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显微Raman光谱法对Al_2O_3-SiO_2-H_2O系反应过程的探索表征 被引量:1
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作者 王旻 覃维祖 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期724-727,共4页
用显微Raman光谱法在Al2O3-SiO2-H2O体系不除去所含水分的情况下对样品进行了检测,避免了脱水处理过程对样品微结构的损伤。研究了反应产物和微结构随时间进展的变化情况,对同一样品进行了定点跟踪观察,Raman光谱检测结果和在显微镜下... 用显微Raman光谱法在Al2O3-SiO2-H2O体系不除去所含水分的情况下对样品进行了检测,避免了脱水处理过程对样品微结构的损伤。研究了反应产物和微结构随时间进展的变化情况,对同一样品进行了定点跟踪观察,Raman光谱检测结果和在显微镜下观测结果很好地对应。结果表明:对于配比为m(钾水玻璃):m(偏高岭土):m(粉煤灰):m(硅灰)=10:9:1:1,石膏掺量为3.7%的实验样品,在搅拌后4 h之内,二水石膏溶解于体系,Ca2+浓度提高,[SiO4]4-聚合度下降,偏高岭土中的五配位铝逐渐消失;在搅拌后4 h至1 d中,大量的含水凝胶物形成,材料也因此开始有强度,样品表面变得致密;在搅拌后1 d至7 d中,结晶态K2SO4形成,样品表面致密程度大幅提高,材料的强度也随之提高。 展开更多
关键词 显微raman光谱 铝硅酸盐 定点跟踪观测法
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花状TeO_2微/纳米结构的制备及Raman光谱研究
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作者 姜佳良 张骏 宋志超 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期43-46,73,共5页
以Bi_2Te_3粉末为原料,采用热蒸发的方法成功制备出花状TeO_2微/纳米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对合成产物的形貌进行表征,结果显示样品的微/纳米结构是由大量微/纳米片堆叠成的花状团簇。通过EDS发现,样品由Te和O两种元素组成。利... 以Bi_2Te_3粉末为原料,采用热蒸发的方法成功制备出花状TeO_2微/纳米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对合成产物的形貌进行表征,结果显示样品的微/纳米结构是由大量微/纳米片堆叠成的花状团簇。通过EDS发现,样品由Te和O两种元素组成。利用激光共聚焦拉曼光谱仪对合成产物的Raman光谱进行表征,结果显示合成产物的光谱与TeO_2晶体一致,并且随着热蒸发温度的升高,拉曼谱峰的峰值越高,特征峰越锐利,在硅片上制备出的产物的结晶度越好。 展开更多
关键词 氧化碲 微/纳米结构 热蒸发法 raman光谱
原文传递
碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展 被引量:4
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作者 邓亚 张宇民 +1 位作者 周玉锋 王伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第S02期206-209,共4页
SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为... SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 碳化硅单晶材料 残余应力 光弹性法 X射线衍射法 微拉曼光谱法
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Bi4B2O9晶体及其熔体结构的高温原位拉曼光谱研究 被引量:1
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作者 徐琰东 尤静林 +6 位作者 王建 龚晓晔 丁雅妮 曹培明 郑少波 吴永全 余仲达 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2143-2148,共6页
利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化... 利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化后晶体中的BiO4和BiO5多面体解体,BO3构型则保持三配位不变.运用量子化学从头算法模拟了Bi4B2O9的熔体结构并与实验拉曼光谱进行了对比分析,发现在Bi4B2O9熔体中B原子团簇为孤立的BO3构型,Bi^3+游离于BO3之间,并结合未参与形成BO3的O原子起到平衡电荷的作用. 展开更多
关键词 Bi4B2O9晶体 高温原位拉曼光谱 熔体微结构 从头算法
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Residual stress evolution regularity in thermal barrier coatings under thermal shock loading 被引量:5
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作者 Ximin Chen Zhanwei Liu Yang Yang 《Theoretical & Applied Mechanics Letters》 CAS 2014年第2期52-58,共7页
Residual stress evolution regularity in thermal barrier ceramic coatings (TBCs) under different cycles of thermal shock loading of 1 100℃ was investi- gated by the microscopic digital image correlation (DIC) and ... Residual stress evolution regularity in thermal barrier ceramic coatings (TBCs) under different cycles of thermal shock loading of 1 100℃ was investi- gated by the microscopic digital image correlation (DIC) and micro-Raman spec- troscopy, respectively. The obtained results showed that, as the cycle number of the thermal shock loading increases, the evolution of the residual stress under- goes three distinct stages: a sharp increase, a gradual change, and a reduction. The extension stress near the TBC surface is fast transformed to compressive one through just one thermal cycle. After different thermal shock cycles with peak temperature of 1 100℃, phase transformation in TBC does not happen, whereas the generation, development, evolution of the thermally grown oxide (TGO) layer and micro-cracks are the main reasons causing the evolution regularity of the residual stress. 展开更多
关键词 thermal barrier coating residual stress DIC hole-drilling method micro-raman spectroscopy
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基于微区拉曼法的AlGaN/GaN HEMT沟道温度测试研究
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作者 王瑞泽 郭怀新 +3 位作者 付志伟 尹志军 李忠辉 陈堂胜 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第3期13-18,44,共7页
针对现有温度测试技术难以满足GaN器件寿命、可靠性以及热管理控制对沟道温度精确评估的需求,开展基于微区拉曼法测定AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度的研究。使用拉曼系统测量GaN材料的E2声子频率特征峰来确定沟道温度。... 针对现有温度测试技术难以满足GaN器件寿命、可靠性以及热管理控制对沟道温度精确评估的需求,开展基于微区拉曼法测定AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度的研究。使用拉曼系统测量GaN材料的E2声子频率特征峰来确定沟道温度。通过使用洛伦兹拟合方法,提高拉曼测试结果精度。对微区拉曼法和红外热成像法测量器件结温进行量化研究,器件的直流输出功率密度分别为6、8、10 W/mm时基于微区拉曼法测得的GaN器件沟道温度分布为140.7、176.7、213.6℃;基于红外热成像法测得的温度分布为132.0、160.2、189.8℃。其测试精度相对红外法分别提升6.6%,10.3%和12.5%,同时尝试探索沟道深度方向的温度测量,实现沟道下3μm的温度测量,结果表明微区拉曼法有更高的测试精度,对器件结温的测量与评估以及热管理技术的提升都有重要意义。 展开更多
关键词 微区拉曼法 AlGaN/GaN HEMT 沟道温度 红外热成像法
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