提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA)。第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈。提出的LNA在低功耗的前提下取得了...提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA)。第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈。提出的LNA在低功耗的前提下取得了优越的性能,基于0.18μm CMOS工艺,对该LNA流片实现并测试。测试结果表明LNA芯片在2.4 GHz频率下的增益为18 d B,噪声系数为2.02 d B,输入三阶截止点IIP3为8.3 d Bm,输入匹配参数S11和输出匹配参数S22均低于-10 d B,在1.1 V电压供电下功耗为2.5 m W。展开更多
高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线...高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线性度双平衡混频器,射频频率0.03~3 GHz,对应本振频率3.95~6.92 GHz,中频输出频率3.92 GHz,输入三阶截点大于25 d Bm,本振到中频、本振到射频的隔离度均大于37 d B,单片面积1.5 mm×1.1 mm。展开更多
文摘提出了一种基于双交叉耦合电容反馈技术的CMOS共栅低噪声放大器(LNA)。第一个反馈环路利用交叉耦合技术以提高电路跨导;另一个反馈环路在晶体管的源漏两级之间采用交叉耦合共栅技术实现电压电流反馈。提出的LNA在低功耗的前提下取得了优越的性能,基于0.18μm CMOS工艺,对该LNA流片实现并测试。测试结果表明LNA芯片在2.4 GHz频率下的增益为18 d B,噪声系数为2.02 d B,输入三阶截止点IIP3为8.3 d Bm,输入匹配参数S11和输出匹配参数S22均低于-10 d B,在1.1 V电压供电下功耗为2.5 m W。
文摘高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线性度双平衡混频器,射频频率0.03~3 GHz,对应本振频率3.95~6.92 GHz,中频输出频率3.92 GHz,输入三阶截点大于25 d Bm,本振到中频、本振到射频的隔离度均大于37 d B,单片面积1.5 mm×1.1 mm。
