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Fabrication and field emission characteristics of a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes for backlight units
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作者 张永爱 林锑杭 +2 位作者 曾祥耀 周雄图 郭太良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第6期63-67,共5页
This paper describes the fabrication of backlight units(BLUs) for a liquid crystal display(LCD) based on a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes(CNTs) formed by electrophoretic deposi... This paper describes the fabrication of backlight units(BLUs) for a liquid crystal display(LCD) based on a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes(CNTs) formed by electrophoretic deposition. The electric field distributions and electron trajectories of this triode structure are simulated according to Ansys software.The device structure is optimized by supporting numerical simulation.The field emission results show that the emission current depends strongly on the cathode-gate gap and the gate voltage.Direct observation of the luminous images on a phosphor screen reveals that the electron beams undergo a noticeable expansion along the lateral direction with increasing gate voltage,which is in good agreement with the simulation results.The luminous efficiency and luminance of the fabricated device reaches 49.1 lm/W and 5500 cd/m^2,respectively.All results indicate that the novel planar-gate electron source with patterned CNTs may lead to practical applications for an electron source based on a flat lamp for BLUs in LCD. 展开更多
关键词 planar-gate triode patterned CNTs simulation field emission BLUs
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下游边墩平面闸门门槽受剪承载力
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作者 冷飞 蒋勇 +1 位作者 喻君 陈思远 《郑州大学学报(工学版)》 北大核心 2025年第6期144-152,共9页
由于缺乏系统研究,长期以来《水工混凝土结构设计规范》要求对承受较大闸门推力的平面闸门门槽进行受剪承载力复核却未能给出计算公式。作为规范修订专题研究,针对侧边和末端自由的边墩下游门槽开展了受剪承载力试验研究。以拉西瓦水电... 由于缺乏系统研究,长期以来《水工混凝土结构设计规范》要求对承受较大闸门推力的平面闸门门槽进行受剪承载力复核却未能给出计算公式。作为规范修订专题研究,针对侧边和末端自由的边墩下游门槽开展了受剪承载力试验研究。以拉西瓦水电站进水口事故闸门门槽为原型,进行了两批次共14个事故闸门门槽结构的受剪承载力静力试验,研究了门槽结构受剪破坏过程和破坏形态,讨论了门槽结构受剪承载力的影响因素,基于影响因素分析和试验结果回归,提出了下游门槽受剪承载力计算公式以及门槽尺寸和混凝土强度的下限要求,并应用于实际工程。研究表明:门槽结构的受剪破坏为脆性破坏,破坏模式为起始于门槽内缘的裂缝在剪力作用下倾斜伸入下游墩墙形成斜向裂缝,余留混凝土不足以承担闸门推力时,门槽结构发生破坏;混凝土抗拉强度、横向钢筋用量以及闸墩颈部宽度与门槽受剪承载力正相关,其中横向钢筋用量的影响有上限。所提出的计算公式可用于复核平面闸门门槽结构受剪承载力。 展开更多
关键词 平面闸门门槽 受剪承载力 破坏模式 承载力计算 水工结构
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深孔平面事故闸门底缘受力特性研究
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作者 严根华 董家 《水利与建筑工程学报》 2025年第5期1-8,共8页
为了探究深孔平面事故闸门的底缘受力特性,开展平面事故闸门闭门过程水力特性试验研究,观测泄水道水流流态及作用于底缘的水流脉动压力变化规律,并对上游止水闸门底缘负压作用力随闸门开度的变化特征进行分析,结果表明:泄水道出口上翘... 为了探究深孔平面事故闸门的底缘受力特性,开展平面事故闸门闭门过程水力特性试验研究,观测泄水道水流流态及作用于底缘的水流脉动压力变化规律,并对上游止水闸门底缘负压作用力随闸门开度的变化特征进行分析,结果表明:泄水道出口上翘体型条件下事故门闭门过程中明满流过渡流态与闸门底缘压力变化过程以及底缘压力变化的统计特征,包括负压变化时均值、最大最小值等特征参数均已获得。在此基础上,测试了闭门过程的通气孔风速,揭示了通气孔风速和流道输气量对闸门底缘负压脉动量的影响规律。对于低门楣结构,事故门闭门过程中门顶始终存在水气两相流水柱,门井补气通道被封堵,门后补气不畅,事故门底缘负压均值达到-2.5 m水柱以上,最大通气孔风速达到104 m/s,远大于现行规范容许值,需要专设通气孔予以解决。该项试验成果为闸门底缘受力特性分析、下吸力和上托力设计提供参考依据。 展开更多
关键词 平面事故闸门 底缘负压脉动压力 下吸力 上托力 通气孔风速
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基于叠加原理的闸门含孔结构等效简化仿真
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作者 黄玉玺 李成 +1 位作者 薛清宸 陈栋 《水电能源科学》 北大核心 2025年第9期114-118,共5页
含孔结构在工程结构中广泛存在,孔洞周围的应力集中显著影响结构的承载能力和安全性,因此对含孔结构进行精确的力学计算至关重要,但传统有限元分析方法在处理含孔结构时面临网格划分复杂、计算资源消耗大及结果收敛性差等问题。为此,提... 含孔结构在工程结构中广泛存在,孔洞周围的应力集中显著影响结构的承载能力和安全性,因此对含孔结构进行精确的力学计算至关重要,但传统有限元分析方法在处理含孔结构时面临网格划分复杂、计算资源消耗大及结果收敛性差等问题。为此,提出了一种基于叠加原理的含孔结构有限元分析方法,通过生成网格简单的等效模型替代原始模型进行仿真计算,然后根据子模型应力场修正等效模型中孔周应力的计算结果。经过对比发现,等效模型与原始模型仿真结果差异在5%以内,主要模型网格数量降低了25.2%,仿真时间降低了75.1%,显著提高了仿真效率。 展开更多
关键词 平面钢闸门 应力集中 网格生成 叠加法 有限元仿真
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轨道交通牵引级全碳化硅器件选型及应用研究
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作者 陈燕平 李诚瞻 +3 位作者 王忠宝 忻兰苑 翟龙 李华 《机车电传动》 2025年第3期119-125,共7页
中国中车基于平面栅技术推出了面向轨道交通等领域的3300 V高压全碳化硅器件。为提升牵引系统性能,文章从芯片方案选型、关键工艺技术选择和器件封装技术选择,如低电感设计、高温可靠性与热设计等几方面进行了器件特性研究,并对器件进... 中国中车基于平面栅技术推出了面向轨道交通等领域的3300 V高压全碳化硅器件。为提升牵引系统性能,文章从芯片方案选型、关键工艺技术选择和器件封装技术选择,如低电感设计、高温可靠性与热设计等几方面进行了器件特性研究,并对器件进行了可靠性评估分析与面向轨道交通的装车应用研究。研究结果表明,器件达到市场主流产品性能;与IGBT器件相比具有明显的应用优势,可显著减小牵引变流器重量与体积,有效降低系统损耗,提升系统效率,降低电机温升与噪声。 展开更多
关键词 全碳化硅器件 轨道交通 牵引系统 平面栅 封装技术
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栅极调控硅表面电势研究
6
作者 应文静 李铁 王跃林 《功能材料与器件学报》 CAS 2024年第3期134-139,共6页
对于金属-氧化物-半导体(MOS)结构而言,栅极电压的改变可以引起硅表面电势的改变,从而引起电导的改变,该原理在场效应管中得到充分的研究与应用,而本文则首次探讨其在平面电子管领域的应用场景。本文通过对流过硅的电流进行测试,分析栅... 对于金属-氧化物-半导体(MOS)结构而言,栅极电压的改变可以引起硅表面电势的改变,从而引起电导的改变,该原理在场效应管中得到充分的研究与应用,而本文则首次探讨其在平面电子管领域的应用场景。本文通过对流过硅的电流进行测试,分析栅极电压变化对不同厚度和载流子浓度的硅表面电势产生的影响,验证了硅在空气表面的电子积累与耗尽现象。实验结果表明,对于不同硅中载流子浓度和厚度的器件,相同的栅极电压变化将引起不同程度的硅表面电导变化。栅极引起的硅发射电流变化也证明了栅极对于硅表面电势的调控能力。就平面电子管而言,电子从阴极表面逸出被阳极捕获形成发射电流。因此,硅表面电势的改变可以引起场发射特性的改变,从而引起发射电流的改变,使以背栅电压调控阴极硅表面电势为栅极调控原理的平面电子三极管成为可能。 展开更多
关键词 表面电势 栅极调控 平面电子管 场发射
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金汇港南闸中孔大宽高比平面直升门的振动特性分析
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作者 肖志乔 孙嘉华 盛军 《水利水电科技进展》 CSCD 北大核心 2024年第5期74-79,共6页
针对大宽高比平面直升门在水流脉动压力作用下的动力特性问题,通过自振特性分析方法得到金汇港南闸中孔闸门的自振频率,通过物理模型试验测得不同工况下闸门模型上的脉动压力,采用快速傅里叶变换技术对脉动压力进行了频谱分析,得到各测... 针对大宽高比平面直升门在水流脉动压力作用下的动力特性问题,通过自振特性分析方法得到金汇港南闸中孔闸门的自振频率,通过物理模型试验测得不同工况下闸门模型上的脉动压力,采用快速傅里叶变换技术对脉动压力进行了频谱分析,得到各测点水流脉动压力的功率谱函数,并与自振特性结果进行对比判断是否会产生共振;将测得的水流脉动压力转换为有限元计算的节点荷载,采用随机振动法进行数值模拟,分析了闸门的流激振动响应,得到闸门不同开度条件下的动位移、动应力等响应结果。研究结果表明:水流脉动优势频率在1 Hz以内,与闸门一阶自振频率1.42 Hz错开度较大,不易产生共振;闸门动位移响应小于0.25 mm,最大总应力为8.15 MPa,闸门在不同开度条件下的动响应均在结构允许范围内,具有较高的安全性。 展开更多
关键词 大宽高比平面直升门 闸门振动 模型试验 金汇港南闸
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大跨度底轴驱动式翻板闸门结构计算分析
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作者 林浩 周文恒 +1 位作者 丁军 孙云翰 《机械设计与制造工程》 2024年第4期29-32,共4页
以某工程翻板闸门为例,分别采用空间体系法和平面体系法,对大跨度、低水头的底轴驱动式翻板闸结构进行计算。结果表明,空间体系法能更好地反映闸门的受力和变形特性,研究成果为该类型的闸门在实际工程中的设计与运用提供了参考和借鉴。
关键词 大跨度 翻板闸 平面体系法 空间体系法
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电泳沉积制备平行栅碳纳米管场发射阴极的研究 被引量:5
9
作者 张永爱 林金阳 +3 位作者 吴朝兴 郑泳 林志贤 郭太良 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1130-1133,共4页
利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能。光学显微镜和场发射电子显微... 利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能。光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明,平行栅结构阴极和栅极交替地分布,同一个平面内,CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极表面。场发射测试表明,平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为155V,发射电流高达268μA,场发射特性完全由栅压控制;此外,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,开启电压更低,发光均匀性更好,具有更好的发射特性。 展开更多
关键词 碳纳米管 平行栅 场发射 电泳 丝网印刷
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薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究 被引量:3
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作者 张杰 张永爱 +3 位作者 吴朝兴 汤巧治 贾贞 郭太良 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期179-183,共5页
利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间... 利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。 展开更多
关键词 背光源 场致发射显示器 平栅型 仿真
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平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用 被引量:6
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作者 王晓东 颜伟 +3 位作者 李兆峰 张博文 黄镇 杨富华 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1-13,共13页
为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作... 为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作原理进行了分析,介绍了集成平面天线如何解决耦合太赫兹波效率低的问题。然后,介绍了一些常用的平面天线结构,包括偶极子天线、贴片天线、缝隙天线、grating-gate和其他类型的结构,比较了各种天线的性能以及引入后对太赫兹探测器响应度的影响。通过对比不同天线结构的探测器响应度和噪声等效功率等参数指标,发现:采用平面天线结构之后,场效应晶体管太赫兹探测器的响应度有了大幅度的提升,各种类型的天线对探测器响应度都有不同程度的提升。本文着重介绍了几种集成于场效应晶体管的平面天线结构,包括各种天线的性能和研究进展,最后分析了场效应晶体管太赫兹探测器存在的问题和发展趋势。 展开更多
关键词 场效应晶体管太赫兹探测器 平面天线 grating-gate结构 响应度 噪声等效功率
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平栅极氧化锌场致发射电子源的制备及性能研究 被引量:1
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作者 张永爱 褚子航 +2 位作者 郑泳 周雄图 郭太良 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第23期23124-23127,共4页
采用传统的光刻技术制备平栅极场致发射阴极阵列,利用水热法原位合成ZnO发射源,并组装成平栅极ZnO场致发射电子源;利用光学显微镜、SEM和XRD表征其微观结构,分析ZnO发射源的生长机制,并结合场发射测试系统研究其发射特性。结果表明,ZnO... 采用传统的光刻技术制备平栅极场致发射阴极阵列,利用水热法原位合成ZnO发射源,并组装成平栅极ZnO场致发射电子源;利用光学显微镜、SEM和XRD表征其微观结构,分析ZnO发射源的生长机制,并结合场发射测试系统研究其发射特性。结果表明,ZnO发射源是平均直径为300nm的六方纤锌矿氧化锌纳米棒,且沉积在平栅极场致发射阴极阵列的阴极电极表面。场发射测试表明,平栅极ZnO场致发射电子源的发射特性完全由栅极控制。当阳极电压为2000V,器件的开启电压为150V;当栅极电压为275V时,发射电流可达345μA;在栅极电压为260V时,器件的发射电流波动范围为±5.5%左右,发光亮度高达750cd/m^2,表明该器件具有较好的场发射特性。 展开更多
关键词 ZNO 平栅极 场致发射 电子源
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模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源 被引量:1
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作者 吕文辉 张帅 +5 位作者 邵乐喜 刘贵昂 薛书文 张军 宋航 金亿鑫 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期593-596,共4页
采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源。静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射... 采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源。静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射电流衰减。为了解决此问题,提出将常开工作模式用于该电子源,并证实常开工作模式能够用于该电子源,并有利于解决电流衰减问题。因此,相对于常闭工作模式,常开工作模式更适合平面栅极型碳纳米管场发射电子源。 展开更多
关键词 平面栅极型碳纳米管场发射电子源 数值模拟 常闭工作模式 常开工作模式
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平面栅型FED的模拟研究 被引量:3
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作者 张婷 郭太良 《现代显示》 2009年第2期28-31,35,共5页
采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器(FED)的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响,结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明... 采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器(FED)的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响,结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明显,而阴栅间隙是影响阴极边缘电场分布的主要因素。 展开更多
关键词 平面栅型FED 电场模拟 场致发射
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平栅型氧化锡表面传导电子发射源的制备及场发射性能研究
15
作者 张永爱 林锑杭 +3 位作者 曾祥耀 张杰 周雄图 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1214-1218,共5页
利用磁控溅射、光刻和剥离技术在玻璃基底上成功制备了平栅型氧化锡表面传导电子发射源,并测试其场发射性能。扫描电镜和光学显微镜测试表明,沉积在阴极和栅极之间的氧化锡为不连续薄膜,直径大约在100~200nm。场发射测试表明,电子... 利用磁控溅射、光刻和剥离技术在玻璃基底上成功制备了平栅型氧化锡表面传导电子发射源,并测试其场发射性能。扫描电镜和光学显微镜测试表明,沉积在阴极和栅极之间的氧化锡为不连续薄膜,直径大约在100~200nm。场发射测试表明,电子发射源的传导电流和发射电流完全被栅压控制。在阳压和栅压分别为3200V和210V时,阴阳间距为500μm时,平栅型氧化锡表面传导电子发射源的电子发射效率为0.85%,发光亮度为850ed/m2,表明氧化锡薄膜在表面传导电子发射源方面有着较好的应用潜力。 展开更多
关键词 氧化锡薄膜 平栅型 表面传导 电子发射源
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平栅型双层膜的场致发射性能研究
16
作者 林金阳 陈知新 +1 位作者 张国成 谢文明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1845-1848,1853,共5页
通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低。... 通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低。在阳压为3000 V,隔离子高度为500μm时,平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110 V,在栅压为110 V时的发射效率为1%左右,随着栅压的增大,发射效率逐渐减小。该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性。 展开更多
关键词 平栅结构 场发射 双层膜 SNO2
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平面底栅型真空场发射三极管 被引量:2
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作者 吴胜利 龙铭刚 +2 位作者 贾东波 张劲涛 王晓 《真空电子技术》 2018年第3期1-5,共5页
真空场发射三极管(VFET)是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点。本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型VFET结构,对其电子发射特性和栅极调制特性进行研究。结果表... 真空场发射三极管(VFET)是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点。本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型VFET结构,对其电子发射特性和栅极调制特性进行研究。结果表明,三极管真空沟道中的电子发射为场致电子发射,栅极具有调制作用。所制备的VFET可在0.1Pa条件下工作,如进一步减小真空沟道尺寸,有望实现大气环境下工作,展现出潜在的发展前景。 展开更多
关键词 真空场发射三极管 平面底栅结构 电子发射特性 栅极调控机理
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无平面结敏感区及其栅控光探测器
18
作者 尹长松 李晓军 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期421-423,427,共4页
研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受... 研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,扩大了光探测器件的应用领域。 展开更多
关键词 光探测器 无平面结敏感区光探测器 栅控光探测器
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弧形闸门薄板板架计算的新方法
19
作者 鲁国春 聂武 +1 位作者 桂洪斌 张凯 《水运工程》 北大核心 2011年第7期153-157,共5页
弧形闸门结构强度高、结构简单、操控方便,在国内外水利工程中得到广泛应用。弧形闸门属于空间板架结构,计算方法采用有限元方法和平面体系结构力学方法。从经典板壳理论着手,分析具有纵横加强的板架强度问题,利用奇异函数精确定位各梁... 弧形闸门结构强度高、结构简单、操控方便,在国内外水利工程中得到广泛应用。弧形闸门属于空间板架结构,计算方法采用有限元方法和平面体系结构力学方法。从经典板壳理论着手,分析具有纵横加强的板架强度问题,利用奇异函数精确定位各梁的位置,推导出静力平衡微分方程,提出了弧形闸门的薄板板架计算新方法,并与有限元计算结果和平面计算结果对比,探讨该方法的可行性和计算精度问题。 展开更多
关键词 弧形闸门 有限元方法 平面体系 奇异函数 板壳理论
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IGBT阻断能力的优化设计
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作者 冯松 高勇 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2013年第7期99-100,共2页
阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度... 阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目,提高了IGBT的阻断能力,为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果,在场限环宽度分别为24μm,21μm,18μm,15μm,场限环间距为3μm,4μm,5μm,6μm,场限环数目为4个时,得到的阻断电压达到1 240V。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 平面穿通型 场限环 阻断能力
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