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题名硅外延工艺与基座的相关性研究
被引量：1
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作者
高淑红
赵丽霞
袁肇耿
侯志义
王艳祥
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期638-641,共4页
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文摘
硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区。实际使用表明,基座边缘热辐射及热量被气流带走使基座两个边缘温度急剧下降,必须对边缘温区进行补偿及装片时避开基座边缘一定距离;高温时Si片通过基座获得热量并发生形变,基座上承载槽的形貌设计必须兼顾厚度匀匀性及Si片高温时形变的方向。研究表明,金属沾污尤其是重金属催化作用及过腐蚀是影响基座寿命的关键因素。
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关键词
硅外延
基座
承载槽
位错
金属沾污
过腐蚀
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Keywords
Si epitaxial
susceptor
pocket
dislocation
metal contamination
over-etching
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名外延参数稳定性控制方法
被引量：3
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作者
王海红
高翔
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机构
上海先进半导体有限公司
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出处
《电子与封装》
2014年第4期38-41,共4页
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文摘
外延工艺广泛应用于双极集成电路、高压器件和CMOS集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性、均匀性和可重复性,从而提高外延片的成品率并降低多次调整带来的成本。讨论了影响硅外延层厚度和电阻率稳定控制的主要因素,通过优化刻蚀基座程序,使得桶式炉外延层厚度和电阻率得到良好的控制,一方面提高了产品的良率,另一方面大大降低了桶式炉硅外延片的生产成本,提高了经济效益。
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关键词
外延厚度
外延电阻率
刻蚀基座
优化
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Keywords
EPI thickness
EPI resistivity
susceptor etch
optimization
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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