Lin Guojun Han +2 位作者 Shijie Ouyang Yanfu Li Yi Fang 《China Communications》 SCIE CSCD 2018年第6期58-67,共10页
With the development of manufacture technology, the multi-level cell(MLC)technique dramatically increases the storage density of NAND flash memory. As the result,cell-to-cell interference(CCI) becomes more serious and... With the development of manufacture technology, the multi-level cell(MLC)technique dramatically increases the storage density of NAND flash memory. As the result,cell-to-cell interference(CCI) becomes more serious and hence causes an increase in the raw bit error rate of data stored in the cells.Recently, low-density parity-check(LDPC)codes have appeared to be a promising solution to combat the interference of MLC NAND flash memory. However, the decoding complexity of the sum-product algorithm(SPA) is extremely high. In this paper, to improve the accuracy of the log likelihood ratio(LLR) information of each bit in each NAND flash memory cell, we adopt a non-uniform detection(N-UD) which uses the average maximum mutual information to determine the value of the soft-decision reference voltages.Furthermore, with an aim to reduce the decoding complexity and improve the decoding performance, we propose a modified soft reliabilitybased iterative majority-logic decoding(MSRBI-MLGD) algorithm, which uses a non-uniform quantizer based on power function to decode LDPC codes. Simulation results show that our design can offer a desirable trade-off between the performance and complexity for high-column-weight LDPC-coded MLC NAND flash memory. 展开更多
关键词 Cell-to-cell interference(CCI) LDPC codes MLC nand flash memory non-uniform detection(N-UD) modified soft reliability-based iterative majority-logic decoding(MSRBI-MLGD) algorithm
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电荷俘获型3D NAND闪存边缘字线可靠性优化方法
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作者 谭家乐 许旭晗 +2 位作者 宣吴丽娜 张俊杰 曹炳尧 《计算机测量与控制》 2025年第6期200-205,239,共7页
3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于... 3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于边缘字线的4-8 LC方法;该方法将TLC闪存的8种阈值电压状态均分为4组,组内两种状态对应的信息编码的汉明距离需为1;分组后,将与擦除态同组的另一阈值电压状态的闪存单元编程至擦除态,其余3组中处于较低阈值电压状态的闪存单元编程为同组中的另一状态;随后进行数据保留实验并读取误码信息;实验结果显示,在闪存块历经3 000次P/E循环,并在常温下数据保留一年的条件下,边缘字线的平均保留错误数量达到了内部字线的2.97倍,所提出的4-8 LC方法使边缘字线的低页和高页误码率分别降低了99.7%和99.9%,提升可靠性的效果是EP方法的1.74倍。 展开更多
关键词 3D nand闪存 边缘字线 保留错误 4-8 LC
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LDPC Coding Scheme for Improving the Reliability of Multi-Level-Cell NAND Flash Memory in Radiation Environments 被引量:2
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作者 Guangjun Ge Liuguo Yin 《China Communications》 SCIE CSCD 2017年第8期10-21,共12页
Utilizing commercial off-the-shelf(COTS) components in satellites has received much attention due to the low cost. However, commercial memories suffer severe reliability problems in radiation environments. This paper ... Utilizing commercial off-the-shelf(COTS) components in satellites has received much attention due to the low cost. However, commercial memories suffer severe reliability problems in radiation environments. This paper studies the low-density parity-check(LDPC) coding scheme for improving the reliability of multi-level-cell(MLC) NAND Flash memory in radiation environments. Firstly, based on existing physical experiment works, we introduce a new error model for heavyion irradiations; secondly, we explore the optimization of writing voltage allocation to maximize the capacity of the storage channel; thirdly, we design the degree distribution of LDPC codes that is specially suitable for the proposed model; finally, we propose a joint detection-decoding scheme based on LDPC codes, which estimates the storage channel state and executes an adaptive log-likelihood ratio(LLR) calculation to achieve better performance. Simulation results show that, compared with the conventional LDPC coding scheme, the proposed scheme may almost double the lifetime of the MLC NAND Flash memory in radiation environments. 展开更多
关键词 low-density parity-check(LDPC) coding multi-level-cell(MLC) nand flash memory joint detection-decoding commercial off-the-shelf(COTS) components space radiation environments
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3D NAND闪存多维度噪声耦合错误检测及信道建模
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作者 李应钊 朱广平 韩国军 《广东工业大学学报》 2025年第6期86-94,共9页
高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研... 高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研究了不同噪声耦合条件下的误码率表现。通过对测试数据的深入分析,提取了对应的阈值电压分布特征,并构建了适应不同噪声条件的参考电压模型,以优化闪存的可靠性。实验结果表明,该参考电压模型可显著降低3D NAND闪存在噪声干扰下的误码率,与默认参考电压相比,误码率降低高达46%。本文提出的参考电压模型为提升3D NAND闪存在噪声环境下的存储可靠性提供了有效技术手段,有望推动其在高可靠性存储领域的广泛应用。 展开更多
关键词 3D nand闪存 参考电压 固态硬盘技术 可靠性 闪存测试 信道建模 阈值电压分布
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基于P-BiCS架构的hynix 3D Nand Flash产品结构分析
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作者 田新儒 《集成电路应用》 2024年第6期10-11,共2页
阐述随着电子产品及大数据信息存储应用需求增加,3D Nand Flash产品市场持续增长。介绍一种主流的3D Nand Flash技术架构,并分析应用P-BiCS架构的hynix 3D Nand Flash产品的结构及成分。
关键词 存储器芯片 3D nand flash P-BiCS架构
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开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现 被引量:15
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作者 晏敏 龙小奇 +2 位作者 章兢 侯志春 何敏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第11期13-16,共4页
完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放式大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏... 完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放式大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性. 展开更多
关键词 nand flash 存储系统 坏块管理 均匀损耗
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NAND Flash存储控制器的软硬件划分设计 被引量:7
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作者 沈浩 付宇卓 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第24期168-170,185,共4页
介绍了现代数码产品中NANDFlashMemory控制器的基本控制和4种软硬件划分不同的控制器设计。作者用VerilogHDL语言分别实现了这4种不同的控制器的,并进行了硬件面积、DSP占用率和接口灵活性的量化比较,指出了各种方案适用的范围。通过对... 介绍了现代数码产品中NANDFlashMemory控制器的基本控制和4种软硬件划分不同的控制器设计。作者用VerilogHDL语言分别实现了这4种不同的控制器的,并进行了硬件面积、DSP占用率和接口灵活性的量化比较,指出了各种方案适用的范围。通过对一个SOC项目的需要分析,设定了基准函数,从而选出了合适的软硬件划分方案。 展开更多
关键词 nand flash memory控制器 SOC外围设备设计 软硬件划分
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模式可配置的NAND Flash纠错系统设计与实现 被引量:5
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作者 徐富新 刘应 +1 位作者 刘雁群 向超 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1918-1925,共8页
针对NAND flash存储器设计一种模式可配置的纠错系统的电路结构,该结构可以预防错误位数大于设计纠错位数的情况发生。提出一种高速并行BCH编译码的电路设计方法,并导出一种无需有限域求逆运算的BM迭代算法的硬件实现方法。通过复用编... 针对NAND flash存储器设计一种模式可配置的纠错系统的电路结构,该结构可以预防错误位数大于设计纠错位数的情况发生。提出一种高速并行BCH编译码的电路设计方法,并导出一种无需有限域求逆运算的BM迭代算法的硬件实现方法。通过复用编码算法电路与译码算法电路,同时结合流水线技术与乒乓操作技术,实现以较小的硬件资源开销提高纠错系统性能。该纠错系统电路在EP4CE15E22C8系列FPGA芯片上实现,并进行测试分析。测试结果表明:在相同的系统工作频率下,该纠错系统电路的数据吞吐率是传统串行纠错电路的8倍,而硬件资源开销只增加1倍;与传统的NAND flash纠错电路相比,该纠错电路结构相对独立,可移植性强,可满足多种应用场合的需要。 展开更多
关键词 nand flash存储器 纠错电路 可配置模式 BCH码 现场可编程门阵列
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FAT文件系统在NAND FLASH上的磨损均衡研究 被引量:5
12
作者 谢琦 胡俊 王磊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第7期34-37,共4页
提出一种应用于NAND FLASH上实现FAT文件系统磨损均衡的方法,通过保留已删除文件在FAT表中的表项和重写文件时将内容写入新簇的方式,实现对NAND FLASH的均衡使用.在牺牲一定读写速度的前提下,有效地实现了对NAND FLASH的均衡磨损,延长了... 提出一种应用于NAND FLASH上实现FAT文件系统磨损均衡的方法,通过保留已删除文件在FAT表中的表项和重写文件时将内容写入新簇的方式,实现对NAND FLASH的均衡使用.在牺牲一定读写速度的前提下,有效地实现了对NAND FLASH的均衡磨损,延长了NAND FLASH的使用寿命.在文件系统层研究磨损均衡,实现难度小,且对标准FAT文件系统兼容,具有一定的可行性和实用性. 展开更多
关键词 FAT文件系统 磨损均衡 nand flash
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NAND Flash在大容量存储技术中的应用 被引量:12
13
作者 陈国 高杨 《航空计算技术》 2009年第2期113-116,共4页
如今航空电子系统对信息数据的处理量要求越来越高。随着存储技术的发展,使得航电系统记录和处理更多的数据成为可能。NAND Flash的独特架构设计让他成为大容量存储器设计的首选。以Samsung公司的NAND Flash芯片K9WAG08U1A为例,结合模... 如今航空电子系统对信息数据的处理量要求越来越高。随着存储技术的发展,使得航电系统记录和处理更多的数据成为可能。NAND Flash的独特架构设计让他成为大容量存储器设计的首选。以Samsung公司的NAND Flash芯片K9WAG08U1A为例,结合模块设计要求,介绍了芯片的基本结构和特点,硬件结构的连接。阐述了NAND Flash的独特的访问操作流程以及访问失败处理方法。 展开更多
关键词 nand flash 大容量存储 初始化坏块表 块擦除 页编程
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一种星载NAND FLASH板级功能快速验证设计 被引量:1
14
作者 董振兴 朱岩 《现代电子技术》 北大核心 2016年第14期32-34,38,共4页
传统板级硬件功能验证方法使用示波器或逻辑分析仪对引出管脚进行测试,灵活性差,不适用于星载大容量NAND FLASH存储阵列。提出一种通过FPGA控制NAND FLASH复位和读ID操作,并自动遍历所有存储芯片的方法,配合Chip Scope Pro工具在线仿真... 传统板级硬件功能验证方法使用示波器或逻辑分析仪对引出管脚进行测试,灵活性差,不适用于星载大容量NAND FLASH存储阵列。提出一种通过FPGA控制NAND FLASH复位和读ID操作,并自动遍历所有存储芯片的方法,配合Chip Scope Pro工具在线仿真,实现星载NAND FLASH板级功能快速验证。实验结果表明,该方法简单有效,并可根据仿真验证结果快速做出板级功能有效性判断。 展开更多
关键词 nand flash 星载存储器 硬件功能验证 ChipScope 并行扩展
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NAND Flash存储器单粒子效应试验研究 被引量:4
15
作者 曹洲 薛玉雄 +2 位作者 高欣 安恒 张晨光 《空间电子技术》 2019年第3期81-86,101,共7页
单粒子效应易诱发空间电子设备发生在轨故障。文章针对大容量NAND Flash存储器,利用皮秒脉冲激光和高能重离子开展了试验研究,明确了此类器件的单粒子效应特点,探索了新型集成电路单粒子效应试验评估方法,为工程设计及试验评估提供了技... 单粒子效应易诱发空间电子设备发生在轨故障。文章针对大容量NAND Flash存储器,利用皮秒脉冲激光和高能重离子开展了试验研究,明确了此类器件的单粒子效应特点,探索了新型集成电路单粒子效应试验评估方法,为工程设计及试验评估提供了技术基础与保障。经皮秒脉冲激光试验发现,NAND Flash存储器件的存储单元易发生单粒子多位翻转,控制电路单元则发生单粒子锁定和功能中断。经高LET值Xe^+离子辐照试验发现,重离子会诱发器件产生电流尖峰脉冲(或电流火花)现象;在NAND Flash存储器未加电状态下,仍可诱发单粒子翻转;重离子辐照后存储器坏块明显增加,试验获得的单粒子翻转截面高达1. 18×10^-7cm^2/位。基于试验结果分析,认为发生多位翻转的原因是激光束覆盖多个存储单元所造成;重离子辐照引起的浮栅晶体管击穿是存储器坏块增多的原因。 展开更多
关键词 单粒子效应 nand闪存 脉冲激光 重离子
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一种在片上系统中实现Nand Flash控制器的方法 被引量:6
16
作者 肖建 《南京邮电学院学报(自然科学版)》 2005年第2期81-85,共5页
NandFlash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成NandFlash控制器成为一种趋势。提出了在一款基于ARM7TDMICPUCORE的片上系统(SOC)芯片中的NandFlash控制器实现方案。通过直接内存存取(... NandFlash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成NandFlash控制器成为一种趋势。提出了在一款基于ARM7TDMICPUCORE的片上系统(SOC)芯片中的NandFlash控制器实现方案。通过直接内存存取(DMA)的数据传输方式,使得NandFlash的数据传输速率得到了一定提高,满足了实际应用的设计要求。该设计方法已通过了RTL级验证、FGPA验证,并在实际芯片的演示样机上得到了具体实现。 展开更多
关键词 片上系统 nand flash 直接内存存取
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嵌入式Linux中NAND Flash设备驱动研究 被引量:5
17
作者 高丽 张欢庆 《电脑开发与应用》 2014年第5期11-13,16,共4页
NAND Flash作为一种非易失性的存储介质,它具有速度快、体积小、存储密度高和容量大等优点,适用于大量数据的存储,因此在嵌入式领域中的应用也越来越广泛。分析了MTD(内存技术设备)与NAND Flash驱动的关系,总结了典型的NAND Flash驱动... NAND Flash作为一种非易失性的存储介质,它具有速度快、体积小、存储密度高和容量大等优点,适用于大量数据的存储,因此在嵌入式领域中的应用也越来越广泛。分析了MTD(内存技术设备)与NAND Flash驱动的关系,总结了典型的NAND Flash驱动程序的总体架构。针对PXA270RP平台,设计和实现了嵌入式Linux下的NAND Flash驱动程序。为编写基于嵌入式Linux系统下的NAND Flash设备驱动程序提供了技术指导。 展开更多
关键词 嵌入式LINUX nand flash 驱动程序 内存技术设备
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NAND-FLASH存储器KM29U128T的软硬件接口设计方法 被引量:2
18
作者 刘军亮 王盛安 蔡树群 《仪表技术》 2008年第7期32-34,共3页
三星公司的NAND-FLASH存储器KM29U128T存储容量大,速度快且可靠性较高,文章介绍它的软硬件接口设计方法。
关键词 nand-flash存储 KM29U128T 软硬件接口
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FAT文件系统在NAND FLASH上的改进 被引量:1
19
作者 牛炳麟 《信阳农业高等专科学校学报》 2011年第2期126-127,共2页
FAT文件系统不适用于NAND FLASH。根据NAND FLASH特性,通过移动存储文件分配表和记录各簇的擦除次数的方式,可以实现对NAND FLASH的均衡擦写,能够有效延长NAND FLASH的使用寿命。
关键词 FAT文件系统 nand flash 改进
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基于NAND Flash存储器的硬件汉字字库的研究
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作者 刘杰 黄廷磊 梁海 《仪表技术》 2007年第8期50-52,共3页
介绍使用NAND Flash存储器开发汉字字库的方法,克服了使用传统Flash存储器接口复杂、占用IO口较多的缺点,又可以获得良好的读写速度,而且还可应用于其他语言字库、图标库的存储,因此,对嵌入式开发具有现实意义。
关键词 字库 存储器 nand闪存存储器
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