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Au对GaP接触界面形成及其特性
1
作者 林秀华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期336-341,共6页
借助Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜研究了Ａｎ和ＧａＰ接触体系界面特性的温度依赖性．测量表明，既使在低于４００℃温度下界面反应也会生成少量的Ａｎ－ＧａＰ金属间化合物，它的主要成份是（ＧａＡｕ）Ｈ，Ｇａ２Ａｕ．在较高温度５５... 借助Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜研究了Ａｎ和ＧａＰ接触体系界面特性的温度依赖性．测量表明，既使在低于４００℃温度下界面反应也会生成少量的Ａｎ－ＧａＰ金属间化合物，它的主要成份是（ＧａＡｕ）Ｈ，Ｇａ２Ａｕ．在较高温度５５０℃合金条件下，ＧａＰ化合物表面发生分解，界面反应增强并伴随着快速的原子间互扩散．大量Ｇａ原子向外迁移进人Ａｎ膜复盖层．同时，Ａｎ原子也内扩散进入ＧａＰ表面，Ａｎ－Ｇａ之间界面反应生成（ＧａＡｕ）Ｈ，Ｇａ２Ａｎ和（ＧａＡｕ）８Ｏ．实验结果指出，Ａｎ和ＧａＰ接触界面是一个金属一半导体界面反应层和合金再生长层．它含有Ａｎ、Ｇａ、Ｐ原子．Ａｎ－Ｇａ金属间化合物的形成有助改善Ａｎ膜机械强度和粘附性．扫描电子显微镜观察发现，当合金温度超过ＡｕＧａ共熔温度４７０℃，表面形貌变得粗糙和不均匀．随着温度上升，Ｍ－Ｓ接触界面层微结晶颗粒变大．在６００℃下，微结晶效应显著．事实上，这种合金条件无助于欧姆接触制备． 展开更多
关键词 接触 界面反应 金 磷化镓 表面性质 半导体
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多相催化基础研究
2
作者 黄伟新 《中国科学:化学》 2026年第1期274-294,共21页
催化基础(催化理论)研究是多相催化研究领域中的长期挑战,而近期表界面化学、材料化学、先进表征技术和理论模拟方法等研究领域的快速发展给复杂催化反应体系基础研究带来了巨大机遇,并且在面向能源和资源变革的多相催化研究中有可能发... 催化基础(催化理论)研究是多相催化研究领域中的长期挑战,而近期表界面化学、材料化学、先进表征技术和理论模拟方法等研究领域的快速发展给复杂催化反应体系基础研究带来了巨大机遇,并且在面向能源和资源变革的多相催化研究中有可能发挥关键作用.本文简要介绍了多相催化及催化基础研究面临的新机遇,总结了催化发展历程和多相催化重要基本概念及发展,指出了当前催化基础研究广泛采用的实验表征和模拟表征相结合策略中存在的“表界面基元反应网络鸿沟”对研究结果的影响,最后提出了催化基础研究的可靠策略和前沿方向. 展开更多
关键词 催化循环 活性位 重构 Sabatier原理 界面相互作用 结构敏感性 表界面基元反应网络鸿沟
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