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半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究 被引量:5
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作者 闻瑞梅 杜国栋 《中国工程科学》 2001年第2期71-78,共8页
针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理 ,介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓 ... 针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理 ,介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓 ,磷化姻 ,重掺砷硅单晶材料及器件的工艺中 ,腐蚀间排放的废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根离子的治理。用椭圆隔板式喷淋吸收塔或双塔式喷淋吸收设备 ,用氧化剂及碱液吸收的治理方法。③治理半导体工艺废水中砷、总磷、各种酸及重金属等的污染。用碳酸钙中和后 ,加铁盐经絮凝沉降一体化装置治理废水。经治理后的废气、废水经环保部门检测均达到国家排放标准[1~ 3] 展开更多
关键词 废水 废气 砷烷 磷烷 半导体材料器件 生产工艺 综合治理 设备
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单分散的硫化银纳米粒子的一步合成及性质表征
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作者 林险峰 李雪 孙德武 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2007年第3期77-79,共3页
提出了一个简单的、温和的条件下合成高产量的、均匀的、单分散的硫化银纳米粒子的方法.该化学方法采用硫脲作硫源和稳定剂,室温下与硝酸银反应一步即可获得Ag2S纳米粒子,因而不需采用任何模板和基底.采用X—射线粉末衍射(XRD)、透射电... 提出了一个简单的、温和的条件下合成高产量的、均匀的、单分散的硫化银纳米粒子的方法.该化学方法采用硫脲作硫源和稳定剂,室温下与硝酸银反应一步即可获得Ag2S纳米粒子,因而不需采用任何模板和基底.采用X—射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X—射线光电子能谱(XPS)以及紫外—可见光谱(UV—Vis)等手段对所合成的产物进行表征.XRD结果表明:产物为单斜相的硫化银,TEM可以看出产物为直径约为50±10nm左右的球状纳米粒子.XPS分析表明:产物中Ag为+1价而S为-2价,它们的原子个数比为Ag∶S=1∶0.489.UV—Vis观察到合成的硫化银纳米粒子在292nm处有特征吸收峰. 展开更多
关键词 硫化银 纳米粒子 半导体 合成 表征
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