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Nonlinear Current-Voltage Characteristics and Electroluminescence of cBN Crystal
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作者 窦庆萍 陈占国 +3 位作者 贾刚 马海涛 曹昆 张铁臣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期609-612,共4页
The current-voltage(I-V) characteristics of cBN crystal sandwiched between two metallic electrodes are measured and found to be nonlinear. Over 20 samples are measured at room temperature with various electrodes, an... The current-voltage(I-V) characteristics of cBN crystal sandwiched between two metallic electrodes are measured and found to be nonlinear. Over 20 samples are measured at room temperature with various electrodes, and the resulting curves are all similar in shape. When a voltage of about 560V is applied to the cBN crystal, the emitted light is visible to the naked eye in a dark room. We explain these phenomena by the space charge limited current and the electronic transition between the X and Г valleys of the conduction band. 展开更多
关键词 n-cbn crystal nonlinear I-V characteristics space charge limited current electronic transition in two valleys
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立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质p-n结 被引量:1
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作者 张铁臣 高春晓 +2 位作者 王成新 季燕菊 邹广田 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期169-172,共4页
在 Si 中掺杂 N 型片状立方氮化硼单晶的(111) 面上,利用热灯丝化学气相沉积方法生长了掺 B 的 P 型金刚石薄膜,从而制得了立方氮化硼单晶金刚石薄膜异质pn 结,测试了该pn 结的 V A 特性,结果表明其整流特... 在 Si 中掺杂 N 型片状立方氮化硼单晶的(111) 面上,利用热灯丝化学气相沉积方法生长了掺 B 的 P 型金刚石薄膜,从而制得了立方氮化硼单晶金刚石薄膜异质pn 结,测试了该pn 结的 V A 特性,结果表明其整流特性良好。 展开更多
关键词 金刚石多晶膜 CBN 单晶体 P-N结 立方氮化硼
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cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
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作者 陈光华 邓金祥 +3 位作者 宋雪梅 李茂登 于春娜 冯贞健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期483-486,共4页
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和... 用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。 展开更多
关键词 立方氮化硼/硅N-p异质结 伏-安特性 电容-电压特性
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The electric properties and the current-controlled differential negative resistance of cBN crystal
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作者 DOU QingPing MA HaiTao 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2008年第12期2295-2300,共6页
The electric properties of nonintentionally doped n-cubic boron nitride(cBN)crystal are investigated.The cBN crystal was transformed from hexagonal-boron nitride(h-BN)under high pressure(HP)and high temperature(HT)usi... The electric properties of nonintentionally doped n-cubic boron nitride(cBN)crystal are investigated.The cBN crystal was transformed from hexagonal-boron nitride(h-BN)under high pressure(HP)and high temperature(HT)using magnesium powder as catalyst.At room temperature,the current-voltage(I-V)characteristics of cBN crystal are measured and found to be nonlinear.When the electric field is in the range of(1―1.5)×105 V/cm,the avalanche breakdown occurs inside the whole cBN crystal.At this same time,the bright blue-violet with the wavelength of 380―400 nm from the cBN crystal is observed.When measuring the I-V curve after breakdown of cBN crystal,the current-controlled differential negative resistance phenomenon is observed.The breakdown is repeatable. 展开更多
关键词 nonintentionally doped n-cbn nonlinear I-V characteristics current-controlled differential negative resistance light emission
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