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Trajectory equations of interaction and evolution behaviors of a novel multi-soliton to a (2+1)-dimensional shallow water wave model
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作者 Xi-Yu Tan Wei Tan 《Chinese Physics B》 2025年第4期238-248,共11页
Based on a new bilinear equation,we investigated some new dynamic behaviors of the(2+1)-dimensional shallow water wave model,such as hybridization behavior between different solitons,trajectory equations for lump coll... Based on a new bilinear equation,we investigated some new dynamic behaviors of the(2+1)-dimensional shallow water wave model,such as hybridization behavior between different solitons,trajectory equations for lump collisions,and evolution behavior of multi-breathers.Firstly,the N-soliton solution of Ito equation is studied,and some high-order breather waves can be obtained from the N-soliton solutions through paired-complexification of parameters.Secondly,the high-order lump solutions and the hybrid solutions are obtained by employing the long-wave limit method,and the motion velocity and trajectory equations of high-order lump waves are analyzed.Moreover,based on the trajectory equations of the higher-order lump solutions,we give and prove the trajectory theorem of 1-lump before and after interaction with nsoliton.Finally,we obtain some new lump solutions from the multi-solitons by constructing a new test function and using the parameter limit method.Meanwhile,some evolutionary behaviors of the obtained solutions are shown through a large number of three-dimensional graphs with different and appropriate parameters. 展开更多
关键词 ito equation trajectory equation multi-solitons dynamic behavior
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基于ITO/Al/ITO结构的红外-可见光兼容隐身薄膜制备与性能研究
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作者 谷东 董玲 +4 位作者 杨季薇 李海平 李杰 朱归胜 徐华蕊 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1607-1613,共7页
红外-可见光兼容隐身材料因突破单波段隐身材料的局限,能够应对多波段侦察技术而备受关注。本文利用直流磁控溅射制备了具有不同厚度Al间隔层的ITO/Al/ITO复合薄膜。通过多膜层间的表面和界面效应及多波段光学耦合等光学效应协同作用,... 红外-可见光兼容隐身材料因突破单波段隐身材料的局限,能够应对多波段侦察技术而备受关注。本文利用直流磁控溅射制备了具有不同厚度Al间隔层的ITO/Al/ITO复合薄膜。通过多膜层间的表面和界面效应及多波段光学耦合等光学效应协同作用,获得了一种可见光高透过与红外高反射的ITO/Al/ITO复合薄膜。XRD表征结果显示,Al层的插入改善了ITO薄膜的结晶性。良好的晶体结构有助于载流子的运动,与载流子迁移率为11.1 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)的双层ITO薄膜相比,复合薄膜的载流子迁移率提升到24.2 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。Al层溅射时间9和12 s的复合薄膜的可见光透过率和红外光反射率均大于80%。 展开更多
关键词 ito/Al/ito复合薄膜 磁控溅射 红外-可见光兼容隐身 高透过率 载流子迁移率
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草酸-草酸盐浸出废弃ITO玻璃中铟的机理与浸铟条件的优化
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作者 牛鹏宇 党晓娥 +1 位作者 王碧侠 刘成鹏 《有色金属(中英文)》 北大核心 2025年第5期796-805,共10页
为了解决火法和无机酸法对废弃ITO玻璃粉末中铟锡分离效果差以及草酸法对铟浸出率较低的问题,提出采用草酸-草酸盐A浸出分离ITO玻璃粉末中的铟和锡,并采用响应面法对铟的浸出条件进行优化,建立预测铟的浸出率回归模型,确定浸出液中铟的... 为了解决火法和无机酸法对废弃ITO玻璃粉末中铟锡分离效果差以及草酸法对铟浸出率较低的问题,提出采用草酸-草酸盐A浸出分离ITO玻璃粉末中的铟和锡,并采用响应面法对铟的浸出条件进行优化,建立预测铟的浸出率回归模型,确定浸出液中铟的存在形式,探索水解法回收铟的可行性。结果表明,草酸-草酸盐A浸出铟的优化条件为:c(C_(2)O_(4)^(2-))_(TOT)为0.09 mol/L,n(H_(2)C_(2)O_(4))∶n(A)为0.988∶1,液固比6.5 m L/g。在该条件下,铟的浸出率预测值和实验值分别为96.51%和97.69%,锡的浸出率仅为2.18%,铟锡分离效果较好。浸出液中的铟以In(C_(2)O_(4))_(3)^(3-)和In(C_(2)O_(4))_(2)^(2-)形式存在,可溶锡以Sn^(2+)和SnOH^(+)形式进入浸出液,且可采用水解法分离浸出液中的铟和锡,铟以In(OH)_(3)形式沉淀析出,锡留于浸出液。研究结果证明,采用草酸-草酸盐A浸出-浸出液水解工艺能提高铟的浸出率和铟锡的分离效果,解决了现有火法和湿法分离铟锡过程存在的技术缺陷。 展开更多
关键词 废弃ito玻璃粉末 响应曲面法 优化 草酸 浸出 水解
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ITO增强相粒度对AgSnO_(2)触头材料性能的影响
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作者 刘笑 李波 +4 位作者 吴小龙 周光华 王江 黄锡文 蒙柳方 《电工材料》 2025年第1期5-8,12,共5页
为了满足新能源汽车、智能家居等终端应用市场的需求,亟需电接触产品供应商不断开发新型电接触产品,满足高端领域用触点产品的国产化需求。本项目充分利用ITO导电陶瓷类似金属的导电导热性以及陶瓷的高强度优势,通过调控增强相颗粒形貌... 为了满足新能源汽车、智能家居等终端应用市场的需求,亟需电接触产品供应商不断开发新型电接触产品,满足高端领域用触点产品的国产化需求。本项目充分利用ITO导电陶瓷类似金属的导电导热性以及陶瓷的高强度优势,通过调控增强相颗粒形貌,研究不同粒径的ITO粉体对AgSnO_(2)(10)ITO(5)触头材料性能的影响。结果表明,经过1400℃高温处理和球磨后,获得了粒径约为6μm,均匀且分散的ITO粉体。压坯抗弯强度试验和热挤压—冷拉拔试验表明,较大粒径的ITO增强相可以提高密度、抗拉强度等力学性能,断后伸长率从9%提升到22%。模拟电寿命试验表明,大粒径的ITO增强相致使通断前期的熔焊力波动更小,试验期间最大熔焊力也更低,模拟电寿命次数提升约15%。 展开更多
关键词 ito 电触头材料 导电陶瓷 粒径
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LiNbO_(3)/ITO异质结薄膜的制备及光电性质研究
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作者 朱家怡 杜帅 +2 位作者 周鹏飞 郑凡 陈云琳 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期819-824,共6页
在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于... 在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于ITO/LN,LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示,200℃下异质结薄膜表面较为平整,鲜少有凸起。通过紫外可见分光光度计透光性能测试,相比于LN单层薄膜,叠层后的异质结薄膜的透光率在可见光范围内有所提高,且退火后异质结薄膜透光性进一步增强。利用变温霍尔效应测试仪研究了LN/ITO异质结的电学性质,测试结果表明LN/ITO异质结薄膜为p型半导体;与LN单层薄膜相比,LN/ITO异质结薄膜的电导率提高了11个数量级。 展开更多
关键词 LN/ito薄膜 异质结 磁控溅射镀膜 透光率 霍尔效应
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基于法布里-珀罗腔产生飞秒激光脉冲串在ITO薄膜表面精密加工
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作者 李重周 王培尧 +3 位作者 龙明泉 许宇锋 韩若中 贾天卿 《光子学报》 北大核心 2025年第5期33-46,共14页
利用法布里-珀罗腔对飞秒激光进行时域整形,得到输出子脉冲间隔在1~1500 ps内灵活可调的飞秒激光脉冲串,在厚度为185 nm的ITO薄膜上加工出高质量的刻蚀线。实验结果显示,利用飞秒激光脉冲串加工得到的单根刻蚀线在线边沿粗糙度上明显优... 利用法布里-珀罗腔对飞秒激光进行时域整形,得到输出子脉冲间隔在1~1500 ps内灵活可调的飞秒激光脉冲串,在厚度为185 nm的ITO薄膜上加工出高质量的刻蚀线。实验结果显示,利用飞秒激光脉冲串加工得到的单根刻蚀线在线边沿粗糙度上明显优于原始高斯光加工的刻蚀线。利用子脉冲间隔为150 ps、激光能流密度为0.49 J/cm^(2)、扫线速度为0.2 mm/s的脉冲串加工得到的刻蚀线质量较高,线宽度仅有1.45μm(顶部)和0.95μm(底部),线边沿粗糙度仅有9.48 nm。该加工工艺配合平移台,实现了高质量的排线和任意曲线的导线。 展开更多
关键词 激光加工 法布里-珀罗腔 飞秒激光脉冲串 刻蚀线 ito薄膜
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铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
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作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ito靶材
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SmBO_(3)@ITO的制备及激光吸收性能研究
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作者 李文新 鹿辛践 +2 位作者 冯潇强 张同庆 张林博 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期470-476,共7页
随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO_(3)复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XP... 随着探测技术的不断发展,单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO_(3)复合粉体,旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XPS等表征手段,确认了SmBO_(3)@ITO核壳结构的成功构建。激光性能测试表明,包覆粉体的反射率最低为42.9%。进一步的电磁参数测试与计算显示,在2 mm厚度条件下,于13.5 GHz频段处得到最低反射损耗(RL)约为-11.1 dB,有效吸波带宽(EAB)为1.5 GHz。这项工作将为激光和雷达兼容的隐身技术提供新的材料选择和研究方向。 展开更多
关键词 共沉淀法 包覆 SmBO_(3)@ito 激光兼容
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(3+1)维Hirota-Satsuma-Ito-like方程的Lax可积性及相关问题研究
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作者 杨欣冉 套格图桑 《应用数学》 北大核心 2025年第4期1227-1241,共15页
本文基于Bell多项式方法,首先将Hirota-Satsuma-Ito-like方程化为双线性形式,并构造出方程的Bäcklund变换, Lax对,无穷守恒律,说明方程的可积性.其次,利用双线性Bäcklund变换得到非线性叠加公式并得到了叠加解.最后,应用试探... 本文基于Bell多项式方法,首先将Hirota-Satsuma-Ito-like方程化为双线性形式,并构造出方程的Bäcklund变换, Lax对,无穷守恒律,说明方程的可积性.其次,利用双线性Bäcklund变换得到非线性叠加公式并得到了叠加解.最后,应用试探函数法获得方程的呼吸解,复合解, lump孤子解与cosh-M-cos-N型叠加解,选取适当参数,通过符号计算软件Mathematica,绘制解的图像并分析. 展开更多
关键词 Hirota-Satsuma-ito-like方程 Bäcklund变换 无穷守恒律 非线性叠加公式 精确解
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低温下ITO薄膜的制备及其性能研究
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作者 葛新明 赵栋才 +2 位作者 郭东龙 杨英 郑军 《真空与低温》 2025年第2期156-164,共9页
为了研究低温下氧流量对ITO薄膜光电性能的影响,在-15℃下,利用直流磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ITO薄膜。结果表明,氧气流量从10 mL/min增加到30 mL/min,会促进O元素与In原子和Sn原子的结合,使氧空位状态的氧和其他状态的氧的比值从... 为了研究低温下氧流量对ITO薄膜光电性能的影响,在-15℃下,利用直流磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ITO薄膜。结果表明,氧气流量从10 mL/min增加到30 mL/min,会促进O元素与In原子和Sn原子的结合,使氧空位状态的氧和其他状态的氧的比值从0.82降低至0.69, SnO_(2):SnO的比值从0.52增加到3.33,In_(2)O_(3):In_(2)O_(3-x)的比值从0.25增加到0.82。同时Sn原子的含量也从3.13%减小至2.87%,薄膜中载流子浓度从253.1×10^(18)cm^(-3)减小至98.9×10^(18)cm^(-3),载流子的迁移率从4.9 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)增大至35.98 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),使薄膜的电阻率由50.0×10^(-4)Ω·cm降低到17.5×10^(-4)Ω·cm。可见光区的平均透过率从42.06%增加到82.92%,提高了薄膜的导电性能和透光性能。 展开更多
关键词 ito薄膜 氧空位 载流子 透过率
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Cu/ITO/PET柔性薄膜的制备和弯曲性能研究
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作者 徐壮壮 王国栋 +5 位作者 束民涛 姚吉恺 朱磊 周健 张继凡 张石亮 《真空与低温》 2025年第4期478-482,共5页
采用磁控溅射法制备了Cu/ITO/PET柔性薄膜,并搭建了力学测试装置,对薄膜进行了弯曲和循环弯曲实验。使用四探针测试仪测试了不同工况下薄膜的方阻变化,通过扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜弯曲前后的表面形貌。结果表明,弯曲过程中,随着... 采用磁控溅射法制备了Cu/ITO/PET柔性薄膜,并搭建了力学测试装置,对薄膜进行了弯曲和循环弯曲实验。使用四探针测试仪测试了不同工况下薄膜的方阻变化,通过扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜弯曲前后的表面形貌。结果表明,弯曲过程中,随着弯曲半径减小到7 mm,薄膜在内弯曲模式下的方阻发生显著变化。弯曲半径减小到3 mm时,薄膜在外弯曲模式下产生的裂纹比内弯曲更明显,方阻更大。弯曲半径为9 mm时,经过1 500次循环弯曲,薄膜在内弯曲模式下产生了细微的裂纹,在外弯曲模式下没有观察到裂纹,内弯曲模式比外弯曲模式下的方阻更大。内弯曲半径和外弯曲半径从9 mm减小到3 mm时,薄膜方阻相对变化率在8%以内。内、外弯曲半径均固定为9 mm时,经过6组弯曲实验,薄膜方阻相对变化率均在6%以内。制备的柔性薄膜具有良好的导电和耐弯曲性能。 展开更多
关键词 磁控溅射 Cu/ito/PET 方块电阻 耐弯曲性能
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基于多孔ITO电极的WO_(3)薄膜的制备及其电致变色性能
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作者 杨光 张楠 +3 位作者 陈舒锦 王义 谢安 严育杰 《无机材料学报》 北大核心 2025年第7期781-789,共9页
电致变色智能窗可通过调制电致变色材料的光学透过率来调控室外入射光进而实现节能建筑。由于磁控溅射技术具有大面积和均匀沉积的优势,利用其所制备的非晶三氧化钨(Tungsten Oxide,WO_(3))最有实现商业化的潜力。然而,磁控溅射制备的WO... 电致变色智能窗可通过调制电致变色材料的光学透过率来调控室外入射光进而实现节能建筑。由于磁控溅射技术具有大面积和均匀沉积的优势,利用其所制备的非晶三氧化钨(Tungsten Oxide,WO_(3))最有实现商业化的潜力。然而,磁控溅射制备的WO_(3)薄膜本征致密原子结构导致较低的离子传输效率,因此其电致变色性能远低于溶液法。本研究提出了基于埋层多孔电极制备微结构磁控溅射基WO_(3)薄膜的方法,从而提高材料的光学调制幅度和响应时间。实验结果表明,与致密WO_(3)薄膜相比,通过该方法制备的多孔WO_(3)薄膜展现出显著提升的电致变色性能。当多孔WO_(3)薄膜厚度增加到300 nm时,获得了高达79.08%的光学调制幅度,2.6 s的着色时间和2.0 s的褪色时间,以及高达52.5 cm^(2)/C的着色效率。性能提升主要归因于多孔氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)电极和多孔WO_(3)薄膜的协同作用。多孔ITO电极可增加与WO_(3)组分的接触面积,使更多电荷注入WO_(3)薄膜中,进而促进氧化还原反应过程。此外,多孔WO_(3)薄膜也增加了与电解液的接触面积,随之增加了反应活性位点以及缩短了离子扩散路径,进而加速了离子扩散和迁移过程,实现了高效的氧化还原反应和快速的离子传输。本工作为制备高性能微纳结构磁控溅射电致变色薄膜提供了一种有效的方法。 展开更多
关键词 电致变色 磁控溅射 ito电极 多孔WO_(3)
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Redox-Active Monolayers on ITO Prepared by Post-Amidation and Direct Esterification and Their Spectroelectrochemical Characterization
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作者 Takamasa Sagara Sae Nakai +1 位作者 Ryusuke Yofu Shota Kojin 《电化学(中英文)》 北大核心 2025年第6期51-63,共13页
A redox-active monolayer on an optically transparent electrode constitutes a typical platform for spectroelectrochemical sensing.The necessity for its sophistication arises from the availability of multi-dimensional s... A redox-active monolayer on an optically transparent electrode constitutes a typical platform for spectroelectrochemical sensing.The necessity for its sophistication arises from the availability of multi-dimensional sensing signals.Simultaneous monitoring of the redox current and color change synchronized with the oxidation state change significantly enhances sen-sitivity and selectivity.This study aimed to elucidate the modification of an indium tin oxide(ITO)electrode with a viologen monolayer with an ordered orientation.Novel methods were developed to immobilize a viologen molecule bearing a car-boxyl group to form assembled monolayers through a condensation reaction using 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)-car-bodiimide with N-hydroxy-succinimide(EDC/NHS).In the two methods of immobilization,one utilizes a two-step process to firstly form an aromatic siloxane base layer and subsequently attach the viologen derivative through an amide linkage by post-amidation.The other employs a direct ester linkage between the hydroxyl groups of the ITO surface and the car-boxyl group of the viologen derivative.The latter method was also applied to immobilize a ferrocenyl group at a very short distance from the ITO surface.Potential-modulated UV-visible transmission absorption spectral measurement techniques with oblique incidence of plane-polarized light were employed to determine the orientation of the longitudinal axis of the reduced form of the viologen.The frequency dependence data of the potential-modulated transmission absorption signals were utilized to analyze the electron transfer kinetics.The performance of the two viologen-modified electrodes was com-pared to that of an ITO modified by post-amidation to the most commonly used base layer prepared with 3-aminopropyl triethoxysilane. 展开更多
关键词 Redox-active monolayer ito electrode Absorption spectroscopy Molecular orientation EDC/NHS
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STRSeqTyperY68二代测序试剂盒与ITO法联用助力侦破一起命案积案
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作者 吴庆玲 伊鹏 +8 位作者 陈智 张驰 权宗雪 肖莉 马晶晶 郑蕾 王瑗 王乐 叶健 《刑事技术》 2025年第2期206-210,共5页
目前,基于毛细管电泳技术的Y-STR检案试剂盒单次最多检测约40个Y-STR基因座,仅报告各等位基因分型的长度多态性信息而无法报告其序列信息。STRSeqTyper Y68男性家系精细化排查试剂盒,一次实验可检测1个性别基因座及67个Y-STR基因座,依托... 目前,基于毛细管电泳技术的Y-STR检案试剂盒单次最多检测约40个Y-STR基因座,仅报告各等位基因分型的长度多态性信息而无法报告其序列信息。STRSeqTyper Y68男性家系精细化排查试剂盒,一次实验可检测1个性别基因座及67个Y-STR基因座,依托MiSeq FGx二代测序平台同时检测Y-STR的长度及序列多态性,从而提高检验效率,为家系精细化区分提供帮助。ITO法是根据孟德尔遗传分离定律计算两个体亲缘关系指数,评估两个体间可能的五级内亲缘关系的方法。联合应用二代测序技术与ITO法,可以有效缩小家系范围。本文报道一起8年未破的强奸命案,通过联合应用STRSeqTyperY68男性家系精细化排查试剂盒检验及ITO法评估现场检材与比对样本间可能的亲缘关系远近,逐步缩小范围,最终案件告破。 展开更多
关键词 法医遗传学 二代测序 序列多态性 Y-STR ito
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氩气流量及退火温度对ITO薄膜光电性能的影响
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作者 许德裕 魏爱香 袁新生 《微纳电子技术》 2025年第9期102-107,共6页
采用磁控溅射技术,以In2O_(3)和SnO_(2)质量比为9∶1的陶瓷作为溅射靶材,以氩气和氧气的混合气体为溅射气体,在石英衬底上沉积厚度约60 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜。研究氩气流量和退火温度对ITO薄膜的方块电阻和透射率的影响规律。结果表明... 采用磁控溅射技术,以In2O_(3)和SnO_(2)质量比为9∶1的陶瓷作为溅射靶材,以氩气和氧气的混合气体为溅射气体,在石英衬底上沉积厚度约60 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜。研究氩气流量和退火温度对ITO薄膜的方块电阻和透射率的影响规律。结果表明,在氩气流量为55和70 cm^(3)/min条件下,制备的ITO薄膜的方块电阻和透射率平均值分别为88.2Ω/□和78.8%、95.2Ω/□和78.2%,在经过550、580、600℃温度退火600 s后,ITO薄膜的方块电阻分别降至29.6、31.8、43.9Ω/□(氩气流量55 cm^(3)/min)和31.0、32.2、46.3Ω/□(氩气流量70 cm^(3)/min),而透射率分别升至85.4%、85.5%、83.2%(氩气流量55 cm^(3)/min)和85.7%、85.3%、82.9%(氩气流量70 cm^(3)/min)。即退火后,ITO薄膜的方块电阻减小、透射率增大,但是ITO薄膜的方块电阻随着退火温度的升高而增大,透射率随退火温度的升高整体呈减小趋势。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化铟锡(ito)薄膜 方块电阻 透射率
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Pulsed current annealing of sputtered amorphous ITO films
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作者 Qiu-Li Chen Wang-Chang Chen +6 位作者 Tao Gong Feng-Xu Fang Shu-Yao Chen Yi Feng Dong-Hua Liu Long-Jiang Deng Tao Liu 《Rare Metals》 2025年第3期1824-1832,共9页
The complicated structure of electronic devices makes the conventional annealing method,which involves placing the entire device in a furnace,insufficient for achieving the desired quality.This issue is currently addr... The complicated structure of electronic devices makes the conventional annealing method,which involves placing the entire device in a furnace,insufficient for achieving the desired quality.This issue is currently addressed through the use of pulsed laser annealing,where a specific target layer is heated,preventing the overheating of other layers or the substrate.However,this method is only applicable to a very limited range of materials and requires very expensive,powerful pulsed laser sources.Herein,a novel approach for the selective local thermal treatment of thin films is proposed;in this method,short,powerful current pulses are applied to the target conductive layer.The application of two current pulses with a length of 1.5 s induced the crystallization of a 160-nm thick indium tin oxide(ITO)film,resulting in a sheet resistance of 8.68Ω·sq^(-1),an average visible light transmittance of 86.69%,and a figure of merit(FoM)of 293.61.This FoM is an order of magnitude higher than that of the as-prepared ITO film,and to the best of our knowledge,is among the highest reported values for the polycrystalline ITO films.Simulations have shown that even faster and more localized crystallization could be achieved by increasing the power of pulsed current.This novel annealing method is applicable to most semi-conductive or metallic thin films and requires only a relatively inexpensive pulsed current source,making it potentially more attractive than pulsed laser annealing. 展开更多
关键词 Selective local thermal treatment Pulsed current annealing Electronic device ito film
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ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究 被引量:2
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作者 杨涛 陈彩明 +4 位作者 黄瑜佳 吴少平 徐华蕊 汪坤喆 朱归胜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1150-1159,共10页
随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)... 随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 AgNWs 导电网络 复合薄膜 光电性能 溅射温度
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两种不同形式原料粉体制备的ITO靶材特性的比较研究
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作者 耿智凡 朱归胜 徐华蕊 《桂林电子科技大学学报》 2024年第5期511-518,共8页
氧化铟锡(ITO)薄膜因其优异的性能,在显示设备、太阳能电池、气体传感器等中被广泛应用。溅射法制备优质ITO薄膜需要ITO靶材具有高纯度、高致密度、组织均匀和良好的导电性,选择何种原料粉末制备高质量的ITO靶材一直是一个备受争议的话... 氧化铟锡(ITO)薄膜因其优异的性能,在显示设备、太阳能电池、气体传感器等中被广泛应用。溅射法制备优质ITO薄膜需要ITO靶材具有高纯度、高致密度、组织均匀和良好的导电性,选择何种原料粉末制备高质量的ITO靶材一直是一个备受争议的话题。为了获取高质量的ITO溅射靶材,分别采用氧化铟锡(ITO)粉体和氧化铟-氧化锡混合粉体为原料,以冷烧结-微波烧结的方式制得了相应的ITO靶材。通过对其相结构、微观形貌、致密度、导电性能及元素分布的分析,对比了2种不同粉体原料在相同的冷烧结-微波烧结条件下制备出的ITO靶材的性能。结果表明,以氧化铟-氧化锡混合粉体为原料制得的ITO靶材表现出更高的致密度、更好的电性能及更细小的晶粒,且以这2种不同形式的原料制得的靶材均呈现出均匀的组分分布。该工作有助于提高ITO靶材的质量,降低生产成本。 展开更多
关键词 ito靶材 水热ito粉体 氧化铟 氧化锡混合粉末 冷烧结 微波烧结
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ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究 被引量:1
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作者 邱晓龙 孙兴伟 +3 位作者 刘寅 杨赫然 董祉序 张维锋 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期354-362,共9页
为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与... 为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。 展开更多
关键词 ito导电玻璃 材料去除机理 切削力 残余应力
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真空碳热还原ITO废靶回收金属铟的工艺研究 被引量:2
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作者 王红玉 邓勇 +1 位作者 赵玺然 杜巧圆 《昆明理工大学学报(自然科学版)》 北大核心 2024年第1期11-16,共6页
以ITO(Indium-Tin-Oxide)废靶为原料进行一步真空碳热还原蒸馏回收金属铟的实验.首先研究了碳热还原过程中温度、保温时间、碳粉添加量对铟还原率的影响,再结合铟锡合金的真空蒸馏进行ITO废靶的一步还原蒸馏回收金属铟.最佳真空碳热还... 以ITO(Indium-Tin-Oxide)废靶为原料进行一步真空碳热还原蒸馏回收金属铟的实验.首先研究了碳热还原过程中温度、保温时间、碳粉添加量对铟还原率的影响,再结合铟锡合金的真空蒸馏进行ITO废靶的一步还原蒸馏回收金属铟.最佳真空碳热还原条件:温度900℃,保温时间2 h,真空度10~20 Pa,碳粉添加量为质量分数16%.一步还原蒸馏最佳条件:温度900℃,保温时间2 h,碳粉添加量为质量分数16%.真空度10~20 Pa的条件下充分还原后,再进行真空蒸馏:温度1 200℃,保温时间1 h,真空度10~20 Pa.可通过一步真空碳热还原蒸馏实现从ITO废靶中直接回收金属铟. 展开更多
关键词 ito废靶 金属铟 真空碳热还原 铟锡分离
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