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有机薄膜晶体管直流电流-电压模型研究
被引量:
1
1
作者
张玲珑
滕支刚
钟传杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期9-12,28,共5页
针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型。该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对源漏电流的影响。计算结果表明,低和高电压工作的OTFT计算值与...
针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型。该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对源漏电流的影响。计算结果表明,低和高电压工作的OTFT计算值与实验值均有良好的一致性。
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关键词
有机薄膜晶体管
Poole-Frenkel迁移率
表面势
Lambert
w
函数
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职称材料
题名
有机薄膜晶体管直流电流-电压模型研究
被引量:
1
1
作者
张玲珑
滕支刚
钟传杰
机构
江南大学物联网学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期9-12,28,共5页
基金
国家自然基金资助项目(60776056)
文摘
针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型。该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对源漏电流的影响。计算结果表明,低和高电压工作的OTFT计算值与实验值均有良好的一致性。
关键词
有机薄膜晶体管
Poole-Frenkel迁移率
表面势
Lambert
w
函数
Keywords
organic thin film transistor (OTFT)
Poole-Frenkel mobility
surface potential
lamhert w function
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
有机薄膜晶体管直流电流-电压模型研究
张玲珑
滕支刚
钟传杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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