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氮化硅陶瓷水下激光与超声复合加工方法及其机理研究 被引量:12
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作者 姚燕生 袁珠珠 +2 位作者 王园园 陈雪辉 袁根福 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期207-216,共10页
陶瓷材料具有强度高、硬度大、耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优点,但同时也具有难加工的缺点。研究水下激光去除材料的热学模型与氮化硅水解反应,建立水流辅助超声与激光复合加工试验装置,分别开展不同条件、不同参数下对氮化硅的刻槽加工试... 陶瓷材料具有强度高、硬度大、耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优点,但同时也具有难加工的缺点。研究水下激光去除材料的热学模型与氮化硅水解反应,建立水流辅助超声与激光复合加工试验装置,分别开展不同条件、不同参数下对氮化硅的刻槽加工试验,并采用影像仪和电子显微镜对刻槽深度与表面质量观测比较,应用能谱仪检测生成物成分,综合分析加工机理。研究结果表明在有水辅助激光加工氮化硅过程中,因水的冷却作用减少了激光去除材料的有效能量,刻蚀深度随之变小,但激光作用区的温升加剧氮化硅水解,同时水流带走二氧化硅等生成物,促使加工表面质量明显提高;在水下激光与超声复合加工中,超声振动加大了氮化硅表面水的对流与物质的抛出,提高了刻蚀速率。 展开更多
关键词 氮化硅 水辅助 激光与超声复合加工 机理
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g-C_3N_4/MoS_2纳米片异质复合物的球磨法制备及可见光催化性能(英文) 被引量:6
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作者 阎鑫 高强 +6 位作者 惠小艳 闫从祥 艾涛 王振军 孙国栋 苏兴华 赵鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期3015-3020,共6页
采用球磨法制备g-C_3N_4/Mo S_2纳米片异质复合物,运用X射线衍射仪、高分辨率透射电镜、紫外可见漫反射光谱和荧光发射光谱对异质复合物的结构和形貌进行了表征。以罗丹明B为模拟污染物,在可见光照射下考察了复合物的光催化特性。结果表... 采用球磨法制备g-C_3N_4/Mo S_2纳米片异质复合物,运用X射线衍射仪、高分辨率透射电镜、紫外可见漫反射光谱和荧光发射光谱对异质复合物的结构和形貌进行了表征。以罗丹明B为模拟污染物,在可见光照射下考察了复合物的光催化特性。结果表明:Mo S_2纳米片可进入g-C_3N_4的层间形成异质复合物。含有2%MoS_2纳米片与g-C_3N_4形成的异质复合物在120 min内对罗丹明B的降解率为98%,其降解动力学常数是体相g-C_3N_4的4.3倍。g-C_3N_4/Mo S_2纳米片异质复合物具有十分优良的光催化特性,其催化活性的提高主要归因于光生电子和空穴的有效分离和传输。根据光捕获实验提出了复合物可能的光催化机理。 展开更多
关键词 MoS2纳米片 石墨相氮化碳 异质复合物 球磨 可见光催化
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中频脉冲磁控溅射沉积氮化铝薄膜及性能研究 被引量:3
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作者 牟宗信 刘升光 +3 位作者 王振伟 公发权 贾莉 牟晓东 《材料研究与应用》 CAS 2009年第1期9-13,共5页
氮化铝薄膜在力学、光学、声学等领域有着广泛的应用前景.研究沉积条件对氮化铝薄膜的结构、性能的影响具有重要意义.采用纯铝溅射靶、在不同的N2流量比率条件下,采用中频脉冲磁控溅射在Si(001)衬底上制备出氮化铝薄膜.利用X射线衍射(X... 氮化铝薄膜在力学、光学、声学等领域有着广泛的应用前景.研究沉积条件对氮化铝薄膜的结构、性能的影响具有重要意义.采用纯铝溅射靶、在不同的N2流量比率条件下,采用中频脉冲磁控溅射在Si(001)衬底上制备出氮化铝薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪研究了N2流量比率对氮化铝薄膜的微观结构、表面形貌、厚度和折射率的影响.研究结果表明,氮化铝薄膜的微观结构、表面形貌、厚度和折射率与N2流量比率有明显的关系,当固定其它沉积条件时,改变N2流量比率会改变薄膜的沉积速率,当沉积速率发生突变时,薄膜的折射率、微观结构、表面形貌也发生相应的变化.在实验结果的基础上结合反应沉积的表面动力学因素分析了反应气体中N2流量比率对氮化铝薄膜的表面形貌、微观结构、厚度和折射率的影响原因. 展开更多
关键词 氮化铝 形貌 折射率 磁控溅射
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Boron nitride nanotube growth via boron oxide assisted chemical vapor transport-deposition process using LiNO3 as a promoter 被引量:2
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作者 Andrei T. Matveev Konstantin L. Firestein +4 位作者 Alexander E. Steinman Andrey M. Kovalskii Oleg I. Lebedev Dmitry V. Shtansky Dmitri Golberg 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期2063-2072,共10页
High-purity straight and discrete multiwalled boron nitride nanotubes (BNNTs) were grown via a boron oxide vapor reaction with ammonia using LiNO3 as a promoter. Only a trace amount of boron oxide was detected as an... High-purity straight and discrete multiwalled boron nitride nanotubes (BNNTs) were grown via a boron oxide vapor reaction with ammonia using LiNO3 as a promoter. Only a trace amount of boron oxide was detected as an impurity in the BNNTs by energy-dispersive X-ray (EDX) and Raman spectroscopies. Boron oxide vapor was generated from a mixture of B, FeO, and MgO powders heated to 1,150 ℃, and it was transported to the reaction zone by flowing ammonia. Lithium nitrate was applied to the upper side of a BN bar from a water solution. The bar was placed along a temperature gradient zone in a horizontal tubular furnace. BNNTs with average diameters of 30-50 nm were mostly observed in a temperature range of 1,280-1,320 ℃. At higher temperatures, curled polycrystalline BN fibers appeared. Above 1,320 ℃, the number of BNNTs drastically decreased, whereas the quantity and diameter of the fibers increased. The mechanism of BNNT and fiber growth is proposed and discussed. 展开更多
关键词 boron nit-ride nanotubes CVD lithium nitrate lithium borate BNNT growth mechanism
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