期刊文献+
共找到581篇文章
< 1 2 30 >
每页显示 20 50 100
低空穴衬底电流的新型体硅横向绝缘栅双极晶体管
1
作者 段宝兴 李玉滢 +2 位作者 唐春萍 任宇壕 杨银堂 《物理学报》 北大核心 2026年第5期331-339,共9页
本文提出一种新型延伸多晶硅栅体硅型横向绝缘栅双极晶体管(extended polysilicon gate bulk silicon LIGBT,EGBS-LIGBT),该器件结构为P型衬底上依次外延N型、P型硅作为N漂移区和P漂移区,相当于将常规SOI(silicon-on-insulator)-LIGBT... 本文提出一种新型延伸多晶硅栅体硅型横向绝缘栅双极晶体管(extended polysilicon gate bulk silicon LIGBT,EGBS-LIGBT),该器件结构为P型衬底上依次外延N型、P型硅作为N漂移区和P漂移区,相当于将常规SOI(silicon-on-insulator)-LIGBT的埋氧层替换成N型硅,其优势在于极大降低成本且能降低空穴衬底电流.在阳极正偏时,P漂移区上方的肖特基型延伸多晶硅栅(Schottky-extended polysilicon gate,S-EG)在P漂移区的内侧表面形成电子反型层,以获得低的正向导通压降(V_(on)).此外,阳极采用肖特基接触降低空穴注入效率,而P漂移区快速的动态电场调制能力还可迅速提取存储在漂移区中的过剩载流子,且其多子为空穴还能促进关断时过剩电子的快速复合,关断能量损耗(E_(off))得以降低.仿真结果表明:EGBS-LIGBT在显著降低空穴衬底电流的同时,改善了E_(off)与V_(on)间的折中关系.该器件的V_(on)为1.59 V、空穴衬底电流为1.9 mA/cm^(2)、E_(off)为0.51 mJ/cm^(2)、击穿电压(BV)达701 V.相较常规LIGBT,该结构在保持V_(on)基本不变的前提下,将空穴衬底电流降至1/105,E_(off)降低69.8%,BV提升19.6%. 展开更多
关键词 横向绝缘栅双极晶体管 空穴衬底电流 关断损耗 肖特基接触
在线阅读 下载PDF
金属坑蚀大提离脉冲涡流成像检测方法
2
作者 翟方昊 袁梦 +2 位作者 巩家伟 吴建飞 武新军 《仪表技术与传感器》 北大核心 2026年第1期86-90,96,共6页
针对大提离下铁磁性材料坑蚀缺陷脉冲涡流检测中信号易受噪声干扰且差异微弱的问题,提出一种结合小波阈值降噪和S-G滤波的信号预处理方法,并在此基础上设计相应成像算法。通过定量对比不同滤波方法处理后信号的信噪比、均方根误差和光... 针对大提离下铁磁性材料坑蚀缺陷脉冲涡流检测中信号易受噪声干扰且差异微弱的问题,提出一种结合小波阈值降噪和S-G滤波的信号预处理方法,并在此基础上设计相应成像算法。通过定量对比不同滤波方法处理后信号的信噪比、均方根误差和光滑度确定最优小波参数及S-G滤波参数,利用标准差选取成像区间,并基于区间内信号幅值进行成像。实验表明:基于小波阈值降噪和S-G滤波的脉冲涡流信号预处理与成像算法可以实现60 mm提离下Φ10×2 mm缺陷成像。 展开更多
关键词 脉冲涡流 大提离 坑蚀检测 滤波算法 成像算法
在线阅读 下载PDF
某复杂地层遗址保护防渗墙渗漏的检测和加固
3
作者 刘晓燕 马永华 +2 位作者 李瑛 童星 刘兴旺 《地基处理》 2026年第1期67-73,共7页
为防止地下水侵蚀遗址本体或改变遗址保护区环境的湿度,通常需要在遗址本体周围设置封闭的防渗墙来切断遗址层与外围地层的水力联系。现有防渗墙技术往往难以达到零渗漏的理想效果,因此对防渗墙进行及时有效的检测和加固十分必要。结合... 为防止地下水侵蚀遗址本体或改变遗址保护区环境的湿度,通常需要在遗址本体周围设置封闭的防渗墙来切断遗址层与外围地层的水力联系。现有防渗墙技术往往难以达到零渗漏的理想效果,因此对防渗墙进行及时有效的检测和加固十分必要。结合某复杂地层遗址展示工程防渗墙的设计、施工、检测、加固以及运营期监测,分析了在复杂地层防渗墙渗漏的可能路径,对比了抽水试验和微电流场无损检测技术对渗漏的探测效果,介绍了用于防渗墙加固的全方位高压喷射系统(MJS),并得出以下结论:微电流场无损检测技术可高效准确地指出渗漏的平面位置和深度;全方位高压喷射系统加固防渗墙效果好,扰动小;遗址层底部的隔水层性质是影响整体防渗效果的重要因素,有条件时应通过土体加固形成水平隔水层。 展开更多
关键词 防渗墙 渗漏 无损检测 遗址保护 微电流场
在线阅读 下载PDF
压力容器表面缺陷涡流检测系统设计与实现 被引量:2
4
作者 王晋 任毅 +4 位作者 王海涛 张宏 刘浩 陈玺名 李琪 《计算机测量与控制》 2025年第6期30-38,共9页
随着石油、能源、化工等行业的迅速发展,能源运输与能源储备需求日益增加,石油管道和大型储罐等带涂层压力容器的可靠性和安全性极其重要,压力容器表面涂层的存在导致定期检查时基体表面缺陷无法被直接辨识,因此需要使用更高效准确的无... 随着石油、能源、化工等行业的迅速发展,能源运输与能源储备需求日益增加,石油管道和大型储罐等带涂层压力容器的可靠性和安全性极其重要,压力容器表面涂层的存在导致定期检查时基体表面缺陷无法被直接辨识,因此需要使用更高效准确的无损检测方法对其进行检测;阵列涡流检测技术继承了常规涡流检测技术的表面要求低、无需耦合、检测速度快等优点;基于基础涡流检测实验系统结合硬件电路及上位机搭建集成化涡流检测系统,通过实验数据分析实际检测中传感器输出信号与缺陷之间的关系,验证了搭建的集成化涡流检测系统与所设计传感器对缺陷检测的有效性。 展开更多
关键词 压力容器 缺陷检测 涂层 涡流传感器 集成化系统 提离
在线阅读 下载PDF
一种具有不可恢复的过流保护电路设计
5
作者 唐俊 徐立浩 +2 位作者 王喆 张心静 李晨洋 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第10期61-65,共5页
为满足工业设备过流保护需求,提出一种基于模块化设计的电子电路解决方案,旨在实现精准电流检测与快速保护响应。采用模块化设计架构,集成电流感应放大器、迟滞比较器和继电器协同工作。通过电流感应放大器实现0.1 mA级精度信号采集,利... 为满足工业设备过流保护需求,提出一种基于模块化设计的电子电路解决方案,旨在实现精准电流检测与快速保护响应。采用模块化设计架构,集成电流感应放大器、迟滞比较器和继电器协同工作。通过电流感应放大器实现0.1 mA级精度信号采集,利用迟滞比较器设置保护阈值,配合固态继电器执行电路通/断控制。实验结果表明:当电流超过设定阈值时,电路在10 ms内完成切断动作,且在阈值电流下降到阈值电流以下仍保持断路状态,避免误恢复。经多次循环测试验证,保护动作准确率达98.4%,有效杜绝了因多次过流对设备造成的潜在损害,为高精度电流保护提供创新方案。 展开更多
关键词 过流保护 模块化设计 电流感应放大器 切断电流通路 保持短路状态
在线阅读 下载PDF
多狭缝高速开关阀的电-机械转换器动态特性
6
作者 陈淑梅 陈绍荣 +3 位作者 李启正 黄惠 李雨铮 黄秋芳 《北京航空航天大学学报》 北大核心 2025年第11期3630-3640,共11页
高速开关阀(HSV)在航空航天领域广泛运用,但现有高速开关阀的涡流大,导致其响应时间难以提升,且响应时间受衔铁直径、复位弹簧预紧力等多个结构参数交互影响的规律复杂。针对该问题,分析了涡流对高速开关阀动态特性的影响,在此基础上设... 高速开关阀(HSV)在航空航天领域广泛运用,但现有高速开关阀的涡流大,导致其响应时间难以提升,且响应时间受衔铁直径、复位弹簧预紧力等多个结构参数交互影响的规律复杂。针对该问题,分析了涡流对高速开关阀动态特性的影响,在此基础上设计了一种降低涡流损耗的多狭缝衔铁结构,可加快高速开关阀的电-机械转换器的启闭,并基于该结构分析了衔铁直径、线圈匝数、复位弹簧预紧力、复位弹簧刚度交互作用对电-机械转换器启闭特性的影响规律,通过灰色关联度量化各因素与启闭时间的关联度。研究表明:多狭缝衔铁结构可以减少50.07%的涡流损耗,可缩短启闭时间15%,同时发现复位弹簧预紧力与闭合时间关联度最高,衔铁直径与复位时间关联度最高,可为高速开关阀的电-机械转换器结构优化和动态特性进一步提升提供依据。 展开更多
关键词 高速开关阀 电-机械转换器 涡流 动态特性 参数分析
原文传递
氨浴处理p型SnO薄膜晶体管的性能研究
7
作者 许磊 梁茹钰 +4 位作者 宗石 王维民 段正昊 郑凯典 陈柏璇 《郑州航空工业管理学院学报》 2025年第4期77-83,共7页
p型氧化亚锡(SnO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是一类重要的半导体器件,在电子电路领域具有广阔的应用前景,但其高关态电流导致器件功耗过大。为解决这一问题,通过氨浴处理在室温下对p型SnO实现氮(N)掺杂,有效调控Sn的价态,从... p型氧化亚锡(SnO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是一类重要的半导体器件,在电子电路领域具有广阔的应用前景,但其高关态电流导致器件功耗过大。为解决这一问题,通过氨浴处理在室温下对p型SnO实现氮(N)掺杂,有效调控Sn的价态,从而使氧空位缺陷得到钝化,薄膜晶体管的关态电流大幅下降。研究结果表明:氨浴60 min的SnO TFT的关态电流从最初的4.57×10^(-10)A改善至6.97×10^(-11)A,降低1.5个数量级,在30 V的高栅偏压下阈值电压偏移(ΔV_(th))仅为0.64 V。这为提高p型SnO TFT的性能提供了可行的解决方案,展现了其在逻辑应用、透明电子电路等领域的发展潜力。 展开更多
关键词 p型SnO 薄膜晶体管 氨浴处理 关态电流 稳定性
在线阅读 下载PDF
带涂层压力容器腐蚀缺陷脉冲涡流检测及内外伤区分方法研究
8
作者 张永红 黄琳枝 +3 位作者 陈涛 徐拥军 宋小春 何鹏 《压力容器》 北大核心 2025年第6期63-73,共11页
由于提离距离及探头姿态未知,带涂层的压力容器缺陷检测存在极大误差。为了提高检测精度,提出一种未知提离状态下压力容器腐蚀减薄缺陷脉冲涡流检测及信号处理方法。首先,利用仿真软件建立腐蚀缺陷脉冲涡流检测模型,研究检测信号与提离... 由于提离距离及探头姿态未知,带涂层的压力容器缺陷检测存在极大误差。为了提高检测精度,提出一种未知提离状态下压力容器腐蚀减薄缺陷脉冲涡流检测及信号处理方法。首先,利用仿真软件建立腐蚀缺陷脉冲涡流检测模型,研究检测信号与提离距离之间的关系;然后,利用关键特征参数消除提离干扰,构建用于表征材料厚度变化的标定曲线,并结合频域分析对不同类型缺陷的区分方法进行优化;最后,搭建试验测试系统,对带有不同腐蚀减薄缺陷的钢板试件进行测试。结果表明,该方法能够有效抑制提离效应,在0~9 mm提离范围内精确识别试件表面1 mm的厚度变化,并能够区分内外表面缺陷。该方法可用于未知提离下压力容器腐蚀缺陷的高精度检测及分类识别。 展开更多
关键词 脉冲涡流 腐蚀缺陷 未知提离 缺陷分类 信号处理
在线阅读 下载PDF
基于差分脉冲涡流的管道缺陷定量检测
9
作者 成雯君 吴其洲 《计算机测量与控制》 2025年第12期67-73,127,共8页
针对管道脉冲涡流检测中提离效应严重影响检测精度这一难题,提出了一种基于差分脉冲涡流的管道缺陷外检测及几何参数定量评估的方法;利用COMSOL有限元仿真分析线圈参数对缺陷检测的影响,优化差分传感器结构;创新性地提出以提离距离和差... 针对管道脉冲涡流检测中提离效应严重影响检测精度这一难题,提出了一种基于差分脉冲涡流的管道缺陷外检测及几何参数定量评估的方法;利用COMSOL有限元仿真分析线圈参数对缺陷检测的影响,优化差分传感器结构;创新性地提出以提离距离和差分电压峰值的斜率为特征量,建立了缺陷几何参数与特征斜率之间的定量关系模型,验证了管径和管道金属磁性对缺陷测量的影响;结果表明,在3~6 mm提离范围内,裂纹、盲孔和腐蚀缺陷的深度和长度参数测量结果均不受提离效应影响,且相对误差小于±3%;在不同管径、不同相对磁导率的工况条件下,测量误差稳定在±2%以内;经多次实验验证,突破了传统检测技术对提离距离的敏感性限制,为复杂工况下的管道缺陷高精度检测提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 脉冲涡流 提离效应 金属管道缺陷 缺陷测量 定量测量
在线阅读 下载PDF
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
10
作者 范继锋 王永强 +2 位作者 张艺 李巍 雷鹏 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期241-247,共7页
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基... 为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。 展开更多
关键词 GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压
原文传递
端面电流密度对硝酸羟胺基电控固体推进剂燃烧性能的影响
11
作者 刘富涵 鲁浩洋 +3 位作者 夏德斌 张健 林凯峰 杨玉林 《含能材料》 北大核心 2025年第8期892-897,共6页
为了探究端面电流密度对硝酸羟胺基电控固体推进剂(HAN‑ECSP)燃烧性能的影响,通过改变HAN‑ECSP与Cu电极的接触面积比调节推进剂一端的端面电流密度,对其分解产气性能、燃烧性能及燃烧启停性能进行研究。结果表明,当推进剂与电极阴极接... 为了探究端面电流密度对硝酸羟胺基电控固体推进剂(HAN‑ECSP)燃烧性能的影响,通过改变HAN‑ECSP与Cu电极的接触面积比调节推进剂一端的端面电流密度,对其分解产气性能、燃烧性能及燃烧启停性能进行研究。结果表明,当推进剂与电极阴极接触的端面电流密度较大时,推进剂的燃烧性能改善显著。然而,过小的有效接触面积会导致局部电流密度过高,可能引发电极损坏。因此,电极阳极和阴极与推进剂的最佳接触面积比为1∶0.4。相较于未更改电极与推进剂的接触面积时,推进剂与电极阴极接触的端面电流密度从301 A·m^(-2)增至2466 A·m^(-2)。通过产气和燃烧性能测试,端面电流密度增大了2165 A·m^(-2)后,推进剂的产气总压强提高了4.8倍,产气速率提高了12倍,点火延迟时间从3.13 s降至0.76 s,质量燃烧速率从0.07 g·s^(-1)增至0.22 g·s^(-1)。并且在此端面电流密度下,推进剂依旧保持了出色的电控启停性能。 展开更多
关键词 硝酸羟胺基电控固体推进剂(HAN‑ECSP) 燃烧性能 端面电流密度 燃烧启停性能
在线阅读 下载PDF
变电站现场定检中电流二次回路通断测试研究
12
作者 李邦源 常荣 《云南电力技术》 2025年第1期52-56,共5页
电流二次回路设计复杂的线路,导致其故障检测效率低下。提出变电站现场定检中电流二次回路通断测试,采用双端口稳压调控技术,采集电流二次回路状态数据。利用模糊均值聚类算法,对状态数据进行分类处理。结合实时频谱分析技术和高斯分布... 电流二次回路设计复杂的线路,导致其故障检测效率低下。提出变电站现场定检中电流二次回路通断测试,采用双端口稳压调控技术,采集电流二次回路状态数据。利用模糊均值聚类算法,对状态数据进行分类处理。结合实时频谱分析技术和高斯分布特性,构建了故障检测模型。基于深度学习,进行电流二次回路故障定位。实验结果显示,该方法在通断速度上具有显著优势,最快通断时间仅为0.5 s,相较于其他传统方法,效率更高,性能更优。本文的研究成果为变电站现场定检中电流二次回路通断测试提供了新的思路和方法,有助于电力系统的智能化发展。 展开更多
关键词 电流二次回路 通断测试 故障检测 实时频谱分析 深度学习
在线阅读 下载PDF
基于ACFM的厚涂层下裂纹检测技术优化
13
作者 隋涛 焦权明 +1 位作者 李昀恒 张双楠 《沈阳理工大学学报》 2025年第4期36-42,共7页
针对现有交流电磁场检测(ACFM)技术对10 mm以上涂层的金属工件裂纹缺陷检测灵敏度低的问题,提出一种优化磁路的ACFM方法。通过有限元仿真软件建立厚涂层下ACFM仿真模型,分析不同检测频率和磁轭跨度在10 mm提离高度下缺陷信号的变化规律... 针对现有交流电磁场检测(ACFM)技术对10 mm以上涂层的金属工件裂纹缺陷检测灵敏度低的问题,提出一种优化磁路的ACFM方法。通过有限元仿真软件建立厚涂层下ACFM仿真模型,分析不同检测频率和磁轭跨度在10 mm提离高度下缺陷信号的变化规律,选取最优探头参数组合以改变磁路。搭建检测系统进行实验验证,结果表明:采用仿真得到的探头参数组合,检测系统可实现对10 mm厚涂层下工件表面缺陷的有效检出;当涂层厚度大于4 mm时,选用30 mm跨度磁轭比选用10 mm跨度磁轭显示出更高的检测灵敏度,表明研究结果对10 mm以上厚涂层ACFM检测的开展具有参考价值。 展开更多
关键词 交流电磁场检测 检测频率 磁轭跨度 提离高度 有限元
在线阅读 下载PDF
自换相电流源型高压直流输电关键技术研究综述
14
作者 张闻闻 魏晓光 +3 位作者 汤广福 陈龙龙 王以璇 齐磊 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第8期3102-3119,I0021,共19页
采用全控器件构成的自换相电流源型换流器(self-commutated current source converter,SCC)具备高功率密度、功率因数可控、无换相失败的风险以及能够柔性接入电网等特点,在高压直流输电领域具备广阔的应用前景。该文以工程需求为目标,... 采用全控器件构成的自换相电流源型换流器(self-commutated current source converter,SCC)具备高功率密度、功率因数可控、无换相失败的风险以及能够柔性接入电网等特点,在高压直流输电领域具备广阔的应用前景。该文以工程需求为目标,结合理论分析与工程要求从拓扑结构、调制方法、控制策略、功率器件的筛选以及器件均压一致性等5个方面分析概括了自换相电流源型高压直流输电应解决的关键技术,指出上述5个关键技术研究的重点及与工程的契合性。最后对SCC后续研究的重点、应用的前景以及仍需关注的问题进行了分析与总结。 展开更多
关键词 电流源型换流器 高压直流输电 控制策略 全控器件
原文传递
浅层瞬变电磁法中全程瞬变场的畸变研究 被引量:14
15
作者 嵇艳鞠 林君 +2 位作者 王忠 于生宝 王静 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期316-320,共5页
浅层瞬变电磁法中,由于发射线圈为感性负载,实际激励信号是斜阶跃波,采用常规的后沿校正方法,探测时近地表仍然存在盲区,直接影响浅层探测的精度和分辨率。针对这一问题,研究了全程瞬变电磁场与斜阶跃波的关断时间与接收探头频率特性之... 浅层瞬变电磁法中,由于发射线圈为感性负载,实际激励信号是斜阶跃波,采用常规的后沿校正方法,探测时近地表仍然存在盲区,直接影响浅层探测的精度和分辨率。针对这一问题,研究了全程瞬变电磁场与斜阶跃波的关断时间与接收探头频率特性之间的关系,揭示了早期瞬变电磁场信号发生畸变和影响浅层瞬变电磁探测的根本原因,提出了当瞬变电磁测量系统在电流关断开始时刻记录全程瞬变响应和发射电流波形时,并且接收探头的位置和谐振频率已知,就可以通过数值计算方法从根本上剔除接收探头对早期瞬变信号的影响,从而实现浅层近地表探测,缩短探测盲区。通过对浙江舟山连岛工程的野外勘探数据进行数值剔除,验证算法的有效性。 展开更多
关键词 浅层探测 斜阶跃波 探测盲区 接收探头 二次瞬变电磁场 数值剔除
在线阅读 下载PDF
坑道掘进瞬变电磁超前探水解释方法的改进研究 被引量:18
16
作者 胡雄武 张平松 +1 位作者 严家平 郭立全 《岩土工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期654-661,共8页
瞬变电磁方法已在坑道超前探水中发挥重要作用。因实际测试时存在电流关断时间,激励场不再满足阶跃关断条件。以水平电偶极子瞬变场响应为基础,给出坑道瞬变电磁多匝小回线中心阶跃瞬变场表达式。通过对3种非阶跃关断瞬变场的响应计算,... 瞬变电磁方法已在坑道超前探水中发挥重要作用。因实际测试时存在电流关断时间,激励场不再满足阶跃关断条件。以水平电偶极子瞬变场响应为基础,给出坑道瞬变电磁多匝小回线中心阶跃瞬变场表达式。通过对3种非阶跃关断瞬变场的响应计算,确定了关断时间的影响范围,指出关断时间的影响对于坑道掘进前方浅部含水体的探测不可忽略。推导了全空间线性关断条件下全程视电阻率算法,从而改进坑道超前探水解释方法。物理模型实验和实例应用结果表明,该方法对于坑道掘进前方浅部含水体的空间划分更好,增强了瞬变电磁法对岩层富水特性的判定能力。 展开更多
关键词 坑道超前探水 瞬变电磁法 关断时间 线性关断电流 全程视电阻率算法 改进
原文传递
国内24家医疗机构超说明书用药现状调查与分析 被引量:49
17
作者 张镭 谭玲 +4 位作者 王少华 陈万生 童荣生 赵艳 陆进 《中国药学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期151-154,共4页
目的调查国内24家医疗机构"超说明书用药"的现状,为相关决策与风险管理提供数据。方法收集24家医疗机构"超说明书用药",从医疗机构分布、药品分类、"超说明书用药"分类、依据和证据等级等方面进行分析。... 目的调查国内24家医疗机构"超说明书用药"的现状,为相关决策与风险管理提供数据。方法收集24家医疗机构"超说明书用药",从医疗机构分布、药品分类、"超说明书用药"分类、依据和证据等级等方面进行分析。结果本研究共入选1 652项"超说明书用药",共涉及998个药品。24家医疗机构上报数量排名前3位的医院分别是北京医院(297项,18.0%)、北京大学第三医院(282项,17.1%)、烟台毓璜顶医院(256项,15.5%)。排名前3位的药品分项分别是抗肿瘤药物(388项,23.5%)、调节免疫功能药(315项,19.1%)、循环系统药物(177项,10.7%);24家医疗机构超说明书用药主要表现在超适应证用药(1 493项,90.4%),其次是超给药剂量和频率用药(349项,21.1%),超给药途径(154项,9.3%)和超使用人群(65项,3.9%)。入选的1 652项超说明书用药有1 155项是被国际、国内指南、国外药品说明书、专家共识、临床专著或专业教科书收录,或有文献报道等,占全部入选超说明书用药的73.3%。结论超说明书用药现象在24家医院中普遍存在,它涉及药品安全性、有效性以及伦理学等问题,存在巨大法律风险。政府职能部门应加快相应法规的出台,规范超说明书用药的行为。相关行业协会应积极制定相应的超说明书用药指南,为超说明书用药提供可靠的依据。 展开更多
关键词 药品说明书 超说明书用药 现状
原文传递
瞬变电磁探测发射电流波形记录单元设计 被引量:9
18
作者 周逢道 林君 +2 位作者 朱凯光 周国华 刘长胜 《吉林大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期541-545,共5页
为削弱一次场的影响,减小探测盲区,需要记录发射电流波形。本文采用电流取样、前置放大及滤波、信号采集等技术,记录发射电流关断波形。实际测试结果表明:设计的电流记录单元能够完整、平滑地记录发射电流波形,记录的波形与示波器观测... 为削弱一次场的影响,减小探测盲区,需要记录发射电流波形。本文采用电流取样、前置放大及滤波、信号采集等技术,记录发射电流关断波形。实际测试结果表明:设计的电流记录单元能够完整、平滑地记录发射电流波形,记录的波形与示波器观测到的发射电流波形一致,电流采集精度高。 展开更多
关键词 测绘仪器 瞬变电磁 发射机 关断时间 阶跃函数
在线阅读 下载PDF
瞬变电磁法中关断电流的响应计算与校正方法研究 被引量:21
19
作者 杨海燕 岳建华 《地球物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第6期1947-1952,共6页
关断电流的存在直接影响仪器的探测能力和数据资料的解释.为了分析和校正这种影响,文中给出了关断时间的计算方法,根据多匝回线源产生的瞬变场理论解析式,计算了线性和半正弦关断电流影响下瞬变场表达式,计算半正弦关断电流产生的瞬变... 关断电流的存在直接影响仪器的探测能力和数据资料的解释.为了分析和校正这种影响,文中给出了关断时间的计算方法,根据多匝回线源产生的瞬变场理论解析式,计算了线性和半正弦关断电流影响下瞬变场表达式,计算半正弦关断电流产生的瞬变场时将正弦函数进行泰勒展开;分析了关断时间在2μs^100μs之间两种关断模式产生的瞬变响应.结果显示:同一关断时间下线性关断电流和半正弦关断电流对瞬变场的影响主要表现在"早期",并且随观测时间的增加影响逐渐减弱.同时,关断时间越长,关断效应对瞬变场的影响越向瞬变"晚期"延伸;半正弦关断电流对瞬变场的影响大于线性关断电流.当关断时间为100μs时,关断电流产生的瞬变场曲线约在0.5 ms之后与理论曲线重合.研究结果为数据处理和仪器开发提供参考. 展开更多
关键词 瞬变电磁法 关断时间 关断电流 校正 衰减
在线阅读 下载PDF
银丝键合烧球参数对键合质量的影响 被引量:4
20
作者 周文艳 吴永瑾 +3 位作者 陈家林 杨国祥 孔建稳 康菲菲 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期34-39,共6页
经键合试验,测试焊线挑断力和焊球推力,观察焊球和电极界面形貌,研究了烧球电流和时间对银键合丝键合质量的影响。结果表明,随烧球电流增大、时间延长,键合无空气焊球(FAB)直径增大;FAB球颈晶粒尺寸是电流和时间共同作用的结果,晶粒尺... 经键合试验,测试焊线挑断力和焊球推力,观察焊球和电极界面形貌,研究了烧球电流和时间对银键合丝键合质量的影响。结果表明,随烧球电流增大、时间延长,键合无空气焊球(FAB)直径增大;FAB球颈晶粒尺寸是电流和时间共同作用的结果,晶粒尺寸越大、挑断力越小,18 mA-1.0ms烧球所得挑断力最小;在FAB尺寸相近的前提下随烧球电流减小,焊球推力降低,键合过程中电极易受损导致电极材料挤出率增大;高电流-短时间(23 mA-0.6 ms)烧球有利于银丝获得较好的键合质量。 展开更多
关键词 金属材料 银键合丝 烧球 电流 时间 键合质量 无空气焊球(FAB)
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 30 下一页 到第
使用帮助 返回顶部