柴达木盆地油气勘探新思路 被引量：25

1

作者 郑亚东 莫午零 +1 位作者 张文涛 关平 《石油勘探与开发》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期13-18,共6页

柴达木盆地有大量储油构造和良好的盖层条件,却缺乏足够的理想储集层,寻找裂隙性储集层分布区,很可能是实现该区油气勘探突破的关键。根据对柴达木盆地油泉子构造的野外考察,其南北两翼为陡倾的共轭膝褶带,根据最大有效力矩准则,共轭膝... 柴达木盆地有大量储油构造和良好的盖层条件,却缺乏足够的理想储集层,寻找裂隙性储集层分布区,很可能是实现该区油气勘探突破的关键。根据对柴达木盆地油泉子构造的野外考察,其南北两翼为陡倾的共轭膝褶带,根据最大有效力矩准则,共轭膝褶带间的夹角为110°,所夹持的背斜具有箱状平顶的几何特征。膝褶带外岩层近水平,带内岩层近直立,局部倒转,普遍顺层剥离、张开和剪切,形成层间张裂隙和切割层理的小型低角度逆冲断层。边界断层和膝褶带内断裂普遍充填石膏脉,局部油浸,表明膝褶带一度为高压流体活动的水压致裂带,有利于油气运移和聚集。由于该构造微向北倒,近核部南侧的膝褶带肩部成为高点,建议在该高点布一深井,探明可能的岩性油气聚集带,并控制北翼主膝褶带的总体产状,然后沿该主膝褶带布一斜井,以期发现与膝褶带相关的裂隙型油藏。 展开更多

关键词 柴达木盆地 油泉子构造 膝褶带 最大有效力矩准则

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电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究 被引量：1

2

作者 刘洁 周继承 +5 位作者 罗宏伟 孔学东 恩云飞 师谦 何玉娟 林丽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期149-152,共4页

采用10keVX射线研究了部分耗尽SOIMOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产... 采用10keVX射线研究了部分耗尽SOIMOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论. 展开更多

关键词 X射线 SOI MOSFETS 部分耗尽 KINK效应 总剂量效应

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HEMT的Kink效应和低频偏移效应解析模型 被引量：1

3

作者 张义门 吴拥军 张玉明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期14-17,共4页

本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好．文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响．

关键词 晶体管 Knik效应 低频偏移效应 HEMT

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膝褶、膝褶带、共轭膝褶带——一种可能的新型油气构造样式 被引量：9

4

作者 张波 李生福 +2 位作者 张进江 郑亚东 张仲培 《天然气工业》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期32-39,71,共9页

受控于最大有效力矩准则的共轭膝褶带,是各向异性岩石中较为常见的构造变形样式,依据大量国、内外学者的研究资料及勘探实践成果,结合膝褶带几何学、形成机制以及地球物理资料解释成果等综合分析认为,大型膝褶带和共轭膝褶带可能被误解... 受控于最大有效力矩准则的共轭膝褶带,是各向异性岩石中较为常见的构造变形样式,依据大量国、内外学者的研究资料及勘探实践成果,结合膝褶带几何学、形成机制以及地球物理资料解释成果等综合分析认为,大型膝褶带和共轭膝褶带可能被误解释为"两断夹一隆"的构造形态,原先一些构造样式被解释为高角度逆冲断层的地方更可能是膝褶的枢纽带。研究结果认为,膝褶带具备形成油气构造圈闭的物质条件,可形成有利油气聚集区;膝褶带和共扼膝褶带作为非主造山期构造在油气勘探和构造解释上应引起石油地质学家和地球物理学家的重视;结合野外地质构造观测,利用地球物理资料准确识别和区分膝褶带构造与断裂构造是寻找油气构造圈闭的新思路和新方法。 展开更多

关键词 膝褶 膝褶带 共扼膝褶带 褶皱 最大有效力矩 含油气构造 构造圈闭 油气聚集区

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动态裂纹扩展中的分形效应 被引量：11

5

作者 谢和平 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 1995年第1期18-27,共10页

假设裂纹顶端沿着分形轨迹运动，建立了裂纹扩展的分形弯折（ｋｉｎｋｉｎｇ）模型来描述裂纹的动态扩展。根据这个模型，我们推导了分形裂纹扩展对劝态应力强度和裂纹速度的影响．动态应力强度因子与表观应力强度因子之比Ｋ（ｌ（ｔ）... 假设裂纹顶端沿着分形轨迹运动，建立了裂纹扩展的分形弯折（ｋｉｎｋｉｎｇ）模型来描述裂纹的动态扩展。根据这个模型，我们推导了分形裂纹扩展对劝态应力强度和裂纹速度的影响．动态应力强度因子与表观应力强度因子之比Ｋ（ｌ（ｔ），Ｖ）／Ｋ（Ｌ（ｔ），Ｏ）是表观裂纹速度Ｖ＿Ｏ，材料微结构参数（ｄ／Δａ），分维Ｄ和裂纹扩展路径的弯折角θ的函数。本文研究结果表明：在分形裂纹扩展中，表观（或量测）的裂纹速度Ｖ＿Ｏ很难接近Ｒａｙｌｅｉｇｈ波速Ｃ＿ｒ．动态断裂实验中Ｖ＿Ｏ明显低于Ｃ＿ｒ的原因可能是分形裂纹扩展效应所致。材料的微结构，裂纹扩展路径的分维和弯折角均很强地影响动态应力强度因子和裂纹扩展速度。 展开更多

关键词 裂纹扩展 动态断裂 分形效应 断裂力学

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实践中发展的最大有效力矩准则 被引量：9

6

作者 郑亚东 张进江 王涛 《地质力学学报》 CSCD 2009年第3期209-217,共9页

最大有效力矩准则发表以来,不断得到新的野外观察和实验结果的验证,正在得到国内外同行的支持。岩石的变形行为取决于自身力学性质、构造层次(包括温度、压力、流体压力等因素)和应变速率。浅构造层次中平面菱网状构造和剖面共轭膝褶带... 最大有效力矩准则发表以来,不断得到新的野外观察和实验结果的验证,正在得到国内外同行的支持。岩石的变形行为取决于自身力学性质、构造层次(包括温度、压力、流体压力等因素)和应变速率。浅构造层次中平面菱网状构造和剖面共轭膝褶带,钝角面对缩短方向,受最大有效力矩准则控制,是对慢应变速率的构造响应。证明应变速率对变形行为的控制程度不亚于构造层次。韧、脆性构造的共存意味着构造演化过程为快、慢应变速率的交替。 展开更多

关键词 最大有效力矩准则 应变速率 膝褶带 菱网状构造

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非理想MHD效应与m=1内扭曲模本征方程 被引量：1

7

作者 曲文孝 缪敬 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期1-8,共8页

对非俘获粒子与俘获粒子分别采用流体和单粒子模型，推导了同时包含各种非理想ＭＨＤ效应的ｍ＝１内扭曲模本征方程。这些效应包括有限电阻、反磁漂移、俘获离子引起的增大的极化漂移与横向粘滞、沿力线电子热导、反常电子横向粘滞、俘... 对非俘获粒子与俘获粒子分别采用流体和单粒子模型，推导了同时包含各种非理想ＭＨＤ效应的ｍ＝１内扭曲模本征方程。这些效应包括有限电阻、反磁漂移、俘获离子引起的增大的极化漂移与横向粘滞、沿力线电子热导、反常电子横向粘滞、俘获离子香蕉轨道宽度及自举电流等效应。所得到的ｍ＝１内扭曲模本征方程，为研究不同情况下各种非理想ＭＨＤ效应的相对重要性及可能对ｍ＝１内扭曲稳定性的影响，提供了一可靠的基础。 展开更多

关键词 内扭曲模 非理想MHD效应 等离子体动力学

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0.8μm PD SOI MOS器件研究 被引量：1

8

作者 肖志强 洪根深 张波 《电子与封装》 2005年第6期35-39,共5页

本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述。

关键词 PD SOI KINK效应 热载流子效应 自加热效应

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压电材料平面裂纹启裂的能量释放率及电效应

9

作者 仝兴华 侯密山 李玉坤 《中国石油大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期69-73,共5页

针对压电材料的电弹性断裂问题,考虑到电量对断裂的影响,用裂纹尖端场和裂纹围道积分计算了裂纹沿任意方向启裂的能量释放率。以最大能量释放率为启裂准则,结合PZT-5H压电陶瓷材料,分析了电位移载荷对裂纹启裂的作用效果。研究表明,电... 针对压电材料的电弹性断裂问题,考虑到电量对断裂的影响,用裂纹尖端场和裂纹围道积分计算了裂纹沿任意方向启裂的能量释放率。以最大能量释放率为启裂准则,结合PZT-5H压电陶瓷材料,分析了电位移载荷对裂纹启裂的作用效果。研究表明,电位移载荷能促进或抑制裂纹的启裂,并使裂纹产生偏折或分叉,其作用效果与施加的电位移载荷的大小和方向有关。 展开更多

关键词 压电材料 能量释放率 偏折分叉 电效应

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二维单原子晶格非线性振动的扭结孤子解

10

作者 杨良梁 徐权 田强 《扬州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2005年第1期18-22,共5页

运用连续极限近似的方法,求解二维单原子晶格的非线性振动方程,当晶格为二维各向同性时,可以得出在只考虑最近邻相互作用和分别考虑3次非线性效应、4次非线性效应以及3次、4次非线性效应同时存在的条件下,二维单原子晶格的非线性振动行... 运用连续极限近似的方法,求解二维单原子晶格的非线性振动方程,当晶格为二维各向同性时,可以得出在只考虑最近邻相互作用和分别考虑3次非线性效应、4次非线性效应以及3次、4次非线性效应同时存在的条件下,二维单原子晶格的非线性振动行为分别由KdV、MKdV和GKdV方程描述,具有扭结孤子解;通过讨论还得出使二维各向同性晶格非线性行为减小或消失的途径,即3次非线性的正效应和4次非线性效应的相互作用结果就可以减小晶格的非线性行为,当3次非线性的正效应因子σ=+1000时,二维各向同性晶格非线性行为将彻底消失. 展开更多

关键词 二维非线性晶格 非线性效应 扭结孤子 各向同性

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H型栅NMOS器件Kink效应的研究

11

作者 徐大为 彭宏伟 +2 位作者 秦鹏啸 王青松 董海南 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第1期55-60,共6页

H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测... H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生Kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对Kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了Kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件Kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制Kink效应提供了有益的参考。 展开更多

关键词 H型栅NMOS KINK效应 PDSOI 总剂量辐照 TCAD

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混凝土材料断裂韧度分形尺寸效应

12

作者 周青松 于清树 《安徽工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第3期334-336,351,共4页

根据混凝土材料裂纹的分形特性,分析了混凝土的断裂韧度与裂纹带高度之间的变化关系。结合裂纹弯折扩展模型,计算了裂纹分形维数,提出了分形断裂韧度的理论模型,并与实验结果进行了验证。

关键词 混凝土材料 分形 断裂韧性 弯折模型 尺寸效应

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二维短沟道SOI-MOSFET器件的背栅效应

13

作者 周婷俐 《中南矿冶学院学报》 CSCD 1992年第6期744-747,共4页

文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程。这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SO... 文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程。这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SOI-MOSFET器件的背栅效应以及I-V特性的扭曲(Kink)效应产生的机理。 展开更多

关键词 背栅效应 扭曲 产出率 SOI器件

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深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺 被引量：6

14

作者 王新柱 徐秋霞 +2 位作者 钱鹤 申作成 欧文 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期323-329,共7页

研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件 Medici和 Davinci分析了 STI结构的隔离性能以及沟槽隔离 MOSFET的

关键词 浅沟槽隔离工艺 化学机械平坦化 KINK效应 反窄宽度效应 微电子 深亚微米隔离技术

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Kink效应对低温CMOS读出电路的影响 被引量：6

15

作者 刘文永 冯琪 丁瑞军 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期990-992,共3页

在深低温下(T<50K),CMOS器件会出现Kink效应,即I-V特性曲线会发生扭曲。当漏源电压较大时(Vds>4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink... 在深低温下(T<50K),CMOS器件会出现Kink效应,即I-V特性曲线会发生扭曲。当漏源电压较大时(Vds>4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性。最后,针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。 展开更多

关键词 KINK效应 CMOS读出电路 低温 非线性 宏模型

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天线效应对LPNP管输出曲线的影响

16

作者 郑若成 汤赛楠 《电子与封装》 2012年第1期25-27,48,共4页

天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构,一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中,该结构用来监控横向PNP(LPNP)管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现,带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象,分析认为该... 天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构,一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中,该结构用来监控横向PNP(LPNP)管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现,带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象,分析认为该异常不是由于发射极结损伤造成的,因为发射极结工艺过程中并没有受到损伤。同时发现该翘曲现象在LPNP管保护环接低电位时会消失,该低电位在很大范围内变化时,输出曲线基本一致,且输出曲线电流较保护环悬空时的电流整体偏大,在集电极电压较大时,输出电流和保护环悬空时的电流一致。 展开更多

关键词 天线结构 输出曲线 翘曲 发射极结 保护环

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偏应力技术在非线性内耗中的应用

17

作者 谭启 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期A415-A420,共6页

本文研究了纵向偏应力和切向偏应力对反常内耗效应的影响.纵向偏应力总是削弱反常内耗效应,而切向偏应力因施加方向的不同引起不同的内耗效应.偏应力效应在经过适当热处理和冷加工的合金试样中才体现出来.研究表明反常内耗峰(_3,P_2和P_... 本文研究了纵向偏应力和切向偏应力对反常内耗效应的影响.纵向偏应力总是削弱反常内耗效应,而切向偏应力因施加方向的不同引起不同的内耗效应.偏应力效应在经过适当热处理和冷加工的合金试样中才体现出来.研究表明反常内耗峰(_3,P_2和P_1峰)与倾斜的位错弯结链密切相关。偏应力对内耗的应用将有助于位错结构的研究。 展开更多

关键词 非线性 内耗 偏应力 铝合金 位错

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LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响 被引量：1

18

作者 丁磊 许剑 +2 位作者 韩郑生 梅沁 钟传杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期173-177,共5页

利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2&#... 利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系。计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小。而LDD掺杂能量对KINK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 KINK效应 MEDICI Tsuprem4

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部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应 被引量：3

19

作者 彭力 洪根深 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期597-599,611,共4页

介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。

关键词 SOI MOSFET 浮体效应 KINK效应

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一种可能的超导孤子通道:带有非对称双阱势的氢键链 被引量：1

20

作者 袁德荣 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第3期239-243,共5页

证明了在带有非对称双阱势的有阻尼的氢键链中 ,当无外场时 ,也存在运动的扭结孤子激发 .扭结和反扭结是成对出现并以相等相反的速度运动的 .这预示这类氢键链将可能作为一种孤子型超导电通道 .讨论了扭结 -反扭结对的平衡分布 ,推导出... 证明了在带有非对称双阱势的有阻尼的氢键链中 ,当无外场时 ,也存在运动的扭结孤子激发 .扭结和反扭结是成对出现并以相等相反的速度运动的 .这预示这类氢键链将可能作为一种孤子型超导电通道 .讨论了扭结 -反扭结对的平衡分布 ,推导出一条分子链所输运的超导电流 . 展开更多

关键词 氢键链 非对称双阱势 扭结对 孤子型 超导电性

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