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题名一种高精度、快速瞬态响应的无片外电容低压差稳压器
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作者
白创
李凯
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机构
长沙理工大学物理与电子科学学院
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出处
《科技创新与应用》
2024年第28期39-42,共4页
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基金
湖南省大学生创新创业训练计划(S202310536160)。
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文摘
该文基于0.18μm工艺设计一种无片外电容低压差稳压器(LDO),设计带推挽输出级的高摆率误差放大器提高输出电压精度和瞬态性能。此外,设计自适应偏置电路取样输出电流从而动态改变偏置电流,进一步提升LDO的瞬态性能。仿真结果表明,LDO压差为120 mV,在3.3~5.5 V的输入范围内输出电压为3 V,负载电流范围为0~20 mA。在不同负载电流下LDO相位裕度均达到60°以上,环路增益大于100dB。LDO线性调整率为100.68μV/V,负载调整率为11.21μV/mA。负载电流在1μs内于100μA~20mA间跳变时,过冲及建立时间分别为129 mV和1.4μs,下冲及建立时间为109 mV和1.02μs,满足高精度和快速瞬态响应的需求。
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关键词
低压差稳压器
无片外电容
自适应偏置
高摆率
快速瞬态响应
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Keywords
low-dropout regulator
output-capless
adaptive biasing
high slew-rate
fast transient response
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于体端调制技术的快速瞬态响应LDO设计
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作者
夏荣华
陈磊
崔杰
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机构
上海电力大学电子与信息工程学院
南京理工大学电子工程与光电技术学院
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出处
《电子元件与材料》
北大核心
2024年第12期1493-1501,共9页
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基金
国家自然科学基金青年项目(62001232)。
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文摘
随着Wi-Fi 7标准的提出,对低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应能力提出了更高的要求。为满足需要,基于0.11μm CMOS工艺,设计了一种快速瞬态响应的无输出电容高性能LDO。利用体端调制技术,为功率管级缓冲级体端提供自适应偏置,在负载跳变时实现快速瞬态响应。同时,采用以比较器为核心的摆率增强电路,进一步减小LDO输出的下冲电压。主通路通过采用折叠共源共栅与超级源跟随的架构,并使用加入调零电阻的混合共源共栅补偿来提高增益与相位裕度。仿真结果表明,在各负载条件下,相位裕度均能达到50°以上,满足稳定性需求。当负载电流在1μs内从空载跳变到40 mA时,输出下冲电压为123.6 mV,输出过冲电压为45.9 mV,相比传统LDO分别减小了1.26 V和72.5 mV。
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关键词
快速瞬态响应
无片外电容
体端调制技术
Hybrid
Cascode补偿
超级源跟随
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Keywords
fast transient response
output-capless
body-modulation technique
hybrid cascode compensation
super source follower
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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