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Transport properties in monolayer–bilayer–monolayer graphene planar junctions
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作者 储开龙 王孜博 +1 位作者 周娇娇 江华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期338-345,共8页
The transport study of graphene based junctions has become one of the focuses in graphene research. There are two stacking configurations for monolayer–bilayer–monolayer graphene planar junctions. One is the two mon... The transport study of graphene based junctions has become one of the focuses in graphene research. There are two stacking configurations for monolayer–bilayer–monolayer graphene planar junctions. One is the two monolayer graphene contacting the same side of the bilayer graphene, and the other is the two-monolayer graphene contacting the different layers of the bilayer graphene. In this paper, according to the Landauer–Büttiker formula, we study the transport properties of these two configurations. The influences of the local gate potential in each part, the bias potential in bilayer graphene,the disorder and external magnetic field on conductance are obtained. We find the conductances of the two configurations can be manipulated by all of these effects. Especially, one can distinguish the two stacking configurations by introducing the bias potential into the bilayer graphene. The strong disorder and the external magnetic field will make the two stacking configurations indistinguishable in the transport experiment. 展开更多
关键词 monolayer graphene bilayer graphene graphene planar junction
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High-performance GaSb planar PN junction detector
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作者 Yuanzhi Cui Hongyue Hao +13 位作者 Shihao Zhang Shuo Wang Jing Zhang Yifan Shan Ruoyu Xie Xiaoyu Wang Chuang Wang Mengchen Liu Dongwei Jiang Yingqiang Xu Guowei Wang Donghai Wu Zhichuan Niu Derang Cao 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第9期48-52,共5页
This paper examines GaSb short-wavelength infrared detectors employing planar PN junctions. The fabrication was based on the Zn diffusion process and the diffusion temperature was optimized. Characterization revealed ... This paper examines GaSb short-wavelength infrared detectors employing planar PN junctions. The fabrication was based on the Zn diffusion process and the diffusion temperature was optimized. Characterization revealed a 50% cut-off wavelength of 1.73 μm, a maximum detectivity of 8.73 × 10^(10) cm·Hz^(1/2)/W, and a minimum dark current density of 1.02 × 10^(-5) A/cm^(2).Additionally, a maximum quantum efficiency of 60.3% was achieved. Subsequent optimization of fabrication enabled the realization of a 320 × 256 focal plane array that exhibited satisfactory imaging results. Remarkably, the GaSb planar detectors demonstrated potential in low-cost short wavelength infrared imaging, without requiring material epitaxy or deposition. 展开更多
关键词 ANTIMONIDE short-wave infrared planar junction zinc diffusion
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Enhanced topological superconductivity in an asymmetrical planar Josephson junction
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作者 张二虎 张钰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期200-207,共8页
As a platform for holding Majorana zero models(MZMs),the two-dimensional planar topological Josephson junction that can be used as carriers for topological quantum computing faces some challenges.One is a combination ... As a platform for holding Majorana zero models(MZMs),the two-dimensional planar topological Josephson junction that can be used as carriers for topological quantum computing faces some challenges.One is a combination of mirror and time-reversal symmetries may make the system hold multiple pairs of MZMs.The other is that a soft gap dominated by a large momentum occurs in a clean system.To solve these problems,asymmetric junction can be introduced.Breaking this symmetry changes the symmetry class from class BDI to class D,and only a single pair of MZMs can be left at the boundary of the system.We numerically study four cases that create an asymmetric system and find out different superconducting pairing potential,different coupling coefficients between two-dimensional electron gases(2DEGs)and two superconducting bulks,different widths of two superconducting bulks make the gap of the system decrease at the optimal value,but make the gap at the minimum value increases.And the zigzag-shape quasi-one-dimensional junction eliminates the large momentum parallel to the junction and enhances the gap at the large momentum.However,the zigzag-shape junction cannot increase the gap at the region of multiple pairs of MZMs in a symmetric system.We show that by combining zigzag-shape junction with different coupling coefficients,the system can maintain a large gap(≈0.2△)in a wide region of the parameter space. 展开更多
关键词 topological superconductivity planar Josephson junction Majorana zero modes
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量子电压芯片制备中的介质层平坦化
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作者 曹樾 徐思思 +4 位作者 钟源 李劲劲 钟青 曹文会 蔡晋辉 《计量学报》 北大核心 2025年第1期106-111,共6页
在制造量子电压芯片时,使用二氧化硅薄膜作为层间介质层(IDL)可以实现约瑟夫森结的电气连接。通常二氧化硅是保形沉积的,后续的铌线层容易在直角台阶附近形成晶界裂纹。考虑到光刻和芯片高低温循环可靠性,需要对IDL进行平坦化处理。相... 在制造量子电压芯片时,使用二氧化硅薄膜作为层间介质层(IDL)可以实现约瑟夫森结的电气连接。通常二氧化硅是保形沉积的,后续的铌线层容易在直角台阶附近形成晶界裂纹。考虑到光刻和芯片高低温循环可靠性,需要对IDL进行平坦化处理。相对其他平坦化方案,牺牲层回刻的方法工艺步骤简单,适用于小批量的研究工作。具体步骤为:在IDL上旋涂覆盖厚光刻胶层填充图形中的沟壑并形成平坦的界面;然后采用反应离子束刻蚀等速去除光刻胶和SiO_(2),整体上完全刻蚀到SiO_(2)层后即可得到平坦的介质层表面,消除绝缘层台阶。其中光刻胶和SiO_(2)的等速刻蚀通过调节氧气流量与射频功率来实现。在回刻过程中使用终点探测系统实时监控平坦化状态,根据反射光强变化曲线来判断刻蚀深度,并决定何时停止这一过程。采用以上方法成功在结区上方形成厚度适宜、表面平坦的介质层。将牺牲层回刻法应用于芯片的制备,得到了没有裂纹的铌线层。芯片具有良好的直流特性曲线,有效提升了芯片的高低温循环可靠性。 展开更多
关键词 电学计量 量子电压芯片 平坦化 回刻 终点探测 约瑟夫森结
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Labeling Line Drawings with Hidden-Part-Drawn of Planar Object with Trihedral Vertices 被引量:1
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作者 GAO Man-tun CAI Xu-peng 《Computer Aided Drafting,Design and Manufacturing》 2015年第2期1-13,共13页
Although line drawings consist of only line segments on a plane, they convey much information about the three-dimensional object structures. For a computer interpreting line drawings, some intelligent mechanism is req... Although line drawings consist of only line segments on a plane, they convey much information about the three-dimensional object structures. For a computer interpreting line drawings, some intelligent mechanism is required to extract three-dimensional information from the two-dimensional line drawings. In this paper, a new labeling theory and method are proposed for the two-dimensional line drawing with hidden-part-draw of a three-dimensional planar object with trihedral vertices. Some rules for labeling line drawing are established. There are 24 kinds of possible junctions for line drawing with hidden-part-draw, in which there are 8 possible Y and 16 W junctions. The three problems are solved that Sugihara's line drawing labeling technique exists. By analyzing the projections of the holes in manifold planar object, we have put forward a labeling method for the line drawing. Our labeling theory and method can discriminate between correct and incorrect hidden-part-draw natural line drawings. The hidden-part-draw natural line drawings can be labeled correctly by our labeling theory and method, whereas the labeling theory of Sugihara can only label the hidden-part-draw unnatural line drawings in which some visible lines must be drawn as hidden lines, and some invisible lines must be drawn as continuous lines. 展开更多
关键词 image understanding line drawing LABELING junction line drawing with hidden-part-drawn planar object
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究 被引量:1
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作者 何苗 周易 +7 位作者 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期15-22,共8页
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种... Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD
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平面结场板结构表面场分布的二维解析 被引量:2
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作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期915-918,共4页
提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响 .解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合 .
关键词 平面结 场板结构 电场分布 击穿电压
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平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究 被引量:4
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作者 李忠贺 李海燕 +2 位作者 杜红燕 亢喆 邱国臣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期814-816,共3页
研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。
关键词 锑化铟 离子注入 红外焦平面阵列探测器 平面结
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扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压 被引量:2
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作者 陈星弼 曾军 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期491-499,共9页
采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深... 采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。 展开更多
关键词 扩散平面结 电场 结电压 击穿电压
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基于热扩散制备平面PN结InSb红外焦平面芯片 被引量:2
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作者 亢喆 邱国臣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期757-762,共6页
研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、... 研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。 展开更多
关键词 锑化铟 红外焦平面阵列探测器 平面PN结 热扩散
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用MATLAB和打靶法实现平面PN结一维泊松方程的简捷计算 被引量:2
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作者 王忆锋 毛京湘 《红外》 CAS 2010年第2期44-46,共3页
对泊松方程有效地进行数值计算是PN结电荷分布与静电势之间关系分析的一个基本问题。介绍了一种利用MATLAB和打靶法求解平面PN结一维泊松方程的简捷方法。该方法的计算结果与有限差分法吻合得很好,并具有编程简单、使用方便的特点。
关键词 平面PN结 泊松方程 打靶法 MATLAB
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关于圆柱边界突变结的击穿电压 被引量:1
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作者 陈星弼 李肇基 李忠民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期463-466,共4页
求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解.它由若干项拉普拉斯方程的解和一项泊松方程的解组成.此解不象通常的圆柱对称解:在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配.计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用... 求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解.它由若干项拉普拉斯方程的解和一项泊松方程的解组成.此解不象通常的圆柱对称解:在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配.计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用一个简单表示式表示. 展开更多
关键词 平面结 击穿电压 电场分布
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平面结终端场位分析的数值方法综述
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作者 唐本奇 高玉民 罗晋生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1997年第3期1-2,29,共3页
本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较,总结了其中的一般性规律,对终端结构优化设计的发展提出了自己的看法。
关键词 平面结终端技术 器件物理方程 硅功率器件
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无平面结敏感区及其栅控光探测器
14
作者 尹长松 李晓军 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期421-423,427,共4页
研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受... 研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,扩大了光探测器件的应用领域。 展开更多
关键词 光探测器 无平面结敏感区光探测器 栅控光探测器
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一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较
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作者 王忆锋 毛京湘 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期666-667,687,共3页
通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。
关键词 平面PN结 环孔PN结 I-V特性 MATLAB
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圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布 被引量:1
16
作者 何进 《半导体情报》 2001年第1期54-57,共4页
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿... 基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。 展开更多
关键词 平面结 击穿电压 结深 电场分布 圆柱突变结
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无平面结敏感区硅光二极管
17
作者 尹长松 李晓军 +1 位作者 谷增云 王林 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第5期647-649,共3页
研制了在平面PN结内无敏感区的硅光探测器,测量了这种新结构器件的光电转换特性,说明在光照下,器件的光电流不为零值.
关键词 光敏二极管 面积PN结 平面结敏感区 硅光二极管
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通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
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作者 谢自力 夏德谦 +1 位作者 陈宏毅 朱志明 《半导体杂志》 1997年第3期4-8,共5页
通过温度压力改变,使整个LECGaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SIGaAs单晶。单晶表面离解少,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LECSIGaAs单晶生长过程中As的挥发和生长环境压力... 通过温度压力改变,使整个LECGaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SIGaAs单晶。单晶表面离解少,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LECSIGaAs单晶生长过程中As的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。 展开更多
关键词 液封直拉法 化学配比 结构缺陷 砷化镓 单晶生长
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平面连杆机构动态静力分析回转键合图法
19
作者 王中双 陈集 徐长顺 《机械设计与研究》 CSCD 北大核心 2008年第5期29-33,共5页
为提高多能域耦合平面连杆机构动态静力分析的效率及可靠性,提出了回转键合图法。阐述了建立平面连杆机构键合图模型的一般方法及其动力学原理。基于回转键合图推导出便于计算机自动生成的完整形式的系统驱动力矩及运动副约束反力的统... 为提高多能域耦合平面连杆机构动态静力分析的效率及可靠性,提出了回转键合图法。阐述了建立平面连杆机构键合图模型的一般方法及其动力学原理。基于回转键合图推导出便于计算机自动生成的完整形式的系统驱动力矩及运动副约束反力的统一公式,有效地克服了微分因果关系及非线性结型结构所带来的十分困难的代数问题,实现了计算机自动建模。实际算例表明了所述方法的有效性。 展开更多
关键词 平面连杆机构 动态静力分析 回转键合图 因果关系 非线性结型结构
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平面连杆机构动态静力分析回转键合图法 被引量:1
20
作者 王中双 解晓梅 徐长顺 《机械设计》 CSCD 北大核心 2009年第7期6-8,31,共4页
为提高多能域耦合平面连杆机构动态静力分析的效率及可靠性,提出了回转键合图法。阐述了建立平面连杆机构键合图模型的一般方法及其动力学原理。基于回转键合图推导出便于计算机自动生成的完整形式的系统驱动力矩及运动副约束反力的统... 为提高多能域耦合平面连杆机构动态静力分析的效率及可靠性,提出了回转键合图法。阐述了建立平面连杆机构键合图模型的一般方法及其动力学原理。基于回转键合图推导出便于计算机自动生成的完整形式的系统驱动力矩及运动副约束反力的统一公式,有效地克服了微分因果关系及非线性结型结构所带来的十分困难的代数问题,实现了计算机自动建模。实际算例表明了所述方法的有效性。 展开更多
关键词 平面连杆机构 动态静力分析 回转键合图 因果关系 非线性结型结构
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