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空心阴极灯在强短脉冲供电时元素离子线的时间分辨光谱被引量：11: 1; 作者黄本立杨芃原 +2 位作者林跃河王小如袁东星《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期259-262,共4页; 本文报道了普通空心阴极灯在强短脉冲供电时离子线发射的时间分辨光谱。实验表明,在微秒级脉宽、数十安培电流的脉冲作用下,阴极的发射能量由直流供电时集中在原子共振级的状态转变到集中在离子共振级的状态。以钙灯为例,其离子线的发... 展开更多; 关键词空心阴极灯离子线脉冲供电 HCL; 在线阅读下载PDF 职称材料

铜阴极溅射辉光放电在强短脉冲供电时的发射光谱研究被引量：3: 2; 作者弓振斌周振杨 +6 位作者艹凡原王小如黄本立任建世马洪波陈明张功杼《分析科学学报》 CAS CSCD 1996年第3期175-179,共5页; 本研究工作以强短脉冲供电和直流供电时辉光放电的伏安特性为基础，详细研究了强短脉冲供电时的电流、脉冲频率、脉冲宽度以及Ａｒ气压力对原子线和离子线强度的影响．; 关键词 HCMP 辉光放电发射光谱伏安特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ar辅助确定Al等离子体电子温度被引量：6: 3; 作者李尊营刘复义《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期132-134,共3页; 用Ar气作保护气时 ,Nd :YAG脉冲激光烧蚀Al靶 ,将诱发Ar气电离 ,并产生丰富的Ar离子谱线辐射。文章根据Ar离子谱线辐射信息 ,分析了ArⅡ 385 0 5 7,ArⅡ 386 85 3,ArⅡ 4 0 4 2 91 ,ArⅡ 4 0 7 2 0 1nm等 4条谱线的时间分辨行为 ,计... 展开更多; 关键词铝等离子体电子温度铝气激光烧蚀离子谱线辐射局域热平衡辐射跃迁几率; 在线阅读下载PDF 职称材料

非离子表面活性剂存在下流动注射催化光度法测定痕量硒被引量：4: 4; 作者戚文彬陈笑梅《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期433-435,共3页; 本文利用非离子表面活性剂存在下的胶束催化作用,改进了硒催化 S^(2-)还原亚甲基蓝的退色反应,提出了在线动力学分光光度测定痕量硒的方法,方法的检出限为8.0ng/g,相对标准偏差小于1.2％,并已将该法用于人发中微量硒的测定,获得满意的... 展开更多; 关键词硒测定表面活性剂分光光度法; 在线阅读下载PDF 职称材料

电除尘器中离子风对除尘效果的影响被引量：6: 5; 作者胡建华潘洋洋《装备环境工程》 CAS 2018年第3期76-80,共5页; 目的研究电除尘器中离子风对除尘过程的影响。方法分析电除尘器中离子风对除尘效果的影响,建立完整的颗粒荷电模型,在Fluent软件平台上进行计算。结果离子风在电极线附近呈双螺旋结构,正对电极线位置的离子风速度最大,在远离电极线的方... 展开更多; 关键词离子风电除尘器电极线偏置 FLUENT; 在线阅读下载PDF 职称材料

Rayleigh-Taylor不稳定性背光照相实验背光源初步理论研究: 6; 作者王光裕古培俊盛家田《计算物理》 CSCD 北大核心 1998年第1期84-89,共6页; 为开展中等功率激光器上ＲａｙｌｅｉｇｈＴａｙｌｏｒ不稳定性背光照相实验，对多种背光源靶材料及其发射的Ｋ、Ｌ、Ｍ带Ｘ光谱强度作了数值模拟计算。计算结果表明，用数百焦耳倍频激光来产生能量为２ｋｅＶ左右的Ｘ光背光源是可能的。; 关键词背光源靶电离状态线发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子型稀土多孔注液湿润体单向交汇入渗特征及关系模型被引量：2: 7; 作者王晓军王宇 +3 位作者汪豪胡凯建钟文郭钟群《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期1266-1277,共12页; 离子型稀土矿主要采用原地浸矿法实施资源回收,合理设置注液孔网可有效提高浸矿均匀性和浸矿液渗流速度。而合理孔网参数设定与多孔注液入渗过程中湿润体和湿润峰变化特征密切相关。对不同间距单向交汇入渗试验和单孔入渗试验进行了对... 展开更多; 关键词湿润峰单向交汇作用离子型稀土零通量面计算模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压直流双回输电线路合成电场与离子流的计算被引量：38: 8; 作者田冀焕邹军 +1 位作者刘杰袁建生《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期61-65,70,共6页; 高压直流双回输电线路在我国尚无设计与运行经验。为此,文章对双回直流线路电晕效应产生的离子流与综合电场强度进行了计算,分析了导线不同的布置方式以及线路间距、对地高度、导线分裂数、导线半径等结构参数对地表离子流和场强的影响... 展开更多; 关键词高压直流(HVDC) 双回输电线路合成场强离子流; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚焦透镜到样品表面的距离对激光诱导硅等离子体原子谱线强度和离子谱线强度的影响被引量：5: 9; 作者杨雪张丹 +3 位作者陈安民李苏宇姜远飞金明星《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期300-305,共6页; 利用Nd∶YAG纳秒激光脉冲烧蚀硅产生等离子体光谱,通过改变聚焦透镜到样品表面的距离,研究硅等离子体光谱中原子谱线强度和离子谱线强度的变化,主要讨论的谱线为Si(I) 390.55 nm和Si(II) 385.60 nm。结果表明:Si(I)谱线强度和Si(II)谱... 展开更多; 关键词光谱学激光诱导击穿光谱透镜到样品表面的距离原子谱线离子谱线硅; 原文传递

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