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AuBe/p-GaP接触体系界面特性随温度变化的研究 被引量：2
1
作者 林秀华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期99-104,共6页
微合金条件对Ｍ－Ｓ接触的表面与界面特性产生重要的影响．借助光电子能谱分析了ＡｕＢｅ／ｐ－ＧａＰ接触体系界面组分变化，用扫描电子显微镜观察其表面形貌；从冶金学观点解析了Ｍ－Ｓ接触界面反应的特征，并对其温度依赖关系进行了... 微合金条件对Ｍ－Ｓ接触的表面与界面特性产生重要的影响．借助光电子能谱分析了ＡｕＢｅ／ｐ－ＧａＰ接触体系界面组分变化，用扫描电子显微镜观察其表面形貌；从冶金学观点解析了Ｍ－Ｓ接触界面反应的特征，并对其温度依赖关系进行了讨论． 展开更多
关键词 AuBe/p-gap 接触界面 表面形貌 M-S接触
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p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面
2
作者 林秀华 江炳熙 徐富春 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期34-38,共5页
采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn... 采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。 展开更多
关键词 接触界面 半导体 p-gap化合物 XPS
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风机叶根法兰缝隙监测的光纤传感器研究
3
作者 李乃宁 陈晨 +2 位作者 孙华高 孙航 党琳 《电工技术》 2025年第7期159-162,共4页
针对风电机组叶根法兰缝隙的监测需求,提出了一种基于法布里-珀罗干涉的光纤位移传感器。首先,对法兰螺栓进行建模仿真,研究轴向载荷与法兰接触面间隙的变化关系。其次,利用光纤和石英毛细管制作光纤传感器,分析了位移传感原理,并进行... 针对风电机组叶根法兰缝隙的监测需求,提出了一种基于法布里-珀罗干涉的光纤位移传感器。首先,对法兰螺栓进行建模仿真,研究轴向载荷与法兰接触面间隙的变化关系。其次,利用光纤和石英毛细管制作光纤传感器,分析了位移传感原理,并进行了温度实验、位移实验。实验结果表明,传感器的温度灵敏度为11.9 pm/℃,位移灵敏度为15.6 pm/μm,线性度优于99%。该传感器具有结构简单、成本低、制作简单等特点,在叶根法兰缝隙监测方面有潜在应用价值。 展开更多
关键词 法兰缝隙 螺栓监测 F-P干涉 位移测量
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钯为基底的p－GaP低阻欧姆接触层的XPS分析
4
作者 张福甲 李宝军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期31-35,共5页
对钯为基底的多层金属膜Ｐｄ／ｚｎ／Ｐｄ与ｐ型ＧａＰ形成的低阻欧姆接触层的表面及界面进行了Ｘ光电子能谱（ｘｐｓ）的分析，由此给出该接触体系表面及界面处的各用分元素、电子结合状态、化学位移情况，同时也分析、讨论了接触层的... 对钯为基底的多层金属膜Ｐｄ／ｚｎ／Ｐｄ与ｐ型ＧａＰ形成的低阻欧姆接触层的表面及界面进行了Ｘ光电子能谱（ｘｐｓ）的分析，由此给出该接触体系表面及界面处的各用分元素、电子结合状态、化学位移情况，同时也分析、讨论了接触层的冶金性质。 展开更多
关键词 p-gap 钯 欧姆接触 X线电子能谱
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马尾松人工林林窗对土壤团聚体及有机碳分布的影响 被引量：17
5
作者 宋小艳 张丹桔 +3 位作者 张健 李建平 邓长春 邓超 《应用生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3083-3090,共8页
以四川宜宾39年生马尾松人工林人工采伐形成的不同大小林窗为对象，研究林窗对土壤团聚体的组成、有机碳及活性有机碳含量和储量的影响．结果表明：土壤团聚体组成以〉2mm团聚体为主，其含量占团聚体总量的51．7％～78．7％．〉5mm土壤... 以四川宜宾39年生马尾松人工林人工采伐形成的不同大小林窗为对象，研究林窗对土壤团聚体的组成、有机碳及活性有机碳含量和储量的影响．结果表明：土壤团聚体组成以〉2mm团聚体为主，其含量占团聚体总量的51．7％～78．7％．〉5mm土壤团聚体有机碳和活性有机碳含量与土壤总有机碳和总活性有机碳含量相关性最高，且有机碳及活性有机碳含量和储量均较高，是该地区土壤有机碳固定的特征团聚体，马尾松林窗形成后，土壤总有机碳及各团聚体有机碳含量普遍降低，但1225m^2林窗有机碳储量略高于林下；总活性有机碳含量仅225和400m^2林窗较马尾松林下高，总活性有机碳储量225、400、900和1225m^2林窗较马尾松林下高，其余面积林窗低于林下，这表明合适的林窗面积可以增加土壤有机碳及活性有机碳积累，林窗大小显著影响到团聚体的组成、有机碳及活性有机碳含量和储量，其中，1225m^2林窗土壤有机碳含量和储量均最高，活性有机碳储量也较高，且团聚体组成较好，是比较适宜的林窗面积。 展开更多
关键词 林窗 马尾松人工林 土壤团聚体 有机碳 活性有机碳
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Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析 被引量：1
6
作者 徐富春 林秀华 康俊勇 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期624-627,共4页
用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表... 用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540～550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值. 展开更多
关键词 欧姆接触 表面分析 热处理 Au-Be/GaP接触 半导体 表面形貌 XPS分析
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新的系统发育标记及其应用 被引量：11
7
作者 石楠 张利平 《微生物学通报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期112-115,共4页
系统发育标记是阐明个体间遗传关系的基因片段 ,为了区别遗传关系接近的分类单元 ,有许多新的系统发育标记被应用 ,配合其它分类手段的使用 ,为多相分类的研究注入了新的活力。
关键词 系统发育标记 RNASE P RNA基因 GYRB GAP
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p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究 被引量：1
8
作者 赵学平 张铭 +2 位作者 董国波 董培明 严辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A01期584-587,共4页
采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构,随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性... 采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构,随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高。当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20～32meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为p型半导体。 展开更多
关键词 P型 带隙 铜铁矿 Fe掺杂CuAlO2
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一维光子晶体的光学传输特性分析 被引量：58
9
作者 段晓峰 牛燕雄 +1 位作者 张雏 张存善 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1086-1089,共4页
采用等效F P腔方法对一维光子晶体进行研究 ,计算并讨论不同周期数的一维光子晶体对光学传输特性的影响 计算结果表明 ,一维光子晶体具有光子禁带 ,表现为对光的高反射率 ;掺杂的一维光子晶体的光子禁带中央将出现频宽极窄的缺陷态 ,... 采用等效F P腔方法对一维光子晶体进行研究 ,计算并讨论不同周期数的一维光子晶体对光学传输特性的影响 计算结果表明 ,一维光子晶体具有光子禁带 ,表现为对光的高反射率 ;掺杂的一维光子晶体的光子禁带中央将出现频宽极窄的缺陷态 ,即光子局域 ,与复折射率和晶体周期数有密切的关系 所得结果与实验分析一致 ,证明了方法的有效性和实用性 。 展开更多
关键词 一维光子晶体 光学传输特性 等效F-P腔方法 周期数 光子禁带 光子局域 缺陷态
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准毛细间隙反应器中直接电氧化合成茴香醛二甲基缩醛 被引量：7
10
作者 王明 徐颖华 +1 位作者 丁旭芬 马淳安 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期2193-2201,共9页
以准毛细间隙反应器为电化学合成装置，采用恒电流电解技术考察了阳极材料、支持电解质、电流密度等工艺参数对茴香醚直接电氧化合成茴香醛二甲基缩醛的影响。结果表明，收率从高到低采用的阳极材料依次为：石墨＞钛基铱钽＞钛基钌铱＞... 以准毛细间隙反应器为电化学合成装置，采用恒电流电解技术考察了阳极材料、支持电解质、电流密度等工艺参数对茴香醚直接电氧化合成茴香醛二甲基缩醛的影响。结果表明，收率从高到低采用的阳极材料依次为：石墨＞钛基铱钽＞钛基钌铱＞钛基铂；支持电解质依次为：对甲基苯磺酸钠＞苯磺酸钠＞氟化钾＞甲醇钠＞高氯酸钠＞间硝基苯磺酸钠；在电流密度1～9 A·dm-2范围内，反应选择性随着电流密度的增大而减小；添加适量的2,6-二甲基吡啶能抑制茴香醛二甲基缩醛的氧化从而提高反应选择性。在优化条件下，茴香醛二甲基缩醛的收率和电流效率分别达到75%和47%。 展开更多
关键词 准毛细间隙反应器 茴香醚 茴香醛二甲基缩醛 电化学 氧化 电解质 工艺条件
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溶胶-凝胶法制备CuAlO_2粉末及其光电性能研究 被引量：8
11
作者 钟焕周 刘远 +2 位作者 宋晓英 谢致薇 杨元政 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期642-646,共5页
采用柠檬酸络合的无机盐溶胶-凝胶法,结合自蔓延燃烧制备出铜铁矿结构的CuAlO2粉末。用DSC-TGA、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等分析方法对CuAlO2的形成过程、物相结构、微观形貌等进行了研究。结果表明:形成CuAlO2相的温度在1092℃左右... 采用柠檬酸络合的无机盐溶胶-凝胶法,结合自蔓延燃烧制备出铜铁矿结构的CuAlO2粉末。用DSC-TGA、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等分析方法对CuAlO2的形成过程、物相结构、微观形貌等进行了研究。结果表明:形成CuAlO2相的温度在1092℃左右,在1100℃烧结2 h可以得到铜铁矿结构CuAlO2纳米粉末,其粒径分布在50～200 nm之间。制备的样品为p型半导体,CuAlO2片的电阻率为45.5Ω.cm;光学带隙增大,其值约为3.75 eV。 展开更多
关键词 CuAlO2 溶胶-凝胶法 p型导电 光学带隙
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佐木阿汤对缺氧大鼠心肌细胞Ca^(2+)浓度及Cx43表达的影响 被引量：5
12
作者 郭鑫 尼玛次仁 +11 位作者 于天源 王淑艳 于雪 张林峰 次仁德吉 鲁梦倩 巴桑德吉 贾文端 多杰仁青 马驰 陶艳红 刘瑄慈 《中华中医药杂志》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期1469-1473,共5页
目的:探究佐木阿汤对缺氧大鼠H9C2心肌细胞Ca^(2+)及缝隙连接蛋白43(Cx43)表达的影响与机制。方法:将H9C2心肌细胞株分为正常组,模型组,5%、10%、15%佐木阿汤组,依那普利组和生理盐水组。通过含药血清干预与建立缺氧模型,应用CCK-8比色... 目的:探究佐木阿汤对缺氧大鼠H9C2心肌细胞Ca^(2+)及缝隙连接蛋白43(Cx43)表达的影响与机制。方法:将H9C2心肌细胞株分为正常组,模型组,5%、10%、15%佐木阿汤组,依那普利组和生理盐水组。通过含药血清干预与建立缺氧模型,应用CCK-8比色法检测细胞存活率,荧光酶标仪法检测心肌细胞内Ca2+浓度变化,Western Blot法测定心肌细胞中Cx43与p-Cx43表达。结果:(1)细胞存活率:15%佐木阿汤组、依那普利组显著高于模型组(P<0.05);(2)Ca^(2+)浓度:5%、10%、15%佐木阿汤组、依那普利组显著低于模型组(P<0.05);(3)Cx43与p-Cx43:15%佐木阿汤组、依那普利组表达显著高于模型组(P<0.01)。结论:佐木阿汤可能通过降低细胞内Ca2+浓度,提高Cx43与p-Cx43表达,改善细胞间隙通讯,对缺氧心肌细胞具有一定的预防和保护作用。 展开更多
关键词 佐木阿汤 心肌细胞 缺氧损伤 CA2+ 缝隙连接 缝隙连接蛋白43 磷酸化缝隙连接蛋白43
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中国潜在产出测算实证研究 被引量：3
13
作者 董利民 吕连菊 张学忙 《中国农学通报》 CSCD 2006年第10期519-524,共6页
在对中国潜在产出测算研究状况进行评介的基础上,分别使用H-P滤波法和生产函数法估算了中国1978—2004年间的潜在产出、产出缺口和潜在产出增长率。结果表明:(1)1978—2004年间,中国的产出缺口出现了波动水平正负交替的周期情形;(2)199... 在对中国潜在产出测算研究状况进行评介的基础上,分别使用H-P滤波法和生产函数法估算了中国1978—2004年间的潜在产出、产出缺口和潜在产出增长率。结果表明:(1)1978—2004年间,中国的产出缺口出现了波动水平正负交替的周期情形;(2)1995年以前产出缺口的波动幅度比较剧烈且较为频繁,1996年特别是1999年以后产出缺口的变化较为平缓;(3)1997年以后,虽然经济的增长率保持较高的水平,但是生产要素的实际利用水平却逐渐降低;(4)生产函数法得到的结果基本客观的反映了改革开放后,中国开始从计划经济向市场经济过渡到市场经济初步建立这一时期的生产要素使用情况。(5)根据H-P滤波法和生产函数法估算的潜在产出,得到1978—2004年间的平均潜在产出增长率分别为9.54%和9.67%。根据估计结果,在今后几年,通过适当的宏观调控,把中国的经济增长率稳定在8%～9%可能是一个较好的选择。 展开更多
关键词 潜在产出 产出缺口 H—P滤波法 生产函数法
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四川芦山M_S7.0地震震源区及其周边区域P波三维速度结构研究 被引量：11
14
作者 李大虎 吴萍萍 丁志峰 《地震学报》 CSCD 北大核心 2015年第3期371-385,共15页
利用四川数字地震台网和流动地震台站在芦山MS7.0地震震后(2013年4月20日—6月23日)记录到的2 026次区域地震事件的28 188条P波到时资料,采用地震层析成像方法反演得到了芦山地震震源区及其周边区域中上地壳P波三维速度结构.结果表明,... 利用四川数字地震台网和流动地震台站在芦山MS7.0地震震后(2013年4月20日—6月23日)记录到的2 026次区域地震事件的28 188条P波到时资料,采用地震层析成像方法反演得到了芦山地震震源区及其周边区域中上地壳P波三维速度结构.结果表明,浅部地壳的P波速度异常分布特征与地表地质构造、地形和岩性密切相关,即成都断陷盆地表现出与第四纪沉积有关的低速异常区;犍为、乐山一带的川中微升区和川青块体龙门山以西的邻近地带均表现为与构造抬升有关的高速异常;宝兴、康定附近分布的基性火山岩及火山碎屑岩均呈局部高速异常分布.芦山地震震源位于高低速异常分界线附近且偏向高速体一侧,其下方存在明显的低速异常分布,可能与流体的存在有关.流体的作用导致中上地壳内部发震层的弱化,使孕震断层易于破裂,可能对芦山地震起到了触发作用.芦山地震与汶川地震两次地震的余震密集区相距50km,这50km地震空区震源体的深度范围附近目前正处于高速异常区内,加之龙门山断裂带西南段又具有比较典型的断错地貌发育,使得该段地震空区(大邑—邛崃活动断裂破裂空段)现在所处的深浅部构造环境变得复杂,其潜在的地震危险性仍值得进一步关注. 展开更多
关键词 芦山地震 震源区 层析成像 龙门山断裂 P波三维速度结构 地震空区
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不同林窗马尾松凋落叶与土壤养分变化研究 被引量：2
15
作者 魏大平 张丹桔 +3 位作者 李勋 张艳 李川北 张健 《植物研究》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期128-138,共11页
以现有42年生的马尾松(Pinus massoniana)人工纯林,经过采伐形成4种不同大小有效面积的林窗(100、400、900和1 600 m2)为研究对象,以未经采伐的42年生马尾松人工纯林为对照样地,采用凋落叶分解袋法,研究不同大小有效面积林窗对马尾松凋... 以现有42年生的马尾松(Pinus massoniana)人工纯林,经过采伐形成4种不同大小有效面积的林窗(100、400、900和1 600 m2)为研究对象,以未经采伐的42年生马尾松人工纯林为对照样地,采用凋落叶分解袋法,研究不同大小有效面积林窗对马尾松凋落叶、土壤C、N、P及化学计量比和养分损失率的影响。研究结果表明:(1)不同大小有效面积林窗下的马尾松凋落叶、土壤C、N、P含量及养分损失率除土壤P含量和马尾松凋落叶P养分损失率外,均存在显著差异。随着林窗有效面积G1~G4的增大,马尾松凋落叶C、N、P含量均呈降低趋势,三者均在G3林窗体现出较小值。马尾松凋落叶C、N、P养分损失率、土壤C、N、P养分含量多呈抛物线趋势,且均在G2或G3林窗体现出最大值。(2)不同大小有效面积林窗下的马尾松凋落叶、土壤C/N/P均存在显著差异。随着林窗有效面积G1~G4的增大,马尾松人工林土壤C/N/P基本呈抛物线变化趋势,土壤C/N在G3林窗出现最大值,土壤C/P、N/P均在G2林窗体现出最大值;土壤C/N、C/P、N/P变异系数分别为13.31%、16.51%、17.21%。马尾松凋落叶C/N、C/P均在G3体现出最小值。(3)马尾松凋落叶C、N含量与土壤C、C/N/P及环境因子的相关性较强,P含量与它们的相关性较弱;C/N与土壤P、C/N/P及环境因子的相关性较强,C/P、N/P与土壤C/P及环境因子的相关性较强;C、N养分损失率与土壤C、C/N、C/P及环境因子的相关性较强,P养分损失率与土壤C、N、P含量及其化学计量比和环境因子的相关性较弱。土壤C、N、P含量及其化学计量比与环境因子的相关性较强。 展开更多
关键词 马尾松人工林 林窗 养分损失率 马尾松凋落叶 土壤 养分含量
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基于产出缺口估计的通货膨胀压力测度研究 被引量：2
16
作者 贾德奎 《经济经纬》 CSSCI 北大核心 2009年第4期21-23,共3页
笔者利用HP滤波方法估计中国近年的产出缺口状况,并建立描述中国宏观经济中产出缺口与通货膨胀之间关系的菲利普斯曲线方程式,最后采用计量方法进行实证研究发现,持续偏快的经济增长率是中国近年来出现通货膨胀的主要因素。基于此,中国... 笔者利用HP滤波方法估计中国近年的产出缺口状况,并建立描述中国宏观经济中产出缺口与通货膨胀之间关系的菲利普斯曲线方程式,最后采用计量方法进行实证研究发现,持续偏快的经济增长率是中国近年来出现通货膨胀的主要因素。基于此,中国政策当局应当坚持货币政策稳定物价的单一调控目标,并通过控制经济增长速度,来避免宏观经济中出现严重的通货膨胀。 展开更多
关键词 通货膨胀压力 P—Star 产出缺口 菲利普斯曲线
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p-Bloch空间及Q_(p,0)空间与具有Hadamard间隙的全纯函数 被引量：1
17
作者 胡鹏彦 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2002年第4期1-9,共9页
利用 p Carleson测度及具有Hadamard间隙的全纯函数讨论 p Bloch空间与Qp ,0 空间之间的关系 ,证明了 :①当 34 p<1时 ,Bp ∩1- 2 ( 1- p)n <q 1Qq ,0 ,且包含关系是严格的 ;②设 n- 1n <q 1 - 2 ( 1 - p)n 1 ,则Bp 与Qq
关键词 全纯函数 P-BLOCH空间 Qp 0空间 Hadamard间隙 p-Carleson测度
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大别山超高压变质带中牛凸岭地区低温-高压榴辉岩的发现及其意义 被引量：2
18
作者 石永红 林伟 王清晨 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1288-1296,共9页
依据对南大别超高压带腹地的榴辉岩野外地质调查、岩相学和热力学的研究表明,南大别腹地——牛凸岭地区榴辉岩属于低温高压榴辉岩,并未经历超高压变质作用。该地区榴辉岩的共生围岩主要为片岩、片麻岩和斜长角闪岩,石榴石多为自形-半自... 依据对南大别超高压带腹地的榴辉岩野外地质调查、岩相学和热力学的研究表明,南大别腹地——牛凸岭地区榴辉岩属于低温高压榴辉岩,并未经历超高压变质作用。该地区榴辉岩的共生围岩主要为片岩、片麻岩和斜长角闪岩,石榴石多为自形-半自形,内含大量的早期矿物包体,峰期变质温压条件分别为:T=360～520℃;P=1.3～2.4GPa。对比南大别超高压榴辉岩形成的变质条件,两者压力差可达0.7GPa,约20km 厚的地壳深度缺失。结合构造分析牛凸岭单元更类似于桐城-源潭铺高压块体,推测其属于构造上层部位岩片。 展开更多
关键词 榴辉岩 峰期变质P—T条件 牛凸岭单元 压力差
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室上性心动过速中旁道折返的少见现象 被引量：1
19
作者 黄捷英 刘庆山 +3 位作者 梁金锐 李莉 杨芳 顾复生 《心电学杂志》 2001年第1期6-9,58,共5页
报告阵发性室上性心动过速 (PSVT)电生理检查中发现的几种少见的旁道电生理特性。例1为一左侧隐匿性房室旁道参与的房室折返性心动过速 ,其心室扫描示旁道逆向有效不应期260ms,但520～390ms时无逆向传导功能。例2为一慢_慢型房室交接区... 报告阵发性室上性心动过速 (PSVT)电生理检查中发现的几种少见的旁道电生理特性。例1为一左侧隐匿性房室旁道参与的房室折返性心动过速 ,其心室扫描示旁道逆向有效不应期260ms,但520～390ms时无逆向传导功能。例2为一慢_慢型房室交接区折返性心动过速 ,同时存在一条右侧隐匿性房室旁道作为旁观者。例3为一宽QRS波群心动过速 ,其体表心电图呈典型马海姆纤维型预激综合征 ,电生理揭示存在左侧房室隐匿性旁道和束室旁道两条附加旁道 ,前者为心动过速的逆传支 ,后者与房室结_希室束同为顺传支。 展开更多
关键词 室上性心动过速 预激综合征 裂隙现象 旁观现象 电生理 心电图
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p型透明导电SrCu_2O_2薄膜电学性能的研究进展
20
作者 高岭 方亮 +3 位作者 董建新 彭丽萍 陈勇 汪立文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期322-325,共4页
SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的... SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的导电机理,并对影响SrCu_2O_2电学性能的因素及如何提高其导电性能进行了讨论。 展开更多
关键词 SrCu2O2 透明导电膜 带隙 P型半导体
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