期刊文献+
共找到144篇文章
< 1 2 8 >
每页显示 20 50 100
金属卤化物钙钛矿材料自掺杂研究进展
1
作者 陈旭 廖静 +1 位作者 谭理 李海进 《材料导报》 北大核心 2025年第7期1-9,共9页
近年来大量研究表明,自掺杂可定向调控有机-无机金属卤化物钙钛矿材料导电类型(P型或N型),优化其光吸收与载流子传输性能,进而提升器件光电转换效率。连续沉积自掺杂类型相反的两种钙钛矿,可制得新型双钙钛矿层异(同)质结(P-P结)太阳能... 近年来大量研究表明,自掺杂可定向调控有机-无机金属卤化物钙钛矿材料导电类型(P型或N型),优化其光吸收与载流子传输性能,进而提升器件光电转换效率。连续沉积自掺杂类型相反的两种钙钛矿,可制得新型双钙钛矿层异(同)质结(P-P结)太阳能电池。与传统钙钛矿太阳能电池相比,自掺杂P-P结太阳能电池的光活性层存在额外内建电场,可促进载流子的传输,从而减少非辐射复合。同时,钙钛矿双极性电荷传输的特性使其可充当电子传输层和空穴传输层。这允许P-P结太阳能电池摒弃传输层结构,简化器件结构、优化制备流程,为钙钛矿太阳能电池的进一步发展提供新方向。本文围绕有机-无机金属卤化物钙钛矿材料,详细阐述了调控其自掺杂类型的方法,讨论了自掺杂P-P结太阳能电池的物理机制及影响因素,梳理并总结了自掺杂钙钛矿在制备太阳能电池方面的应用,最后对其当前的技术难点和未来发展进行了总结与展望。 展开更多
关键词 钙钛矿 自掺杂 P(N)型钙钛矿 P-P异(同)质结
在线阅读 下载PDF
噻吩乙胺碘和甲胺碘协同钝化在宽带隙钙钛矿太阳电池中的应用
2
作者 赵桦 李仁杰 +7 位作者 王鹏阳 石标 黄茜 许盛之 杜晓娜 张德坤 赵颖 张晓丹 《南开大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期71-77,共7页
高效稳定的p-i-n型宽带隙钙钛矿太阳电池(WB PSCs)对于开发效率超过35%的钙钛矿/晶硅叠层太阳电池至关重要.然而,宽带隙钙钛矿薄膜具有较高的表面缺陷态密度严重影响了器件性能和运行稳定性.提出了一种使用2-噻吩乙胺碘(TEAI)和甲胺碘(M... 高效稳定的p-i-n型宽带隙钙钛矿太阳电池(WB PSCs)对于开发效率超过35%的钙钛矿/晶硅叠层太阳电池至关重要.然而,宽带隙钙钛矿薄膜具有较高的表面缺陷态密度严重影响了器件性能和运行稳定性.提出了一种使用2-噻吩乙胺碘(TEAI)和甲胺碘(MAI)混合添加剂在钙钛矿表面形成二维/三维(2D/3D)异质结的界面钝化策略,有效提高了器件性能和稳定性.与对照组相比,钝化后的器件缺陷态密度和电荷传输明显改善.钝化后的带隙为1.68 eV的p-i-n型宽带隙钙钛矿太阳电池效率达到20.15%,在一个太阳光强度的光稳定测试中长达1 000 s效率衰减低于5%,这为制备高效稳定的宽带隙钙钛矿太阳电池提供了新思路. 展开更多
关键词 p-i-n型宽带隙钙钛矿太阳电池 表面钝化 噻吩乙胺碘
原文传递
稀土基单晶基片电导率测试及其电学性能分析
3
作者 耿超亮 刘鹏 陈迪 《稀土》 北大核心 2025年第5期1-7,I0001,共8页
本研究旨在系统探讨不同单晶氧化物基片(主要为稀土基氧化物)在高温燃料电池等应用中的电导率特性。采用两端子电导率测试方法,通过改变氧分压和温度条件,测定了9种单晶基片(YSZ、YAO、LAO、NGO、LSAT、STO、LSGM、TSO、GSO)的电导率,... 本研究旨在系统探讨不同单晶氧化物基片(主要为稀土基氧化物)在高温燃料电池等应用中的电导率特性。采用两端子电导率测试方法,通过改变氧分压和温度条件,测定了9种单晶基片(YSZ、YAO、LAO、NGO、LSAT、STO、LSGM、TSO、GSO)的电导率,并分析了导电性质随环境变化的规律及其背后机制。为了实现良好的集流效果,实验通过磁控溅射技术在基片表面沉积100 nm厚的金属铂。实验结果表明,YSZ和LSGM在测试条件下表现出良好的离子电导率且不随氧分压变化;STO表现出显著的导电转变,在还原气氛下为n型导电,在氧化气氛下为p型导电;其他基片如YAO、LSAT、GSO、LAO在低氧分压下主要表现为离子电导,在高氧分压下则表现为空穴电导。本研究揭示了单晶基片电导特性的多样性及其对环境的敏感性,提供了关键数据支持,为高温燃料电池和其他电化学器件的材料设计和优化奠定了基础。 展开更多
关键词 单晶基片 n型导电 p型导电 氧化物 燃料电池
原文传递
不同林分类型筇竹地下系统碳氮磷化学计量特征 被引量:1
4
作者 黎卫东 董文渊 +3 位作者 钟欢 段继霞 付廷轩 孙建业 《西南林业大学学报(自然科学)》 北大核心 2025年第5期102-109,共8页
以云南省大关县木杆镇的天然筇竹-人工黄皮树混交林(T_(Q)-R_(p))、人工筇竹-黄皮树混交林(R_(QP))、天然筇竹-阔叶树混交林(T_(QB))、天然筇竹-山茶混交林(T_(QC))4种混交类型的筇竹林地下系统为研究对象,比较竹鞭、竹根和竹蔸的碳(C)... 以云南省大关县木杆镇的天然筇竹-人工黄皮树混交林(T_(Q)-R_(p))、人工筇竹-黄皮树混交林(R_(QP))、天然筇竹-阔叶树混交林(T_(QB))、天然筇竹-山茶混交林(T_(QC))4种混交类型的筇竹林地下系统为研究对象,比较竹鞭、竹根和竹蔸的碳(C)、氮(N)、磷(P)含量及其化学计量比的差异。结果表明:供试林分的筇竹竹鞭、竹根和竹蔸的C含量变幅分别为429.00~574.20、313.50~429.00、561.00~587.40 g/kg;N含量变幅分别为6.64~18.63、1.40~11.88、4.38~15.35 g/kg;P含量变幅分别为0.44~1.00、0.71~1.23、0.42~1.15 g/kg。4种林分类型筇竹地下系统C含量无显著差别,2种人工混交林中N、P含量显著高于2种天然混交林;筇竹地下系统C:N平均值依次为T_(QC)>T_(QB)>T_(Q)-R_(p)>R_(QP);C:P、N:P平均值均以T_(QB)最大,分别以R_(QP)、T_(QC)最小;除T_(QB)筇竹地下系统的生长发育受到N、P元素的共同限制外,其他林分类型筇竹地下茎的生长发育只受N元素的限制;筇竹地下系统C含量、C:P、N:P主要受器官影响,其次是林分;N、P含量及C:N的变异主要来源于林分,其次是器官。建议在抚育管理过程中合理施用N、P肥以改善土壤养分状况和提高植物养分利用效率。 展开更多
关键词 筇竹 林分 地下系统 C、N、P含量 化学计量比
在线阅读 下载PDF
p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究
5
作者 郭紫曼 汪洋 +4 位作者 刘洋 张腾 陈剑 卢寅梅 何云斌 《发光学报》 北大核心 2025年第3期373-382,共10页
针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔... 针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。实验结果表明,制备的MgZnOS∶N薄膜为六角纤锌矿结构,呈现c轴择优取向生长。薄膜在紫外-可见-近红外波段的透射率超过80%,且Mg掺杂可明显拓宽ZnO合金薄膜的光学带隙。所制备p型导电薄膜中的Mg和S含量分别为9%和25%,空穴浓度为2.02×10^(19) cm^(-3),霍尔迁移率为0.25 cm^(2)/(V∙s),电阻率为1.24Ω∙cm。在成功制备p型MgZnOS∶N薄膜的基础上,设计并制备了新型p-MgZnOS∶N/n-ZnO准同质p-n结型紫外光电探测器。器件呈现典型的二极管整流特性(开启电压约为1.21 V),且在0 V偏压下表现出稳定的自驱动紫外光响应,峰值响应度2.26 mA/W(波长为350 nm)。经分析,认为上述自驱动光响应来源于p-n结内建电场对光生载流子的有效分离和传输。本研究可为ZnO的p型掺杂研究提供有价值的参考,对开发高性能全ZnO基光电子器件具有重要意义。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 P型掺杂 MgZnOS P-N结
在线阅读 下载PDF
β相氧化镓p型导电研究进展 被引量:1
6
作者 查显弧 万玉喜 张道华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期177-189,共13页
β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga_(2)O_(3)p型掺杂的主要策略。对于β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga_(2)O_(3)的p型导电问题,系统阐述了β-Ga_(2)O_(3)电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) p型导电 电子结构 受主能级 固溶 P-N结
在线阅读 下载PDF
p-n复合半导体光催化剂研究进展 被引量:15
7
作者 吴欢文 张宁 +1 位作者 钟金莲 洪三国 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1669-1674,共6页
综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型&qu... 综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型"、"二极管"式p-n复合半导体光催化剂,分别对其研究状况进行了介绍。提出了当前p-n复合半导体光催化剂研究中存在的一些问题,并对未来的研究方向进行了探讨。 展开更多
关键词 光催化剂 p-n复合半导体光催化剂 p-n结光催化剂 光催化二极管 复合界面
在线阅读 下载PDF
防锈油膜在5% Na_2SO_4溶液中的半导体导电行为 被引量:8
8
作者 钟庆东 郑金 +2 位作者 徐乃欣 印仁和 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期276-279,共4页
采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型... 采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体 ,转变过程中 ,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层 .随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小 ,载流子密度则逐渐增加 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA) 展开更多
关键词 防锈油 NA2SO4 自腐蚀电位 油膜 N型半导体 过渡层 导电机制 行为 初期 层厚
在线阅读 下载PDF
防锈油膜失效过程中的导电行为转变 被引量:10
9
作者 钟庆东 郑金 +2 位作者 徐乃欣 印仁和 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期83-86,共4页
采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变... 采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变为n型半导体 ,防锈油膜逐渐出现两个空间电荷过渡层 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA)的密度 . 展开更多
关键词 防锈油膜 失效 导电机制.p型半导体 N型半导体 电位-电容法 Mort-Schottky分析
在线阅读 下载PDF
用含三嗪结构苯基磷酸酯的涤纶织物阻燃整理 被引量:5
10
作者 卢声 林杰 +2 位作者 路艳华 黄凤远 程德红 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期98-102,共5页
为提高涤纶织物的阻燃性能和润湿性能,用2,4-二羟乙基胺-6-氯-1,3,5-三嗪与苯基磷酰二氯制备了含三嗪环的苯基磷酸酯结构的P-N型阻燃整理剂BPAT,并采用二浸二轧整理工艺对涤纶织物进行阻燃整理。通过比较整理前后织物的红外光谱、扫描... 为提高涤纶织物的阻燃性能和润湿性能,用2,4-二羟乙基胺-6-氯-1,3,5-三嗪与苯基磷酰二氯制备了含三嗪环的苯基磷酸酯结构的P-N型阻燃整理剂BPAT,并采用二浸二轧整理工艺对涤纶织物进行阻燃整理。通过比较整理前后织物的红外光谱、扫描电子显微镜照片、热力学数据、续燃和阴燃时间以及润湿角,讨论了BPAT整理对涤纶织物阻燃性能的影响。结果表明:BPAT可提高涤纶织物的残炭率超过3倍,降低织物燃烧的阴燃和续燃时间到0.2 s和6.2 s,对涤纶织物具有较好的阻燃效果;经10次水洗后,整理织物的阻燃性略有降低,但降低程度不大,整理织物具有一定的阻燃耐久性;整理后涤纶织物的润湿性能明显改善。 展开更多
关键词 阻燃整理 涤纶织物 润湿性能 苯基磷酸酯 P-N型阻燃剂
在线阅读 下载PDF
P型和N型金刚石薄膜研究进展 被引量:11
11
作者 龚春生 李尚升 张贺 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期36-40,共5页
金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金... 金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 P型 N型
在线阅读 下载PDF
304不锈钢钝化膜在不同溶液中的半导体导电行为 被引量:8
12
作者 钟庆东 王超 +2 位作者 鲁雄刚 M.Rohwerder 周国治 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期341-344,共4页
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明,304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征,在5‰H2SO4溶液中,呈现两个空间电荷层,扫描电位低... 采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明,304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征,在5‰H2SO4溶液中,呈现两个空间电荷层,扫描电位低于0VSCE,钝化膜呈现p型半导体导电特征。而扫描电位大于0VSCE,钝化膜呈现n型半导体导电特征。钝化膜在5%NaOH溶液中呈现p型半导体导电特征。在不同溶液中载流子浓度随着浸泡时间的延长变化不大。 展开更多
关键词 304不锈钢钝化膜 导电机制 P型半导体 N型半导体
在线阅读 下载PDF
RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 被引量:5
13
作者 钟庆东 王艳珍 +2 位作者 李红蕊 M.Rohwerder M.Strattman 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期85-90,共6页
为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019m-3... 为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019m-3。随着浸泡时间的延长,RTV涂膜的导电行为从初期的p型半导体转变为绝缘体,RTV涂膜的空间电荷层电容CSC变化不大。随着测试频率的增加,RTV涂膜的CSC则逐渐减小。这一现象对RTV涂料的应用有一定指导意义。 展开更多
关键词 电位-电容法 Mott-Schottky分析 RTV涂膜 半导体转变 P型 N型
在线阅读 下载PDF
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计 被引量:7
14
作者 韦丽萍 王永华 +4 位作者 臧俊斌 崔丹凤 李艳娜 刘耀英 薛晨阳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1473-1477,共5页
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的... 针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考. 展开更多
关键词 等离子体色散效应 微环谐振腔 电光调制器 脊型波导 P—I—N型二极管
在线阅读 下载PDF
中国典型草原优势植物功能群氮磷化学计量学特征研究 被引量:89
15
作者 张文彦 樊江文 +3 位作者 钟华平 胡中民 宋璐璐 王宁 《草地学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期503-509,共7页
氮(N)和磷(P)影响陆地生态系统的植物生长、发育和系统的结构和功能等,而植物氮磷(NP)生态化学计量特征为研究植物的养分利用状况提供了重要的手段,不同功能群植物叶片N、P元素的系统研究将为草地生态系统植被的限制元素及其对环境的适... 氮(N)和磷(P)影响陆地生态系统的植物生长、发育和系统的结构和功能等,而植物氮磷(NP)生态化学计量特征为研究植物的养分利用状况提供了重要的手段,不同功能群植物叶片N、P元素的系统研究将为草地生态系统植被的限制元素及其对环境的适应策略提供参考依据。因此,以涵盖中国北方温带草原区和青藏高原区主要草地类型的草地样带为平台,通过系统采集该样带上132个采样点的33个主要优势植物叶片,分析了中国典型草地植物叶片N和P的生态化学计量学特征。结果表明:样带上主要物种的N含量、P含量、N/P的均值分别为18.18±6.16 mg.g-1、1.25±0.64 mg.g-1和16.75±6.67。其中,N和P存在显著的正相关关系(P<0.05);C3植物和C4植物的N、P含量无明显差异;双子叶植物、非禾本科植物、豆科植物、中生型植物的N、P含量分别高于相应的单子叶植物、禾本科植物、非豆科植物、旱生型植物;C3植物、双子叶植物、禾本科植物、豆科植物、旱生植物的N/P分别高于相应的C4植物、单子叶植物、非禾本科植物、非豆科植物、中生植物。总之,高寒草地植物的N、P含量高于温性草地植物,但其N/P却低于温性草地。 展开更多
关键词 化学计量学 功能群 温性草原 高寒草原
在线阅读 下载PDF
20号碳钢在不同溶液中的半导体导电行为 被引量:3
16
作者 钟庆东 王超 +1 位作者 鲁雄刚 周国治 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期265-267,共3页
采用电位—电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下20号碳钢在酸、碱和盐溶液中的半导体导电行为.结果表明,在腐蚀性介质作用下,随着时间和扫描电位的增加,20号钢空间电荷层电容(Capac itanceof space charge layer-Csc... 采用电位—电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下20号碳钢在酸、碱和盐溶液中的半导体导电行为.结果表明,在腐蚀性介质作用下,随着时间和扫描电位的增加,20号钢空间电荷层电容(Capac itanceof space charge layer-Csc)变化规律不同.20号碳钢在5‰硫酸溶液和5%硫酸钠溶液中呈现p型半导体导电特征,而在5%氢氧化钠溶液中,20号钢表面形成了两个空间电荷层结构,呈n型半导体特征. 展开更多
关键词 碳钢 导电机制 P型半导体 N型半导体.
在线阅读 下载PDF
碲镉汞p-on-n光伏器件优化掺杂的理论计算 被引量:4
17
作者 李向阳 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期71-73,共3页
从理论上考虑了碲镉汞长波光电二极管的主要电流机制 ,并采用合适的参数对R0 A进行了计算 .结果表明 ,由于隧道电流的限制 ,对于一定的衬底浓度 ,选择 p区掺杂的浓度不宜过大 ,反之亦然 .计算得到了优化掺杂浓度与衬底浓度的关系和相应的R0
关键词 碲镉汞光电二极管 p-on-n型 优化设计 理论计算 电流机制 光伏器件 长波红外探测器
在线阅读 下载PDF
3d过渡金属掺杂TiO_2纳米晶膜电极的光电化学研究 被引量:28
18
作者 李卫华 乔学斌 +3 位作者 高恩勤 杨迈之 郝彦忠 蔡生民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1534-1538,共5页
应用原子力显微镜和X射线粉末法对 3d过渡金属离子Cr(Ⅲ ) ,Fe(Ⅲ ) ,Mn(Ⅱ ) ,Co(Ⅱ ) ,Ni(Ⅱ ) ,Cu(Ⅱ )和Zn(Ⅱ )掺杂TiO2 纳米晶粒 (简写为M3d TiO2 )作了表征 ,并用光电化学方法研究了M3d TiO2 纳米结构多孔膜电极 .实验结果表明 ,... 应用原子力显微镜和X射线粉末法对 3d过渡金属离子Cr(Ⅲ ) ,Fe(Ⅲ ) ,Mn(Ⅱ ) ,Co(Ⅱ ) ,Ni(Ⅱ ) ,Cu(Ⅱ )和Zn(Ⅱ )掺杂TiO2 纳米晶粒 (简写为M3d TiO2 )作了表征 ,并用光电化学方法研究了M3d TiO2 纳米结构多孔膜电极 .实验结果表明 ,M3d TiO2 纳米粒子的颗粒较均匀 ,粒径约为 1 5nm ,其晶型为锐钛矿和板钛矿的混晶 .在所研究的M3d TiO2 中 ,只有Zn2 + TiO2 电极的光电流大于未掺杂的TiO2 纳米结构多孔膜电极 .3d金属离子的掺杂引起各电极的光电流信号在一定波长范围内出现 p 展开更多
关键词 光电化学 TiO2纳米晶膜电极 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响 被引量:9
19
作者 秦国平 孔春阳 +2 位作者 阮海波 南貌 朱仁江 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期64-66,72,共4页
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600... 利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。 展开更多
关键词 N-In共掺杂 P型ZNO 退火 透射谱
在线阅读 下载PDF
反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响 被引量:1
20
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期250-252,共3页
居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁... 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 8 下一页 到第
使用帮助 返回顶部