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便携式磁共振多源射频脉冲发生器设计
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作者 刘颖 袁斌华 章浩伟 《波谱学杂志》 2025年第3期285-298,共14页
在磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging,MRI)领域,多源发射技术能够改善射频磁场均匀性,提高MRI图像质量.本文提出了一种基于Zynq 7000 SoC全可编程片上系统的便携式磁共振多源射频脉冲发生器的设计.该设计包含具有脉冲序列参数完全... 在磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging,MRI)领域,多源发射技术能够改善射频磁场均匀性,提高MRI图像质量.本文提出了一种基于Zynq 7000 SoC全可编程片上系统的便携式磁共振多源射频脉冲发生器的设计.该设计包含具有脉冲序列参数完全开放的上位机软件,以及一个全数字化、集成度高、双信用卡大小的硬件电路板,从而并行输出多路波形、频率、相位和幅度独立可调节的射频脉冲信号.利用硬件描述语言Verilog在现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)内部构建高级可扩展接口的直接数字频率合成器(Advanced e Xtensible Interface Direct Digital Synthesizer,AXI DDS)和乘法器等硬件电路,实现产生多路射频脉冲信号及信号调制的功能.实验结果证明,该设计能正确发射四路MRI射频脉冲信号,为便携式磁共振多源射频脉冲发生器的设计提供一种全数字化、可重构性强、结构紧凑的可行方案. 展开更多
关键词 磁共振 多源射频脉冲发生器 可重构性 小型化
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一种基于射频三极管的高斯脉冲发生器的设计 被引量:10
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作者 杨峰 薛泉 陈志豪 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第10期69-71,77,共4页
对一种电路简单、成本低廉且易于集成的高斯脉冲发生器进行了分析与设计。该发生器是通过一个微分电路将触发信号转变为含有正、负脉冲信号来驱动射频三极管的“开”与“关”,并通过电容的充、放电形成窄脉冲。测试结果显示该脉冲发生... 对一种电路简单、成本低廉且易于集成的高斯脉冲发生器进行了分析与设计。该发生器是通过一个微分电路将触发信号转变为含有正、负脉冲信号来驱动射频三极管的“开”与“关”,并通过电容的充、放电形成窄脉冲。测试结果显示该脉冲发生器能产生峰值电压为1.8V,脉冲宽度为0.8ns的高斯脉冲波形,并与仿真结果吻合较好。该电路非常适合于MIC。 展开更多
关键词 超宽带 脉冲发生器 窄脉冲 射频三极管
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基于射频三极管的超宽带引信脉冲源 被引量:3
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作者 雷华相 周国安 付红卫 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2010年第3期9-12,共4页
针对当前基于阶跃恢复二极管的超宽带脉冲源成本高、电路复杂、工作电压高的不足,提出了基于射频三极管的超宽带引信脉冲源电路。该电路是以射频三极管为核心,利用射频三极管的低价和低压雪崩特性,结合电感器件磁场能存储与释放效应构... 针对当前基于阶跃恢复二极管的超宽带脉冲源成本高、电路复杂、工作电压高的不足,提出了基于射频三极管的超宽带引信脉冲源电路。该电路是以射频三极管为核心,利用射频三极管的低价和低压雪崩特性,结合电感器件磁场能存储与释放效应构建一种成本较低、电路简单、工作电压低的脉冲源。借助ADS仿真软件对电路进行了仿真测试,实际电路可以输出脉冲峰谷宽度为700 ps,幅度达8.608 V的亚纳秒的双极窄脉冲信号。测试结果表明该脉冲源能满足超宽带引信的需要。 展开更多
关键词 超宽带引信 脉冲源 射频三极管 ADS仿真
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应用于超宽带穿墙雷达的极窄脉冲发生器设计 被引量:5
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作者 王帮耀 刘晓云 《现代电子技术》 2008年第19期7-9,12,共4页
介绍了一种可用于超宽带(UWB)穿墙雷达的脉冲发生电路,讨论并分析了UWB中几种常用窄脉冲产生方法的特点及其局限性。基于雪崩三极管和射频双极性晶体管的雪崩特性,设计并制作了UWB脉冲电路发生器,指出电路中需要注意的事项及改进脉冲性... 介绍了一种可用于超宽带(UWB)穿墙雷达的脉冲发生电路,讨论并分析了UWB中几种常用窄脉冲产生方法的特点及其局限性。基于雪崩三极管和射频双极性晶体管的雪崩特性,设计并制作了UWB脉冲电路发生器,指出电路中需要注意的事项及改进脉冲性能的方法,并获得亚纳秒级的超短、快速前沿的单极性UWB脉冲,幅度为28 V,宽度为0.95 ns。 展开更多
关键词 超宽带 纳秒 脉冲发生器 雪崩特性 穿墙雷达 射频三极管
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应用于模块化高压纳秒脉冲源的SiC与射频Si基MOSFET瞬态开关特性对比研究
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作者 马剑豪 何映江 +2 位作者 余亮 董守龙 姚陈果 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1817-1828,共12页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,MOSFET)比Si MOSFET具有更低的导通电阻、更高的通流能力和热稳定性。但射频硅(radio frequency silicon,RF-Si)基MOSFET... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,MOSFET)比Si MOSFET具有更低的导通电阻、更高的通流能力和热稳定性。但射频硅(radio frequency silicon,RF-Si)基MOSFET凭借其优异的开关动态特性,在高压纳秒脉冲发生器中的使用比SiCMOSFET更为普及。为了拓展SiC MOSFET的应用范围,通过RF-Si和SiCMOSFET在多脉冲参数条件下瞬态开关特性(动态特性、瞬态开关损耗、时间抖动)的对比研究,该文揭示2种半导体器件在瞬态高压和强流下的开关特性差异。实验结果表明:相对于RF-Si基MOSFET,SiC MOSFET的优势体现在开通、关断时间。但由于寄生参数的影响,SiC MOSFET呈现出更大的振荡和过冲,而在瞬态开关损耗、时间抖动方面没有明显的优势。因此,通过改进SiCMOSFET的封装从而减小寄生参数,将推动SiC MOSFET在高压纳秒脉冲发生器中的应用。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 射频 纳秒短脉冲 脉冲功率源 高电压
原文传递
CINRAD/SA-SB雷达高频放大链前级组件故障诊断系统设计与实施 被引量:8
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作者 杨奇 李传柱 《气象科技》 2020年第6期808-815,共8页
根据S波段新一代天气雷达高频放大链前级组件重要功能模块固态放大器和射频脉冲形成器的内部结构以及工作原理和维修需要,设计了一套支持固态放大器和射频脉冲形成器组件测试与维修诊断系统。此系统详细阐述了设计的流程,主要包括硬件,... 根据S波段新一代天气雷达高频放大链前级组件重要功能模块固态放大器和射频脉冲形成器的内部结构以及工作原理和维修需要,设计了一套支持固态放大器和射频脉冲形成器组件测试与维修诊断系统。此系统详细阐述了设计的流程,主要包括硬件,电源,电路接口,控制逻辑和显示电路等设计,为测试维修固态放大器和射频脉冲形成器提供所需的各种电压、控制信号、时序逻辑信号等,满足对固态放大器和射频脉冲形成器故障的电路信号测试,判断故障点及元器件。系统以直接输出故障指示的方式快速完成测试及故障定位,从而确保维修人员的人身安全和雷达设备不受二次损坏,保证了雷达故障修复的时效性。 展开更多
关键词 新一代天气雷达 固态放大器 射频脉冲形成器 故障诊断
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MHz高压脉冲电源的研究 被引量:2
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作者 丁凯 饶俊峰 《电子科技》 2024年第2期69-75,共7页
针对均匀放电、生物医疗等高频纳秒脉冲的应用需求,文中设计了一款基于射频MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的高重频高压脉冲电源。脉冲电源的控制信号由FPGA(Field Programmable Gate Array)提供,并通过光... 针对均匀放电、生物医疗等高频纳秒脉冲的应用需求,文中设计了一款基于射频MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的高重频高压脉冲电源。脉冲电源的控制信号由FPGA(Field Programmable Gate Array)提供,并通过光纤进行传输,经驱动芯片放大后同步触发每一级放电管。驱动芯片采用电源模块隔离供电的方式来提供不同的地电位。放电管采用RCD(Residual Current Device)吸收电路来改善开关时刻的瞬时工况。分析和研究了最后一级隔离电感对放电管电压波形、负载电压波形的影响,并对Marx电路做出了改进。实验结果表明,在1 kΩ纯阻性负载上,该电源可在1 MHz重复频率下输出上升沿为40 ns、半高宽为100 ns以及电压幅值为1.1 kV的纳秒脉冲。实验验证表明该电源能够在高频高压状态下稳定工作,满足设计要求。 展开更多
关键词 MARX发生器 射频MOSFET 脉冲电源 纳秒脉冲 隔离电感 FPGA 脉冲功率技术 1 MHz重频
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核磁共振测井仪器常见现象分析
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作者 李海 薛博 赵新华 《中小企业管理与科技》 2020年第4期154-155,共2页
论文主要论述MRIL型核磁仪器的一些基本原理及对测井工程中出现现象的认识。
关键词 CHI 射频脉冲(rf)发生器 发射器模块 泥浆排除器
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