本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小...本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小的 M2⊥ 。展开更多
