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RSD开关的谐振式触发电路设计与研究 被引量：10
1
作者 李焕炀 余岳辉 彭昭廉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期33-36,共4页
运用谐振电路原理,设计出一种用于脉冲变压器高电压、大电流脉冲开关RSD(ReverselySwitchedDynis tor)的触发电路。重点设计了控制触发的脉冲变压器;分析并讨论了触发电路的输出波形。经实验验证了该方案的正确性和选择元件参数的合理性。
关键词 半导体开关 触发电路 谐振 参数设计
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SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路 被引量：2
2
作者 乔小可 杨媛 王庆军 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第3期17-20,共4页
针对新型宽禁带功率半导体器件碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),为了充分发挥其在高功率密度和高效率应用场合中的高速及低功耗特性,分析了SiC MOSFET的开关特性,提出了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的新型多等... 针对新型宽禁带功率半导体器件碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),为了充分发挥其在高功率密度和高效率应用场合中的高速及低功耗特性,分析了SiC MOSFET的开关特性,提出了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的新型多等级栅电压驱动电路(MGD)。在SiC MOSFET开关不同阶段,通过调整栅极驱动电压以改善其开关特性。与传统驱动电路(CGD)相比,提出的MGD在相同门极驱动电阻与栅源极电容前提下,能有效提高开关速度,降低电压电流尖峰、降低开关损耗。最后通过双脉冲实验,分析了栅极驱动电阻,栅源极电容对开关特性的影响,验证了MGD在改善开关特性方面具有明显的优越性。 展开更多
关键词 金属-氧化物半导体场效应晶体管 开关特性 驱动电路
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