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基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计
1
作者
汪震
孙景业
《电子元件与材料》
北大核心
2026年第3期285-289,295,共6页
为了打破传统噪声抵消低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)中噪声系数和功耗无法平衡的矛盾,本文采用中芯国际SMIC 65 nm工艺设计了一款0.2~6 GHz的宽带LNA。该低噪声放大器采用双重噪声抵消结构,可以在功耗较低的情况下有效降低放...
为了打破传统噪声抵消低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)中噪声系数和功耗无法平衡的矛盾,本文采用中芯国际SMIC 65 nm工艺设计了一款0.2~6 GHz的宽带LNA。该低噪声放大器采用双重噪声抵消结构,可以在功耗较低的情况下有效降低放大器的噪声系数,并使用互补晶体管的方式进一步降低静态功耗。测试结果表明,在工作频率范围内,增益可以达到14~16 dB,噪声系数达到3.5~4 dB,输入三阶交调点达到2~3.5 dBm,静态电流只有4 mA。同现有的研究结果相比,该低噪声放大器具有低功耗、低噪声、小面积的优势。
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关键词
噪声抵消
低噪声放大器
噪声系数
输入三阶交调点
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职称材料
2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计
被引量：
2
2
作者
何小威
张民选
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2011年第2期61-64,共4页
本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时...
本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2～5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。
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关键词
低噪声放大器
超宽带
噪声系数
三阶交调点
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职称材料
LTE毫微微蜂窝基站射频收发器的设计与实现
被引量：
2
3
作者
杨洪涛
王巍
+1 位作者
隋天宇
郭蕊
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第6期59-63,77,共6页
针对近年来LTE毫微微蜂窝基站商用加快和规模扩大,减小LTE毫微微蜂窝基站的尺寸和降低其成本就变得越来越重要。在保证基站性能的基础上,如何设计无线电收发器以减少尺寸和成本成为很大的挑战。设计了一种应用于LTE毫微微蜂窝基站中的...
针对近年来LTE毫微微蜂窝基站商用加快和规模扩大,减小LTE毫微微蜂窝基站的尺寸和降低其成本就变得越来越重要。在保证基站性能的基础上,如何设计无线电收发器以减少尺寸和成本成为很大的挑战。设计了一种应用于LTE毫微微蜂窝基站中的低成本MIMO射频收发器。分析了发射机和接收机的各项需求指标,提出了块级的射频参数。据此,射频收发器被系统地分为几个子模块,分别设计了这些不同的子模块,同时区分各个子模块的特点。所得到的测定结果表明,充分集成的射频收发器的设计不仅具有小尺寸,也符合LTE毫微微基站的各项指标。
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关键词
长期演进(LTE)
毫微微蜂窝基站
射频收发器
邻道泄露功率比
误差向量幅度
噪声系数
三阶输入截点
原文传递
一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器
被引量：
1
4
作者
李寿辉
孙玲玲
文进才
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》
2008年第6期37-40,共4页
该文提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真吸收单元来提高线性度。它通过吸收输出端上3阶互调失真吸收单元电流信号来提高CMOS LNA的线性度。调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调...
该文提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真吸收单元来提高线性度。它通过吸收输出端上3阶互调失真吸收单元电流信号来提高CMOS LNA的线性度。调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调失真。采用SMIC 0.18μmRF CMOS标准工艺,设计了线性化的CMOS Cascode LNA和传统结构做对比。
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关键词
复合式金属氧化物半导体
共源共栅
低噪声放大器
线性化
3
阶输入互调截点
3
阶互调失真
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职称材料
题名
基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计
1
作者
汪震
孙景业
机构
西安邮电大学电子工程学院
出处
《电子元件与材料》
北大核心
2026年第3期285-289,295,共6页
基金
陕西省教育厅重点科学研究计划项目(21JY038)。
文摘
为了打破传统噪声抵消低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)中噪声系数和功耗无法平衡的矛盾,本文采用中芯国际SMIC 65 nm工艺设计了一款0.2~6 GHz的宽带LNA。该低噪声放大器采用双重噪声抵消结构,可以在功耗较低的情况下有效降低放大器的噪声系数,并使用互补晶体管的方式进一步降低静态功耗。测试结果表明,在工作频率范围内,增益可以达到14~16 dB,噪声系数达到3.5~4 dB,输入三阶交调点达到2~3.5 dBm,静态电流只有4 mA。同现有的研究结果相比,该低噪声放大器具有低功耗、低噪声、小面积的优势。
关键词
噪声抵消
低噪声放大器
噪声系数
输入三阶交调点
Keywords
noise cancelling
low-noise amplifier
noise figure(NF)
input
third-order
intercept
point
(
iip
3)
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计
被引量：
2
2
作者
何小威
张民选
机构
并行与分布处理国防科技重点实验室
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2011年第2期61-64,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60873212)
文摘
本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2～5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。
关键词
低噪声放大器
超宽带
噪声系数
三阶交调点
Keywords
low noise amplifier（LNA）
ultrawideband（UWB）
noise figure（NF）
input
referred thirdorder
intercept
point
（
iip
3）
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
LTE毫微微蜂窝基站射频收发器的设计与实现
被引量：
2
3
作者
杨洪涛
王巍
隋天宇
郭蕊
机构
北京工业职业技术学院电气与信息工程学院
中国电子科技集团公司第三十研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第6期59-63,77,共6页
基金
北京市2013年度科技计划面上项目(KM201310853005)
北京市高职学生培养--大学生科研训练(2014XSKY24)
2015北京工业职业技术学院重点科研课题(110551501/003)
文摘
针对近年来LTE毫微微蜂窝基站商用加快和规模扩大,减小LTE毫微微蜂窝基站的尺寸和降低其成本就变得越来越重要。在保证基站性能的基础上,如何设计无线电收发器以减少尺寸和成本成为很大的挑战。设计了一种应用于LTE毫微微蜂窝基站中的低成本MIMO射频收发器。分析了发射机和接收机的各项需求指标,提出了块级的射频参数。据此,射频收发器被系统地分为几个子模块,分别设计了这些不同的子模块,同时区分各个子模块的特点。所得到的测定结果表明,充分集成的射频收发器的设计不仅具有小尺寸,也符合LTE毫微微基站的各项指标。
关键词
长期演进(LTE)
毫微微蜂窝基站
射频收发器
邻道泄露功率比
误差向量幅度
噪声系数
三阶输入截点
Keywords
LTE
femto cellbase station
RF transceiver
adjacent channel leakage power ratio(ACLR)
error vector magnitude(EVM)
noise figure(NF)
input
3-order
intercept
point
(
iip
3)
分类号
TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器
被引量：
1
4
作者
李寿辉
孙玲玲
文进才
机构
杭州电子科技大学微电子CAD研究所
出处
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》
2008年第6期37-40,共4页
文摘
该文提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真吸收单元来提高线性度。它通过吸收输出端上3阶互调失真吸收单元电流信号来提高CMOS LNA的线性度。调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调失真。采用SMIC 0.18μmRF CMOS标准工艺,设计了线性化的CMOS Cascode LNA和传统结构做对比。
关键词
复合式金属氧化物半导体
共源共栅
低噪声放大器
线性化
3
阶输入互调截点
3
阶互调失真
Keywords
complementary metal - oxide - semiconductor（CMOS）
cascode
low noise amplifier（LNA）
lineariza- tion
third - order
input
intercept
point
（
iip
3）
third - order interrnodulation distortion （IMD
3
）
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计
汪震
孙景业
《电子元件与材料》
北大核心
2026
0
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下载PDF
职称材料
2
2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计
何小威
张民选
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2011
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
LTE毫微微蜂窝基站射频收发器的设计与实现
杨洪涛
王巍
隋天宇
郭蕊
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015
2
原文传递
4
一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器
李寿辉
孙玲玲
文进才
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》
2008
1
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职称材料
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