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nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
1
作者
唐海侠
王启明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期2139-2143,共5页
阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上...
阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.
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关键词
光子晶体
单缺陷腔
nc-ge/
si
岛
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职称材料
nc-Ge/SiNx多层膜材料的可调控非线性光学特性
2
作者
李悰
张培
+3 位作者
姜利英
陈青华
闫艳霞
姜素霞
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1217-1222,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积和后退火的方法制备了纳米锗/氮化硅(nc-Ge/SiN_x)多层薄膜。借助Raman光谱仪对其微结构进行表征,测得样品的晶化率大于46%。由样品的光吸收谱可知,nc-Ge的尺寸越小,其光学带隙越大。利用Z扫描技术对样品...
采用等离子体增强化学气相沉积和后退火的方法制备了纳米锗/氮化硅(nc-Ge/SiN_x)多层薄膜。借助Raman光谱仪对其微结构进行表征,测得样品的晶化率大于46%。由样品的光吸收谱可知,nc-Ge的尺寸越小,其光学带隙越大。利用Z扫描技术对样品的非线性光学特性进行研究,以波长为1 064 nm、脉宽为25 ps的锁模激光作为激发光,测得样品的非线性折射率系数在10^(-10)cm^2/W数量级。实验结果表明,通过改变nc-Ge的尺寸可以使材料的非线性光学折射率由自散焦转变为自聚焦特性,而负的非线性折射率系数可归因于两步吸收产生的自由载流子散射效应。当激发光强增大时,在锗层厚度为6 nm的多层膜中同时存在两步吸收过程和饱和吸收过程。两种非线性光学吸收过程之间的竞争是样品呈现不同非线性光学特性的主要原因。
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关键词
nc-ge/
si
Nx多层膜
饱和吸收
两步吸收过程
自由载流子散射
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职称材料
题名
nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
1
作者
唐海侠
王启明
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期2139-2143,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60336010
60537010)~~
文摘
阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.
关键词
光子晶体
单缺陷腔
nc-ge/
si
岛
Keywords
photonic crystals
si
ngle-defect cavity
nc-ge/
si
islands
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
nc-Ge/SiNx多层膜材料的可调控非线性光学特性
2
作者
李悰
张培
姜利英
陈青华
闫艳霞
姜素霞
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
固体微结构物理国家重点实验室
郑州轻工业学院电气信息工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1217-1222,共6页
基金
国家自然科学基金(61002007,61271147,11274155)
郑州轻工业学院博士科研基金(2014BSJJ04)
+1 种基金
南京大学固体微结构物理实验室开放课题(M28030)
基于集成共面薄膜金电极的核酸适体传感器项目(2014XJJ019)资助
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积和后退火的方法制备了纳米锗/氮化硅(nc-Ge/SiN_x)多层薄膜。借助Raman光谱仪对其微结构进行表征,测得样品的晶化率大于46%。由样品的光吸收谱可知,nc-Ge的尺寸越小,其光学带隙越大。利用Z扫描技术对样品的非线性光学特性进行研究,以波长为1 064 nm、脉宽为25 ps的锁模激光作为激发光,测得样品的非线性折射率系数在10^(-10)cm^2/W数量级。实验结果表明,通过改变nc-Ge的尺寸可以使材料的非线性光学折射率由自散焦转变为自聚焦特性,而负的非线性折射率系数可归因于两步吸收产生的自由载流子散射效应。当激发光强增大时,在锗层厚度为6 nm的多层膜中同时存在两步吸收过程和饱和吸收过程。两种非线性光学吸收过程之间的竞争是样品呈现不同非线性光学特性的主要原因。
关键词
nc-ge/
si
Nx多层膜
饱和吸收
两步吸收过程
自由载流子散射
Keywords
nc-ge/si nxmultilayers
saturable absorption
two-step absorption process
free carries disper
si
on
分类号
O437 [机械工程—光学工程]
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
唐海侠
王启明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
nc-Ge/SiNx多层膜材料的可调控非线性光学特性
李悰
张培
姜利英
陈青华
闫艳霞
姜素霞
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
已选择
0
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