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一种具有不可恢复的过流保护电路设计
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作者 唐俊 徐立浩 +2 位作者 王喆 张心静 李晨洋 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第10期61-65,共5页
为满足工业设备过流保护需求,提出一种基于模块化设计的电子电路解决方案,旨在实现精准电流检测与快速保护响应。采用模块化设计架构,集成电流感应放大器、迟滞比较器和继电器协同工作。通过电流感应放大器实现0.1 mA级精度信号采集,利... 为满足工业设备过流保护需求,提出一种基于模块化设计的电子电路解决方案,旨在实现精准电流检测与快速保护响应。采用模块化设计架构,集成电流感应放大器、迟滞比较器和继电器协同工作。通过电流感应放大器实现0.1 mA级精度信号采集,利用迟滞比较器设置保护阈值,配合固态继电器执行电路通/断控制。实验结果表明:当电流超过设定阈值时,电路在10 ms内完成切断动作,且在阈值电流下降到阈值电流以下仍保持断路状态,避免误恢复。经多次循环测试验证,保护动作准确率达98.4%,有效杜绝了因多次过流对设备造成的潜在损害,为高精度电流保护提供创新方案。 展开更多
关键词 过流保护 模块化设计 电流感应放大器 切断电流通路 保持短路状态
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压力容器表面缺陷涡流检测系统设计与实现 被引量:1
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作者 王晋 任毅 +4 位作者 王海涛 张宏 刘浩 陈玺名 李琪 《计算机测量与控制》 2025年第6期30-38,共9页
随着石油、能源、化工等行业的迅速发展,能源运输与能源储备需求日益增加,石油管道和大型储罐等带涂层压力容器的可靠性和安全性极其重要,压力容器表面涂层的存在导致定期检查时基体表面缺陷无法被直接辨识,因此需要使用更高效准确的无... 随着石油、能源、化工等行业的迅速发展,能源运输与能源储备需求日益增加,石油管道和大型储罐等带涂层压力容器的可靠性和安全性极其重要,压力容器表面涂层的存在导致定期检查时基体表面缺陷无法被直接辨识,因此需要使用更高效准确的无损检测方法对其进行检测;阵列涡流检测技术继承了常规涡流检测技术的表面要求低、无需耦合、检测速度快等优点;基于基础涡流检测实验系统结合硬件电路及上位机搭建集成化涡流检测系统,通过实验数据分析实际检测中传感器输出信号与缺陷之间的关系,验证了搭建的集成化涡流检测系统与所设计传感器对缺陷检测的有效性。 展开更多
关键词 压力容器 缺陷检测 涂层 涡流传感器 集成化系统 提离
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氨浴处理p型SnO薄膜晶体管的性能研究
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作者 许磊 梁茹钰 +4 位作者 宗石 王维民 段正昊 郑凯典 陈柏璇 《郑州航空工业管理学院学报》 2025年第4期77-83,共7页
p型氧化亚锡(SnO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是一类重要的半导体器件,在电子电路领域具有广阔的应用前景,但其高关态电流导致器件功耗过大。为解决这一问题,通过氨浴处理在室温下对p型SnO实现氮(N)掺杂,有效调控Sn的价态,从... p型氧化亚锡(SnO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是一类重要的半导体器件,在电子电路领域具有广阔的应用前景,但其高关态电流导致器件功耗过大。为解决这一问题,通过氨浴处理在室温下对p型SnO实现氮(N)掺杂,有效调控Sn的价态,从而使氧空位缺陷得到钝化,薄膜晶体管的关态电流大幅下降。研究结果表明:氨浴60 min的SnO TFT的关态电流从最初的4.57×10^(-10)A改善至6.97×10^(-11)A,降低1.5个数量级,在30 V的高栅偏压下阈值电压偏移(ΔV_(th))仅为0.64 V。这为提高p型SnO TFT的性能提供了可行的解决方案,展现了其在逻辑应用、透明电子电路等领域的发展潜力。 展开更多
关键词 p型SnO 薄膜晶体管 氨浴处理 关态电流 稳定性
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带涂层压力容器腐蚀缺陷脉冲涡流检测及内外伤区分方法研究
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作者 张永红 黄琳枝 +3 位作者 陈涛 徐拥军 宋小春 何鹏 《压力容器》 北大核心 2025年第6期63-73,共11页
由于提离距离及探头姿态未知,带涂层的压力容器缺陷检测存在极大误差。为了提高检测精度,提出一种未知提离状态下压力容器腐蚀减薄缺陷脉冲涡流检测及信号处理方法。首先,利用仿真软件建立腐蚀缺陷脉冲涡流检测模型,研究检测信号与提离... 由于提离距离及探头姿态未知,带涂层的压力容器缺陷检测存在极大误差。为了提高检测精度,提出一种未知提离状态下压力容器腐蚀减薄缺陷脉冲涡流检测及信号处理方法。首先,利用仿真软件建立腐蚀缺陷脉冲涡流检测模型,研究检测信号与提离距离之间的关系;然后,利用关键特征参数消除提离干扰,构建用于表征材料厚度变化的标定曲线,并结合频域分析对不同类型缺陷的区分方法进行优化;最后,搭建试验测试系统,对带有不同腐蚀减薄缺陷的钢板试件进行测试。结果表明,该方法能够有效抑制提离效应,在0~9 mm提离范围内精确识别试件表面1 mm的厚度变化,并能够区分内外表面缺陷。该方法可用于未知提离下压力容器腐蚀缺陷的高精度检测及分类识别。 展开更多
关键词 脉冲涡流 腐蚀缺陷 未知提离 缺陷分类 信号处理
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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
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作者 范继锋 王永强 +2 位作者 张艺 李巍 雷鹏 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期241-247,共7页
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基... 为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。 展开更多
关键词 GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压
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端面电流密度对硝酸羟胺基电控固体推进剂燃烧性能的影响
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作者 刘富涵 鲁浩洋 +3 位作者 夏德斌 张健 林凯峰 杨玉林 《含能材料》 北大核心 2025年第8期892-897,共6页
为了探究端面电流密度对硝酸羟胺基电控固体推进剂(HAN‑ECSP)燃烧性能的影响,通过改变HAN‑ECSP与Cu电极的接触面积比调节推进剂一端的端面电流密度,对其分解产气性能、燃烧性能及燃烧启停性能进行研究。结果表明,当推进剂与电极阴极接... 为了探究端面电流密度对硝酸羟胺基电控固体推进剂(HAN‑ECSP)燃烧性能的影响,通过改变HAN‑ECSP与Cu电极的接触面积比调节推进剂一端的端面电流密度,对其分解产气性能、燃烧性能及燃烧启停性能进行研究。结果表明,当推进剂与电极阴极接触的端面电流密度较大时,推进剂的燃烧性能改善显著。然而,过小的有效接触面积会导致局部电流密度过高,可能引发电极损坏。因此,电极阳极和阴极与推进剂的最佳接触面积比为1∶0.4。相较于未更改电极与推进剂的接触面积时,推进剂与电极阴极接触的端面电流密度从301 A·m^(-2)增至2466 A·m^(-2)。通过产气和燃烧性能测试,端面电流密度增大了2165 A·m^(-2)后,推进剂的产气总压强提高了4.8倍,产气速率提高了12倍,点火延迟时间从3.13 s降至0.76 s,质量燃烧速率从0.07 g·s^(-1)增至0.22 g·s^(-1)。并且在此端面电流密度下,推进剂依旧保持了出色的电控启停性能。 展开更多
关键词 硝酸羟胺基电控固体推进剂(HAN‑ECSP) 燃烧性能 端面电流密度 燃烧启停性能
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变电站现场定检中电流二次回路通断测试研究
7
作者 李邦源 常荣 《云南电力技术》 2025年第1期52-56,共5页
电流二次回路设计复杂的线路,导致其故障检测效率低下。提出变电站现场定检中电流二次回路通断测试,采用双端口稳压调控技术,采集电流二次回路状态数据。利用模糊均值聚类算法,对状态数据进行分类处理。结合实时频谱分析技术和高斯分布... 电流二次回路设计复杂的线路,导致其故障检测效率低下。提出变电站现场定检中电流二次回路通断测试,采用双端口稳压调控技术,采集电流二次回路状态数据。利用模糊均值聚类算法,对状态数据进行分类处理。结合实时频谱分析技术和高斯分布特性,构建了故障检测模型。基于深度学习,进行电流二次回路故障定位。实验结果显示,该方法在通断速度上具有显著优势,最快通断时间仅为0.5 s,相较于其他传统方法,效率更高,性能更优。本文的研究成果为变电站现场定检中电流二次回路通断测试提供了新的思路和方法,有助于电力系统的智能化发展。 展开更多
关键词 电流二次回路 通断测试 故障检测 实时频谱分析 深度学习
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基于ACFM的厚涂层下裂纹检测技术优化
8
作者 隋涛 焦权明 +1 位作者 李昀恒 张双楠 《沈阳理工大学学报》 2025年第4期36-42,共7页
针对现有交流电磁场检测(ACFM)技术对10 mm以上涂层的金属工件裂纹缺陷检测灵敏度低的问题,提出一种优化磁路的ACFM方法。通过有限元仿真软件建立厚涂层下ACFM仿真模型,分析不同检测频率和磁轭跨度在10 mm提离高度下缺陷信号的变化规律... 针对现有交流电磁场检测(ACFM)技术对10 mm以上涂层的金属工件裂纹缺陷检测灵敏度低的问题,提出一种优化磁路的ACFM方法。通过有限元仿真软件建立厚涂层下ACFM仿真模型,分析不同检测频率和磁轭跨度在10 mm提离高度下缺陷信号的变化规律,选取最优探头参数组合以改变磁路。搭建检测系统进行实验验证,结果表明:采用仿真得到的探头参数组合,检测系统可实现对10 mm厚涂层下工件表面缺陷的有效检出;当涂层厚度大于4 mm时,选用30 mm跨度磁轭比选用10 mm跨度磁轭显示出更高的检测灵敏度,表明研究结果对10 mm以上厚涂层ACFM检测的开展具有参考价值。 展开更多
关键词 交流电磁场检测 检测频率 磁轭跨度 提离高度 有限元
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自换相电流源型高压直流输电关键技术研究综述
9
作者 张闻闻 魏晓光 +3 位作者 汤广福 陈龙龙 王以璇 齐磊 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第8期3102-3119,I0021,共19页
采用全控器件构成的自换相电流源型换流器(self-commutated current source converter,SCC)具备高功率密度、功率因数可控、无换相失败的风险以及能够柔性接入电网等特点,在高压直流输电领域具备广阔的应用前景。该文以工程需求为目标,... 采用全控器件构成的自换相电流源型换流器(self-commutated current source converter,SCC)具备高功率密度、功率因数可控、无换相失败的风险以及能够柔性接入电网等特点,在高压直流输电领域具备广阔的应用前景。该文以工程需求为目标,结合理论分析与工程要求从拓扑结构、调制方法、控制策略、功率器件的筛选以及器件均压一致性等5个方面分析概括了自换相电流源型高压直流输电应解决的关键技术,指出上述5个关键技术研究的重点及与工程的契合性。最后对SCC后续研究的重点、应用的前景以及仍需关注的问题进行了分析与总结。 展开更多
关键词 电流源型换流器 高压直流输电 控制策略 全控器件
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HXD_(1)型机车C5修网络控制系统及主辅变流装置不下车检修可行性分析
10
作者 田凯 《铁道机车车辆》 北大核心 2025年第S1期58-65,共8页
根据国铁集团修程修制改革工作要求,为逐步实现HXD_(1)型机车网络、变流系统的自主检修,不断推进节支降本增效的总体规划,结合HXD_(1)型机车网络、变流系统的“不下车”检修工作推进,对比分析了“下车拆解”检修与“不下车”检修的规程... 根据国铁集团修程修制改革工作要求,为逐步实现HXD_(1)型机车网络、变流系统的自主检修,不断推进节支降本增效的总体规划,结合HXD_(1)型机车网络、变流系统的“不下车”检修工作推进,对比分析了“下车拆解”检修与“不下车”检修的规程、工艺执行上存在的差异性及存在的质量风险项点;结合HXD_(1)型货运机车日常运行环境,引入HXD_(1)型机车网络、变流系统“下车不解体”检修要求,并通过综合分析其规程符合性、检修停时、检修成本情况;认为基于目前规程、范围要求下,HXD_(1)型机车C5修网络、变流系统更适合于下车但不解体检修的模式进行,有利于检修停时及质量的控制;该研究为后续网络、变流系统核心部件完全自主修推进工作奠定基础。 展开更多
关键词 HXD_(1)型机车 微机网络控制系统 主辅变流装置 C5修 不下车检修
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基于双模式变频移相调制的单级式双有源桥型DC-AC变换器 被引量:1
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作者 王要强 李灏 +3 位作者 李想 聂福全 陈天锦 梁军 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第21期6865-6876,共12页
针对单级式双有源桥(DAB)型DC-AC变换器关断电流较大和软开关范围有限的问题,该文提出一种双模式变频移相调制策略。首先,对DAB变换器的单移相(SPS)调制和扩展移相(EPS)调制进行时域分析,得到其功率传输特性;然后,分析变换器的关断电流... 针对单级式双有源桥(DAB)型DC-AC变换器关断电流较大和软开关范围有限的问题,该文提出一种双模式变频移相调制策略。首先,对DAB变换器的单移相(SPS)调制和扩展移相(EPS)调制进行时域分析,得到其功率传输特性;然后,分析变换器的关断电流与软开关条件,得到移相比和开关频率约束方程;在此基础上,分析双模式间的移相比边界条件,提出变换器运行模式的切换机制,从而在实现变换器单级功率变换的同时,保证全范围软开关并降低低压侧的关断电流;最后,通过仿真和实验验证了所提调制策略的有效性与可行性。 展开更多
关键词 DC-AC变换器 双有源桥变换器 双模式调制 关断电流 软开关
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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
12
作者 黄磊 李健根 +2 位作者 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期277-281,共5页
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj... 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压
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基于IGCT抑制换相失败的关键控制策略 被引量:2
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作者 刘凯 王永平 +3 位作者 王俊生 崔恒丰 施健 王松 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第15期160-168,共9页
针对基于电网换相换流器的高压直流(LCC-HVDC)输电系统因以晶闸管作为换流器件而存在的换相失败问题,以集成门极换流晶闸管(IGCT)在中国某背靠背高压直流工程中的应用为基础,首先介绍了IGCT型高压直流的拓扑及基本运行原理。接着,从兼... 针对基于电网换相换流器的高压直流(LCC-HVDC)输电系统因以晶闸管作为换流器件而存在的换相失败问题,以集成门极换流晶闸管(IGCT)在中国某背靠背高压直流工程中的应用为基础,首先介绍了IGCT型高压直流的拓扑及基本运行原理。接着,从兼顾换相失败抵御效果和IGCT阀的关断应力角度,提出了适应IGCT阀的关断策略。在此基础上,研究了不同类型交流故障对故障电流峰值的影响,提出了利用故障扰动系数动态调整电流控制器参数的策略,实现故障电流抑制和故障期间直流功率的稳定输送。最后,通过实时数字仿真(RTDS)验证了所提策略的正确性和有效性。 展开更多
关键词 高压直流输电 电网换相换流器 集成门极换流晶闸管 关断策略 换相失败 故障电流抑制
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高精度可编程限流二极管功率通路设计 被引量:1
14
作者 李现坤 魏廷存 +1 位作者 陈彦杰 陈楠 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期72-77,共6页
为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并... 为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并使PMOS功率管导通阻抗仅为40 mΩ.芯片实测结果表明:单个理想二极管功率通路在4 A电流条件下,-40°~125°温度范围内传输效率达到92%以上;而且电路内部集成了高精度可编程限流保护电路,单个通道实现了0.15~4 A范围内限流阈值调节. 展开更多
关键词 理想二极管 线性调节控制 迟滞开/关控制 可编程限流
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长线缆传输对冲击波超压信号影响分析及调理电路设计 被引量:1
15
作者 周浩 王胤 +2 位作者 毕荣 何汇成 穆继亮 《测试技术学报》 2024年第6期627-634,641,共9页
引线测试法是将长线缆与待测装置传感器连接进行冲击波超压测试的主要方法,测试过程中需多次检查线缆状态,导致测试准备时间过长,且待测装置内部通常采用单一恒流源,难以适应多场景下不同长度线缆的测试需求。针对上述问题,设计了一种... 引线测试法是将长线缆与待测装置传感器连接进行冲击波超压测试的主要方法,测试过程中需多次检查线缆状态,导致测试准备时间过长,且待测装置内部通常采用单一恒流源,难以适应多场景下不同长度线缆的测试需求。针对上述问题,设计了一种适用于长线缆传输的调理电路,该电路不仅能够检测传输线缆的通断状态,还可根据现场传输线长度的变化,改变传感器的驱动电流,从而保证信号准确性。测试表明,设计电路能够准确判断电缆线通断状态,并可通过上位机进行可视化显示,在确保信号调理准确性的基础上实现了0~20 mA范围内恒流源可调,有效地提高了仪器在不同环境下的测试效率及通用性。 展开更多
关键词 冲击波超压测试 长线缆传输 信号调理 通断检测 恒流源可调
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地面长导线发射机电流快速关断技术研究
16
作者 真齐辉 王中兴 +1 位作者 底青云 王煜亮 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期4574-4582,共9页
发射机是地面人工源电磁勘探的关键装备,在相同发射电流条件下,极距越大,信噪比越高,探测效果越好.大极距所需长导线具有较强电感(地面1 km导线约有3 mH电感),发射电压1000 V,发射电流50 A,3 mH电感的电流关断时间为103.95μs,对于时间... 发射机是地面人工源电磁勘探的关键装备,在相同发射电流条件下,极距越大,信噪比越高,探测效果越好.大极距所需长导线具有较强电感(地面1 km导线约有3 mH电感),发射电压1000 V,发射电流50 A,3 mH电感的电流关断时间为103.95μs,对于时间域电磁勘探,观测信号的信噪比与关断时间对数成反比,关断时间每下降10倍,信噪比提升10 dB.本文通过在发射回路中加入快速关断开关,引入辅助关断电压,形成电流高压释放回路,有望实现1 km长导线条件下的关断时间小于10μs,观测数据信噪比提高10 dB以上,具有重要的理论意义与工程价值. 展开更多
关键词 电磁勘探发射机 大极距 长导线 寄生电感 快速电流关断
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基于差分脉冲涡流的大提离下坑蚀检测方法研究 被引量:1
17
作者 袁梦 武新军 《化工自动化及仪表》 CAS 2024年第6期996-1000,共5页
针对大提离下铁磁性材料坑蚀检测的难题,提出基于差分脉冲涡流的线圈结构。通过实验定性分析3种差分布置方式对信号的影响,表明外部差分可保证信号对称性。进而对比不同提离下外部180°、90°差分结构缺陷信号幅值,表明外部180&... 针对大提离下铁磁性材料坑蚀检测的难题,提出基于差分脉冲涡流的线圈结构。通过实验定性分析3种差分布置方式对信号的影响,表明外部差分可保证信号对称性。进而对比不同提离下外部180°、90°差分结构缺陷信号幅值,表明外部180°差分结构更优。最后在100 mm提离下采用外部180°差分接收线圈3检测直径20 mm、深2.4 mm平底孔,其幅值为0.3 mV,表明该结构可在大提离下检测坑蚀。 展开更多
关键词 脉冲涡流 大提离 铁磁性材料 坑蚀检测 差分信号
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离婚冷静期制度实施现状、问题及优化路径研究 被引量:1
18
作者 周鑫 王宝悦 《唐都学刊》 2024年第3期107-112,共6页
《民法典》婚姻家庭编中对离婚冷静期制度进行了规定,该项制度的实施使离婚程序更加的人性化,旨在缓解夫妻间因一时冲动而选择离婚所造成的不良后果,并有利于婚姻家庭关系的稳定。但在具体实践中,该项制度仍存在着诸多问题,如缺乏必要... 《民法典》婚姻家庭编中对离婚冷静期制度进行了规定,该项制度的实施使离婚程序更加的人性化,旨在缓解夫妻间因一时冲动而选择离婚所造成的不良后果,并有利于婚姻家庭关系的稳定。但在具体实践中,该项制度仍存在着诸多问题,如缺乏必要的配套措施、司法工作人员存在认知偏差等。本文分别从制度内容、实际适用、配套机制三个侧面切入,探讨离婚冷静期制度存在的相关问题,并从完善离婚冷静期的制度内容,提升其可行性,使离婚家事实现进一步的公平,更好地保障人身权利和财产权利的实现等方面提出了建议。 展开更多
关键词 离婚冷静期制度 存在问题 实施现状 优化路径
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IGCT过应力关断下动态雪崩诱发的电压自箝位效应
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作者 董曼玲 姚德贵 +4 位作者 宋伟 张嘉涛 肖超 鲁一苇 杨武华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期879-884,共6页
作为高压功率器件,集成门极换流晶闸管(IGCT)关断过程中必然发生的动态雪崩效应是限制器件反偏安全工作区(RBSOA)的重要因素。通过建立能更好地反映电流集中效应的多单元仿真结构模型,对IGCT过应力条件下的关断特性进行了仿真,发现了一... 作为高压功率器件,集成门极换流晶闸管(IGCT)关断过程中必然发生的动态雪崩效应是限制器件反偏安全工作区(RBSOA)的重要因素。通过建立能更好地反映电流集中效应的多单元仿真结构模型,对IGCT过应力条件下的关断特性进行了仿真,发现了一种与开关自箝位模式(SSCM)非常相似的电压自箝位效应。然而,与SSCM不同的是,这种自箝位效应是由动态雪崩效应诱发的。在强烈的动态雪崩下,雪崩产生的载流子与被移除的载流子达到了动态平衡,耗尽区电场无法展宽导致了电压箝位。由于自箝位期间雪崩产生的电流丝无法快速移动,器件极易因局部过热而损毁。并且,随着器件电流增益的增大,这种效应更容易发生。研究结果可为IGCT提供更清晰的RBSOA。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管(IGCT) 反偏安全工作区(RBSOA) 过应力关断 动态雪崩 电流丝 自箝位
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基于脉冲涡流技术的提离高度和壁厚检测 被引量:3
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作者 田亚团 《压力容器》 北大核心 2024年第7期71-78,共8页
为了研究脉冲涡流技术在检测带有包覆层的压力容器或管道壁厚时,提离高度和保护层材质对检测结果的影响,分析了提离高度对脉冲涡流信号的影响,并提出了一种利用中期信号截距计算提离高度的方法,研究结果表明,不同保护层材质对脉冲涡流... 为了研究脉冲涡流技术在检测带有包覆层的压力容器或管道壁厚时,提离高度和保护层材质对检测结果的影响,分析了提离高度对脉冲涡流信号的影响,并提出了一种利用中期信号截距计算提离高度的方法,研究结果表明,不同保护层材质对脉冲涡流信号的影响各异,其中不锈钢皮影响较小;铝皮增加了信号幅值;而镀锌铁皮降低了信号幅值。在利用晚期信号斜率计算壁厚时,提离高度的影响较小,但对于铝皮保护层,计算壁厚随提离高度的增加而降低,需要用校准公式进行校准。通过试验验证,校准后的计算壁厚与实际壁厚相差不超过2%,表明校准方法是有效的。 展开更多
关键词 壁厚检测 脉冲涡流 中期信号截距 提离高度
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