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Light controlled prebreakdown characteristics of a semi-insulating GaAs photoconductive switch 被引量:1
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作者 马湘蓉 施卫 +1 位作者 纪卫莉 薛红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期80-85,共6页
A 4 mm gap semi-insulating (SI) GaAs photoconductive switch (PCSS) was triggered by a pulse laser with a wavelength of 1064 nm and a pulse energy of 0.5 mJ. In the experiment, when the bias field was 4 kV, the swi... A 4 mm gap semi-insulating (SI) GaAs photoconductive switch (PCSS) was triggered by a pulse laser with a wavelength of 1064 nm and a pulse energy of 0.5 mJ. In the experiment, when the bias field was 4 kV, the switch did not induce self-maintained discharge but worked in nonlinear (lock-on) mode. The phenomenon is analyzed as follows: an exciton effect contributes to photoconduction in the generation and dissociation of ex- citons. Collision ionization, avalanche multiplication and the exciton effect can supply carrier concentration and energy when an outside light source was removed. Under the combined influence of these factors, the S1-GaAs PCSS develops into self-maintained discharge rather than just in the light-controlled prebreakdown status. The characteristics of the filament affect the degree of damage to the switch. 展开更多
关键词 light controlled prebreakdown photo activated charge domain self-maintained discharge excitoneffect
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SF_6断路器预击穿引起并联电抗器合闸过电压的原因及防护措施 被引量:33
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作者 安韵竹 文习山 +3 位作者 张婷婷 马奎 王羽 陈小月 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期75-80,共6页
为了确保变电站扩建或投运并联电抗器系统的安全性,采用理论分析、现场试验及仿真计算相结合的方法,对并联电抗器合闸产生过电压进行了研究。从SF6断路器瞬态预击穿机理以及波的折反射2个方面理论分析了并联电抗器合闸产生过电压的原因;... 为了确保变电站扩建或投运并联电抗器系统的安全性,采用理论分析、现场试验及仿真计算相结合的方法,对并联电抗器合闸产生过电压进行了研究。从SF6断路器瞬态预击穿机理以及波的折反射2个方面理论分析了并联电抗器合闸产生过电压的原因;在ATP-EMTP中建立SF6断路器预击穿模型,并对现场试验进行仿真计算。通过试验和仿真研究发现并联电抗器合闸产生预击穿时,在电抗器首端将出现标幺值为4.0左右的过电压。因此,建议电站投运并联电抗器时采取阻容吸收器进行限压。仿真结果显示,采取阻容吸收装置可以将并联电抗器的最大合闸过电压标幺值限制到1.68,且还可以抑制系统中的谐波。研究发现了变电站并联电抗器合闸预计穿现象,可为投入并联电抗器组时现场防护措施提供参考。 展开更多
关键词 SF6断路器 预击穿 并联电抗器 ATP-EMTP 波的折反射 阻容吸收器
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串联真空灭弧室工频预击穿电流的自均压作用 被引量:15
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作者 阮江军 舒胜文 +3 位作者 黄道春 吴高波 刘兵 黄国栋 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1353-1358,共6页
为给多断口真空断路器的开发提供理论和试验依据,进行了小开距下单断口和三断口真空灭弧室的工频电压击穿试验。工频电压击穿试验结果表明,三断口真空灭弧室的各断口电压分布在总电压的上升过程中得到了一定的改善,设计了双断口真空灭... 为给多断口真空断路器的开发提供理论和试验依据,进行了小开距下单断口和三断口真空灭弧室的工频电压击穿试验。工频电压击穿试验结果表明,三断口真空灭弧室的各断口电压分布在总电压的上升过程中得到了一定的改善,设计了双断口真空灭弧室的工频电压分布试验验证了该结论。真空灭弧室在工频电压作用下会同时流过容性电流和预击穿电流,故引入了预击穿电流对上述试验现象进行分析,提出了串联真空灭弧室的工频预击穿电流具有自均压作用。仿真得到的场致发射电流和试验得到的预击穿电流波形基本一致,表明真空短间隙的击穿主要是由场致发射引起的。而真正决定断路器开断成败的是暂态恢复电压,指出了多断口真空断路器不能仅依靠这种自均压作用,还需配置合理的均压措施。 展开更多
关键词 串联真空灭弧室 工频预击穿电流 自均压 工频击穿电压 电压分布 均压措施
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基于分形理论的水中流注放电仿真 被引量:13
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作者 谭震宇 万基磊 李清泉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1556-1561,共6页
水中流注放电的特性及流注发展机理研究对于污水处理、杀菌消毒、水下声源和高压绝缘具有重要的意义。基于分形理论,构建了考虑气泡生长过程的水中流注放电仿真模型,并仿真研究了不同电压幅值和溶液电导率下的放电特性。结果表明,随着... 水中流注放电的特性及流注发展机理研究对于污水处理、杀菌消毒、水下声源和高压绝缘具有重要的意义。基于分形理论,构建了考虑气泡生长过程的水中流注放电仿真模型,并仿真研究了不同电压幅值和溶液电导率下的放电特性。结果表明,随着外施电压和溶液电导率的增大,通道电荷量和流注发展速度均增大,而放电预击穿延时减小。计算得到的流注发展速度、预击穿延迟时间随水溶液电导率的变化等与已报道的实验相符。 展开更多
关键词 水中放电 分形 气泡 流注发展速度 放电预击穿延时 仿真模型
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真空灭弧室工频预击穿特性研究 被引量:3
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作者 王卫斌 杨兰均 冯允平 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期51-53,共3页
测量了真空灭弧室的工频预击穿电流 ,分析了预击穿电流的电极效应。发现只有当工频预击穿电流增大到一定临界值范围内时 ,才会导致小开距真空间隙的击穿。对目前应用广泛的 Cu Cr5 0触头材料而言 ,此电流临界值范围为m
关键词 真空灭弧室 工频 预击穿 计算机模拟
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空间电荷效应对阴极微凸起热不稳定性的影响 被引量:2
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作者 孙钧 刘国治 林郁正 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1699-1701,共3页
由于金属微凸起爆炸电子发射的预发射电流密度一般都超过108A/cm2,因此必须考虑其空间电荷效应的影响。基于金属微凸起爆炸电子发射起始过程模型,通过理论分析和数值模拟,给出了考虑预发射电流空间电荷效应的微凸起爆炸发射延迟时间随... 由于金属微凸起爆炸电子发射的预发射电流密度一般都超过108A/cm2,因此必须考虑其空间电荷效应的影响。基于金属微凸起爆炸电子发射起始过程模型,通过理论分析和数值模拟,给出了考虑预发射电流空间电荷效应的微凸起爆炸发射延迟时间随二极管平均电场的变化关系。与不考虑预发射电流空间电荷效应的结果进行对比表明,预发射电流的空间电荷效应可以显著增加金属微凸起的爆炸发射延迟时间。 展开更多
关键词 微凸起 爆炸电子发射 预发射电流 空间电荷效应
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真空中电极间隙的预击穿特性研究 被引量:3
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作者 修士新 王季梅 《真空电子技术》 1998年第3期6-10,共5页
本文对真空中电极间隙和真空灭弧室的预击穿特性进行了研究,分析了影响真空中预击穿特性的因素。
关键词 真空 电极 真空灭弧室 预击穿
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纳米尖端场离子化气体传感器的动态测试方法研究
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作者 孟凡利 李民强 +3 位作者 郭正 黄家锐 陈星 刘锦淮 《分析测试学报》 CSCD 北大核心 2008年第6期644-647,共4页
制作了一种纳米尖端场离子化气体传感器,以氧化锌纳米尖端为阳极,钨针为阴极,采用皮安表向传感器提供输出波形可控的直流电源,测量流过器件的预击穿电流。由于采用了纳米尖端进行离子化,有效地降低了传感器的击穿电压,提高了传感器的离... 制作了一种纳米尖端场离子化气体传感器,以氧化锌纳米尖端为阳极,钨针为阴极,采用皮安表向传感器提供输出波形可控的直流电源,测量流过器件的预击穿电流。由于采用了纳米尖端进行离子化,有效地降低了传感器的击穿电压,提高了传感器的离子化能力,而且避免了氧化锌材料以空气作为背景测试气体时的氧化问题。动态测试预击穿电流的方法提高了器件的实用性。实验结果显示该传感器对乙酸蒸气有较好的响应,而且可以做定量测量。所制场离子化气体传感器适于普通空气条件下的使用,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 场离子化 动态测试 氧化锌 纳米尖端 预击穿电流
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真空断路器合闸10 kV并联电抗器过电压抑制的仿真研究 被引量:9
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作者 刘航 陈嵩 +3 位作者 孙晓勇 魏钢 杨庆 冉军德 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期32-37,共6页
真空断路器合闸10 kV并联电抗器通常会伴随预击穿,危害系统设备绝缘。根据重庆云阳站的现场试验,分析断路器断口暂态恢复电压,在ATP-EMTP中搭建了等效的断路器预击穿模型。文中采用避雷器和阻容吸收器作为抑制装置。仿真结果表明,安装... 真空断路器合闸10 kV并联电抗器通常会伴随预击穿,危害系统设备绝缘。根据重庆云阳站的现场试验,分析断路器断口暂态恢复电压,在ATP-EMTP中搭建了等效的断路器预击穿模型。文中采用避雷器和阻容吸收器作为抑制装置。仿真结果表明,安装位置、数量和装置型号对过电压抑制均存在影响。单一的避雷器或者阻容吸收器无法同时抑制多处过电压。此外,安装距离被保护装置越近,抑制效果越好。最终对比分析不同抑制措施下的抑制效果,得到最佳抑制措施。研究工作对实际应用具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 真空断路器 并联电抗器 抑制措施 预击穿 ATP-EMTP
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相控断路器选相关合问题分析及应用研究 被引量:11
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作者 李付永 张帆 +2 位作者 李海涛 孙龙勇 姚灿江 《电测与仪表》 北大核心 2019年第9期141-147,共7页
选相合闸技术能大大降低断路器合闸操作过程中的暂态过电压和涌流,提高电力设备寿命及电力系统的稳定性,在超、特高压系统中得到了大力发展和应用。伴随着应用增多、挂网运行时间增长,提前预击穿、过电压/涌流增大等选相关合问题时常发... 选相合闸技术能大大降低断路器合闸操作过程中的暂态过电压和涌流,提高电力设备寿命及电力系统的稳定性,在超、特高压系统中得到了大力发展和应用。伴随着应用增多、挂网运行时间增长,提前预击穿、过电压/涌流增大等选相关合问题时常发生。以相控断路器为研究对象,针对其在选相关合过程中出现的问题,采用理论分析及试验验证方法,结合选相控制技术的基本理论和原理进行了原因分析。实际合闸时间t偏离预期合闸时间T较大是导致相控断路器选相关合问题发生的根本原因。 展开更多
关键词 选相合闸技术 选相关合 预击穿 实际合闸时间 预期合闸时间
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脉冲激光沉积非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射研究 被引量:1
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作者 李运钧 何金田 +2 位作者 姚宁 张兵临 龚知本 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期952-956,共5页
利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(>12V/μm)有较大的降低,最大发射电流密度为1.2mA/cm^2.利用透明导电薄膜阳极技术可观察电子在薄膜阴极表面的发射位置.并对该... 利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(>12V/μm)有较大的降低,最大发射电流密度为1.2mA/cm^2.利用透明导电薄膜阳极技术可观察电子在薄膜阴极表面的发射位置.并对该复合薄膜的场电子发射机理进行了初步探讨.实验表明该复合薄膜有可能作为一种新型的场发射冷阴极材料.在平面显示器件中得到应用. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 复合薄膜 场致电子发射 激光技术
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非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射预击穿现象研究 被引量:1
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作者 李运钧 姚宁 +3 位作者 何金田 庄志明 张兵临 龚知本 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1997年第5期358-361,376,共5页
利用脉冲激光沉积技术(PulsedLaserDeposition)首次制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,用其做为冷阴极,观察到其场致电子发射的预击穿现象,预击穿后阈值场强为7V/μm,最大发射电流密度为1.2mA/cm... 利用脉冲激光沉积技术(PulsedLaserDeposition)首次制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,用其做为冷阴极,观察到其场致电子发射的预击穿现象,预击穿后阈值场强为7V/μm,最大发射电流密度为1.2mA/cm2。利用透明导电薄膜阳极技术可观察到电子在薄膜阴极表面的发射区域。用扫描电子显微镜(SEM)观察了预击穿后发射区域的表面形貌的变化,并对复合薄膜的预击穿现象和场电子发射机理进行了探讨。该复合薄膜可能作为一种新型的场发射冷阴极,在平面显示器件中得到应用。 展开更多
关键词 非晶碳 聚酰亚胺 复合薄膜 场致电子发射 PLD
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