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Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟
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作者 王守武 郑一阳 +1 位作者 郗小林 张进昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1983年第4期321-333,共13页
本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时... 本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响. 展开更多
关键词 The TRANSFORMATIONS between stationary and TRANSIT DOMAINS in a GUNN device which has n^+-n-n^+ SANDWICH structure with doping gradient near the anode are investigated.Experimental observation computer simulation carried out.when th
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