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短期暴露于纳米SiO2对HaCaT细胞基因组DNA甲基化的影响 被引量:2
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作者 龚春梅 杨淋清 +3 位作者 陶功华 刘庆成 刘建军 庄志雄 《卫生研究》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期179-184,共6页
目的探讨纳米SiO2对体外培养细胞基因组总体DNA甲基化水平的影响。方法分别以2.5、5、10μg/ml纳米SiO2溶液和10μg/ml微米级SiO2处理人皮肤表皮细胞系(HaCaT)24h;以3μmol/L DNA甲基化转移酶抑制剂5-脱氧杂氮胞苷(DAC)处理48 h的10μg... 目的探讨纳米SiO2对体外培养细胞基因组总体DNA甲基化水平的影响。方法分别以2.5、5、10μg/ml纳米SiO2溶液和10μg/ml微米级SiO2处理人皮肤表皮细胞系(HaCaT)24h;以3μmol/L DNA甲基化转移酶抑制剂5-脱氧杂氮胞苷(DAC)处理48 h的10μg/ml组为阳性对照,并设立溶剂对照组。应用高效毛细管电泳(HPCE)定量分析纳米SiO2处理细胞24h后,基因组DNA总体甲基化的变化,用Q-PCR和Western Blot方法检测甲基化相关蛋白mRNA和蛋白的表达变化,并用DNA甲基化转移酶活性试剂盒检测DNA甲基化转移酶的活性。结果 HPCE定量分析结果显示纳米SiO2可引起HaCaT细胞总体甲基化程度降低,呈剂量依赖性关系;与正常细胞相比,微米SiO2以及2.5、5和10μg/ml纳米SiO2组分别降低37.8%、43.9%、54.9%和52.8%,差异有显著性(P<0.05);对照组5-aza-dC处理后使HaCaT细胞甲基化程度减少27.3%。各组酶的蛋白表达与mRNA表达水平及DNMTs活性变化具有相同的变化趋势,经纳米SiO2处理的HaCaT细胞,DNMT1、DNMT3a及MBD2表达随着纳米SiO2剂量的上升而下降,DAC组表达水平最低。结论纳米SiO2能引起HaCaT细胞整体基因组DNA甲基化水平降低,可能与DNA甲基化转移酶的酶活性降低有关。 展开更多
关键词 DNA甲基化 高效毛细管电泳(HPCE) 纳米sio2
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SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性 被引量:2
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作者 杜金会 于振瑞 +2 位作者 张加友 李正群 王妍妍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1-3,共3页
采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退... 采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。 展开更多
关键词 复合材料 sio2 nm-Ag微粉 纳米簇 溶胶-凝胶法
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Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色技术检测神经细胞凋亡的对比研究 被引量:14
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作者 杨细飞 贺春娥 +3 位作者 汤瑞华 田生礼 刘建军 田生礼 《癌变·畸变·突变》 CAS CSCD 2014年第3期180-184,共5页
目的:利用Hoechst33342/PI双染法和原位末端标记法(TUNEL染色检测纳米二氧化硅(nm-SiO2)对神经细胞凋亡的影响,比较两种检测方法的优缺点。方法:以体外培养的人神经母细胞瘤SK-N-SH为研究对象,15和30 nm粒径的nm-SiO2(剂量为2.5... 目的:利用Hoechst33342/PI双染法和原位末端标记法(TUNEL染色检测纳米二氧化硅(nm-SiO2)对神经细胞凋亡的影响,比较两种检测方法的优缺点。方法:以体外培养的人神经母细胞瘤SK-N-SH为研究对象,15和30 nm粒径的nm-SiO2(剂量为2.5、5、10μg/mL)分别处理细胞24 h,另设1-5 m SiO2组和溶剂对照组,采用Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色检测各处理组对SK-N-SH细胞凋亡的影响。结果:与对照组相比,两种检测方法分析均显示了nm-SiO2处理组SK-N-SH细胞凋亡率显著增加(P〈0.05),且具有尺寸、剂量依赖性,而微米级SiO2对凋亡的影响不显著(P〉0.05)。结论:nm-SiO2能诱导SK-N-SH细胞凋亡。Hoechst33342/PI双染法特异性高,简单易行;TUNEL法灵敏度高,能检测少量的细胞凋亡,但成本较高,两种方法可结合使用以便更加准确的检测神经细胞的凋亡。 展开更多
关键词 纳米二氧化硅 神经细胞 凋亡 HOECHST33342 PI双染 TUNEL
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纳米微粉SiO_2和CaCO_3对混凝土性能影响 被引量:54
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作者 李固华 高波 《铁道学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期131-136,共6页
研究了纳米CaCO3(NC)和纳米SiO2(NS)以及与硅灰(SF)复合后的混凝土的性能。试验表明:随着NS掺量的提高,混凝土拌合物的坍落度将急剧降低;NC对混凝土的和易性基本无影响。二者能够提高混凝土的早期强度,但对后期强度影响不显著。与单掺N... 研究了纳米CaCO3(NC)和纳米SiO2(NS)以及与硅灰(SF)复合后的混凝土的性能。试验表明:随着NS掺量的提高,混凝土拌合物的坍落度将急剧降低;NC对混凝土的和易性基本无影响。二者能够提高混凝土的早期强度,但对后期强度影响不显著。与单掺NC混凝土相比,NS和SF分别与NC复合后能够显著提高混凝土的早期强度,对后期强度有所改善。通过带能谱分析的扫描电镜的观测分析和XRD成分分析,在掺有NC的混凝土中发现有水化碳铝酸钙(CaO.3Al2O3.CaCO3.11H2O),它可能是NC与水泥中C3A水化反应后的产物,这是NC早强作用的原因之一。本文对其他的掺有NS和FS的混凝土性能机理进行了分析。 展开更多
关键词 纳米sio2 纳米CACO3 混凝土性能
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偶联剂表面处理纳米SiO_2改性氰酸酯的摩擦性能 被引量:7
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作者 张学英 张文根 +1 位作者 祝保林 王君龙 《热固性树脂》 CAS CSCD 2008年第6期18-20,共3页
采用浇铸成型法制备了纳米SiO2/CE复合材料,考察了偶联剂SCA-3表面处理nm-SiO2对其摩擦性能的影响。在MM-200型磨损机上测试了材料的磨损率和稳定摩擦系数,利用SEM观察了脆断面和对磨钢环表面的微观形貌。结果表明,nm-SiO2能够有效地改... 采用浇铸成型法制备了纳米SiO2/CE复合材料,考察了偶联剂SCA-3表面处理nm-SiO2对其摩擦性能的影响。在MM-200型磨损机上测试了材料的磨损率和稳定摩擦系数,利用SEM观察了脆断面和对磨钢环表面的微观形貌。结果表明,nm-SiO2能够有效地改善CE的摩擦磨损性能,特别是SCA-3表面处理的nm-SiO2效果更好,相对纯CE,摩擦系数、磨损率分别降低了22.50%和76.21%。 展开更多
关键词 氰酸酯树脂 偶联剂 纳米siq 摩擦磨损
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用于丝网印染的纳米水性涂料的研制 被引量:10
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作者 崔锦峰 杨保平 +1 位作者 周应萍 李贵贤 《印染助剂》 CAS 北大核心 2004年第4期24-26,共3页
对纳米SiO2采取丙烯酸乳液原位共聚的方式进行表面修饰改性、得到nm-SiO2丙烯酸共聚乳液;以合成的nm-SiO2丙烯酸共聚乳液与水性丙烯酸色浆进行复配,即可制得适应于织物丝网印染的纳米水性涂料,该涂料既具有绿色环保性,又具有纳米功能性.
关键词 丝网印染 纳米水性涂料 织物 复配 nmsio2丙烯酸共聚乳液 水性丙烯酸色浆
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蓝宝石衬底材料CMP去除速率的影响因素 被引量:5
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作者 宗思邈 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 李咸珍 张伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第1期50-54,共5页
阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH... 阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH值、大流量或低pH值,小流量)可得到较高去除速率,且前者速率高于后者。实验采用nm级SiO2溶胶为磨料的碱性抛光液,使用强碱KOH作为pH调节剂,并加入了适当的表面活性剂及螯合剂等。工艺参数为压力0.18MPa、温度45℃、转速60r/min,采用Rodel-suba 600抛光布,在保证表面质量的同时得到的最大去除速率为11.35μm/h。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石衬底 去除速率 nmsio2溶胶 抛光布
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纳米填料对环氧胶粘涂层冲蚀磨损性能的影响 被引量:4
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作者 刘敬福 李赫亮 《中国胶粘剂》 CAS 2005年第4期21-23,共3页
在环氧胶粘涂层中加入填料可提高其强度和耐磨性。研究了转角、转速对填料分别为纳米SiO2、粉煤灰的环氧树脂涂层冲蚀磨损性能的影响。通过实验推荐了具有较好耐冲蚀能力的环氧树脂胶粘涂层的最佳配方。
关键词 纳米sio2 冲蚀磨损 环氧胶粘涂层
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Effects of Vacuum on Fused Silica UV Damage 被引量:1
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作者 徐世珍 吕海兵 +5 位作者 袁晓东 黄进 蒋晓东 王海军 祖小涛 郑万国 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第1期223-226,共4页
Damage points induced by 355 nm laser irradiation increase more quickly on the surface of fused silica in vacuum of about 10^-3 Pa than in atmospheric air at the same fluence. The larger concentration of point defects... Damage points induced by 355 nm laser irradiation increase more quickly on the surface of fused silica in vacuum of about 10^-3 Pa than in atmospheric air at the same fluence. The larger concentration of point defects in vacuum is confirmed by photoluminescence intensity. X-ray photoelectron spectroscopy and infrared absorption indicate the formation of sub-stoichiometric silica on the surface. The degradation mechanism of fused silica in vacuum is discussed. 展开更多
关键词 SI-RICH sio2-FILMS LASER-PULSES ELECTRONIC EXCITATION DEFECT GENERATION AMORPHOUS sio2 355 nm LUMINESCENCE PHOTOLUMINESCENCE MICROSTRUCTURE IRRADIATION
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Multiscale analysis of single- and multiple-pulse laser-induced damages in HfO_2/SiO_2 multilayer dielectric films at 532 nm 被引量:1
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作者 刘文文 魏朝阳 +1 位作者 易葵 邵建达 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期53-57,共5页
Nanosecond single- and multiple-pulse laser damage studies on HfOffSiO2 high-reflection (HR) coatings are performed at 532 nm. For single-pulse irradiation, the damage is attributed to the defects and the electric i... Nanosecond single- and multiple-pulse laser damage studies on HfOffSiO2 high-reflection (HR) coatings are performed at 532 nm. For single-pulse irradiation, the damage is attributed to the defects and the electric intensity distribution in the multilayer thin films. When the defect density in the irradiated area is high, delami- nation is observed. Other than the 1064 nm laser damage, the plasma scalding of the 532 nm laser damage is not pits-centered for normal incidence, and the size of the plasma scalding has no relation to the defect density and position, but increases with the laser fluence. For multiple-pulse irradiations, some damage sites show deeper precursors than those from the single-shot irradiation due to the accumulation effects. The cumulative laser- induced damages behave as pits without the presence of plasma scalding, which is unaffected by the laser fluence and shot numbers. The damage morphologies and depth information both confirm the fatigue effect of a HfO2/SiO2 HR coating under 532 nm laser irradiation. 展开更多
关键词 Multiscale analysis of single and multiple-pulse laser-induced damages in HfO2/sio2 multilayer dielectric films at 532 nm
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