选区激光熔化技术打印速度相对较低,在大规模生产中的应用受到一定限制。为了突破这一瓶颈,当前研究正聚焦于多激光打印技术,该技术被广泛认为是显著提升打印效率的关键途径。本工作探讨了使用单激光和双激光制造AlSi10Mg材料的超高周疲...选区激光熔化技术打印速度相对较低,在大规模生产中的应用受到一定限制。为了突破这一瓶颈,当前研究正聚焦于多激光打印技术,该技术被广泛认为是显著提升打印效率的关键途径。本工作探讨了使用单激光和双激光制造AlSi10Mg材料的超高周疲劳(Very high cycle fatigue, VHCF)行为。结果表明,单激光制造的材料总体上表现出更高的VHCF寿命,但两种方法制造的材料在疲劳寿命上的分散度较大。对微观结构和疲劳断口的分析发现,单激光制备的样品内部孔洞呈现随机分布,而双激光制备的样品孔洞在激光搭接区域显著集中。此外,裂纹源缺陷的尺寸及其萌生位置是造成样品VHCF性能差异的主要因素。为深入研究孔洞尺寸对材料VHCF行为的影响,采用P-S-N模型对数据进行了详细分析。展开更多
为了掌握轨道电磁发射中电枢的电流熔蚀特性,对小口径电磁轨道发射装置进行了实验研究。实验装置为20 mm×20 mm,方形口径轨道电磁发射装置,通过控制发射实验中电枢出膛的速度,研究了电流幅值、电枢质量和转角厚度（载流能力）等因...为了掌握轨道电磁发射中电枢的电流熔蚀特性,对小口径电磁轨道发射装置进行了实验研究。实验装置为20 mm×20 mm,方形口径轨道电磁发射装置,通过控制发射实验中电枢出膛的速度,研究了电流幅值、电枢质量和转角厚度（载流能力）等因素对熔蚀的贡献。另外,基于电流幅值递增实验,总结了熔蚀程度的几种模型和相应的电流幅值范围。结果表明：不同的发射条件对电枢的熔蚀程度影响有所差异;电流分布是熔蚀产生的直接原因,能显著影响熔蚀程度;电枢质量对起始时刻的熔蚀有影响;电枢转角厚度对熔蚀的贡献不大（电枢载流能力足够的情况下）;随着电流幅值的增加,电枢表面熔蚀有从电枢中端偏下位置沿棱边向电枢中部和电枢头部延伸的趋势,在此过程中归纳出了3种熔蚀程度及其对应电流范围：轻度熔蚀,对应电流181-293.8 k A;中度熔蚀,对应电流293.8-320.8 k A;极度熔蚀,电流〉320.8 k A。展开更多
文摘选区激光熔化技术打印速度相对较低,在大规模生产中的应用受到一定限制。为了突破这一瓶颈,当前研究正聚焦于多激光打印技术,该技术被广泛认为是显著提升打印效率的关键途径。本工作探讨了使用单激光和双激光制造AlSi10Mg材料的超高周疲劳(Very high cycle fatigue, VHCF)行为。结果表明,单激光制造的材料总体上表现出更高的VHCF寿命,但两种方法制造的材料在疲劳寿命上的分散度较大。对微观结构和疲劳断口的分析发现,单激光制备的样品内部孔洞呈现随机分布,而双激光制备的样品孔洞在激光搭接区域显著集中。此外,裂纹源缺陷的尺寸及其萌生位置是造成样品VHCF性能差异的主要因素。为深入研究孔洞尺寸对材料VHCF行为的影响,采用P-S-N模型对数据进行了详细分析。
文摘为了掌握轨道电磁发射中电枢的电流熔蚀特性,对小口径电磁轨道发射装置进行了实验研究。实验装置为20 mm×20 mm,方形口径轨道电磁发射装置,通过控制发射实验中电枢出膛的速度,研究了电流幅值、电枢质量和转角厚度（载流能力）等因素对熔蚀的贡献。另外,基于电流幅值递增实验,总结了熔蚀程度的几种模型和相应的电流幅值范围。结果表明：不同的发射条件对电枢的熔蚀程度影响有所差异;电流分布是熔蚀产生的直接原因,能显著影响熔蚀程度;电枢质量对起始时刻的熔蚀有影响;电枢转角厚度对熔蚀的贡献不大（电枢载流能力足够的情况下）;随着电流幅值的增加,电枢表面熔蚀有从电枢中端偏下位置沿棱边向电枢中部和电枢头部延伸的趋势,在此过程中归纳出了3种熔蚀程度及其对应电流范围：轻度熔蚀,对应电流181-293.8 k A;中度熔蚀,对应电流293.8-320.8 k A;极度熔蚀,电流〉320.8 k A。
