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基于TOPSIS法的变压器全生命周期成本影响因素分析及优化建议
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作者 范蓝心 陈衡 +2 位作者 俞天阳 郑鸿旭 辛诚 《内蒙古电力技术》 2026年第1期52-60,共9页
为优化变压器选型与成本控制,首先,采用全生命周期成本(life cycle cost,LCC)理论和逼近理想解排序(technique for order preference by similarity to an ideal solution,TOPSIS)法,基于多项变电站工程变压器数据,探究变压器LCC构成及... 为优化变压器选型与成本控制,首先,采用全生命周期成本(life cycle cost,LCC)理论和逼近理想解排序(technique for order preference by similarity to an ideal solution,TOPSIS)法,基于多项变电站工程变压器数据,探究变压器LCC构成及电压等级、接线方式、冷却方式等7项影响因素,对影响因素进行加权评估,并计算变压器LCC的各分项成本;其次,通过控制变量法量化电压等级等4项关键因素对变压器LCC的影响,探究关键因素对变压器成本机制的耦合效应,确定35 kV、220 kV及330 kV变压器LCC最低方案。结果显示,电压等级显著影响变压器LCC,接线方式与冷却方式对其的影响也较大;各分项成本在LCC中的占比保持相对稳定;单因素影响下,电压等级越高,变压器LCC越高,而是否为智能变压器对短期成本影响较小,长期来看智能变压器更具经济性。 展开更多
关键词 变压器 全生命周期成本 TOPSIS法 影响因素分析 耦合效应
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基于IDEAL-CT试验评价后掺法温拌环氧沥青混合料抗裂性能 被引量:9
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作者 陈飞 李先延 +3 位作者 高家贵 王永俊 张林艳 封基良 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第20期266-272,共7页
薄层环氧沥青在相对经济的条件下可实现路表长寿命,且后掺法工艺克服了其施工要求苛刻而导致应用受限的难题,可实现规模化应用,具有广阔的应用前景。为评价室内模拟后掺法工艺制备的环氧沥青混合料抗裂性能,采用沥青间接拉伸开裂(IDEAL-... 薄层环氧沥青在相对经济的条件下可实现路表长寿命,且后掺法工艺克服了其施工要求苛刻而导致应用受限的难题,可实现规模化应用,具有广阔的应用前景。为评价室内模拟后掺法工艺制备的环氧沥青混合料抗裂性能,采用沥青间接拉伸开裂(IDEAL-CT)试验,以最大荷载、最大位移、荷载-位移曲线75%最大荷载处斜率绝对值(∣m_(75)∣)和抗裂指数(CT)为评价指标,研究了纤维和沥青种类、公称最大粒径、沥青用量和空隙率对混合料抗裂性能的影响规律,并探究其抗裂性能评价指标的合理性。结果表明,在环氧沥青混合料中添加纤维、增加油量可延缓裂纹的发展,提高其抗裂性能,其中玄武岩纤维抗裂性能表现最优;环氧沥青混合料抗裂性能与集料公称最大粒径呈负相关,同时其骨架密实型混合料的抗裂性能优于悬浮密实型;混合料变密实,抗变形能力下降,裂纹扩展速度加快,抗裂性能降低;与SBS改性沥青相比,环氧沥青抵抗荷载开裂的能力较强,但抗裂缝延展能力较差,在可能出现变形大或不均匀沉降的结构上应用,应注意防止裂缝发生。评价指标上,最大位移对环氧沥青混合料抗裂性能评价敏感性差,不适合用于评价热固性沥青材料的抗裂性能。 展开更多
关键词 温拌环氧沥青 后掺法 抗裂性能 影响因素 ideal-CT
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基于双模型的递推最小二乘永磁同步直线电机电气参数在线辨识 被引量:3
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作者 鲍明堃 周扬忠 《电源学报》 北大核心 2025年第3期343-353,共11页
为了实现永磁同步直线电机PMSLM(permanent magnet synchronous linear motor)高精度的多电气参数在线辨识,提出了一种基于双模型的递推最小二乘电气参数在线辨识算法。首先,根据电机的dq轴电压方程分别建立了辨识定子电阻、永磁体磁链... 为了实现永磁同步直线电机PMSLM(permanent magnet synchronous linear motor)高精度的多电气参数在线辨识,提出了一种基于双模型的递推最小二乘电气参数在线辨识算法。首先,根据电机的dq轴电压方程分别建立了辨识定子电阻、永磁体磁链的模型1和辨识q轴电感、d轴电感的模型2,并将2个辨识模型循环结合。其次,基于上述双模型结构,采用递推最小二乘算法实现电气参数在线辨识,并针对PMSLM运行时存在大量动态过程的特性,提出一种具有饱和特性的分段变遗忘因子;然后,对功率开关非理想因素导致的误差电压进行补偿,进一步提高了辨识的精准度;最后,仿真和实验结果证明了该辨识算法的有效性,且具有收敛速度快、辨识结果精度高、多工况适用等优点。 展开更多
关键词 永磁同步直线电机 在线辨识 变遗忘因子 递推最小二乘 双模型 功率开关非理想因素补偿
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基于敏感设备耐受能力的工业园区电压暂降评估
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作者 马莉 肖迪 +3 位作者 李宇 张延 李兹睿 庞仪凡 《科学技术与工程》 北大核心 2025年第32期13834-13843,共10页
电压暂降是工业园区中严重的电能质量问题之一。为了对工业园区内电压暂降事件的严重程度进行合理准确的评估,提出一种基于敏感设备耐受能力的工业园区电压暂降评估方法。首先考虑电压暂降严重程度指标S_(e)存在的评估缺陷,对S_(e)进行... 电压暂降是工业园区中严重的电能质量问题之一。为了对工业园区内电压暂降事件的严重程度进行合理准确的评估,提出一种基于敏感设备耐受能力的工业园区电压暂降评估方法。首先考虑电压暂降严重程度指标S_(e)存在的评估缺陷,对S_(e)进行改进,提出改进的电压暂降严重程度指标S_(en)。根据给出的基于耐受曲线的设备暂降耐受因子G_(i)和基于设备电源相的暂降类型影响因子y_(n),提出不同敏感设备的电压暂降严重程度指标Q_(i),结合上述指标提出工业园区的电压暂降严重程度综合指标K。算例验证了所改进的电压暂降严重程度指标S_(en)可以克服传统的S_(e)评估缺陷,指标Q_(i)和K可以合理地对工业园区进行电压暂降严重程度评估。 展开更多
关键词 电压暂降 工业园区 敏感设备 熵权法-TOPSIS法 评分权重 评价因素
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Ti/4H-SiC Schottky Barrier Diodes with Field Plate and B^+ Implantation Edge Termination Technology 被引量:2
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作者 陈刚 李哲洋 +1 位作者 柏松 任春江 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1333-1336,共4页
This paper describes the fabrication and electrical characteristics of Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs). The ideality factor n = 1.08 and effective Schottky barrier heightφ= 1.05eV of the SBDs were measured... This paper describes the fabrication and electrical characteristics of Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs). The ideality factor n = 1.08 and effective Schottky barrier heightφ= 1.05eV of the SBDs were measured with the method of forward current density-voltage (J-V). A low reverse leakage current below 5.96 ×10^-3A/cm^2 at a bias voltage of - 1. 1kV was obtained. By using B^+ implantation,an amorphous layer as the edge termination was formed. We used the PECVD SiO2 as the field plate dielectric. The SBDs have an on-state current density of 430A/cm^2 at a forward voltage drop of about 4V. The specific on-resistance Ro, was found to be 6. 77mΩ2 · cm^2 . 展开更多
关键词 4H-SIC Schottky barrier ideal factor barrier height IMPLANTATION
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滨海城市旅游产业高质量发展评价研究——以粤西3市为例
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作者 李志勇 徐红宇 周楚华 《科技和产业》 2025年第23期185-191,共7页
基于新发展理念构建滨海城市旅游产业高质量发展评价指标体系,运用熵权TOPSIS(逼近理想解排序)法与障碍度模型,对粤西3个滨海城市2012—2023年旅游产业高质量发展态势进行评价研究,并识别其关键障碍因素。结果表明:2012—2023年湛江市... 基于新发展理念构建滨海城市旅游产业高质量发展评价指标体系,运用熵权TOPSIS(逼近理想解排序)法与障碍度模型,对粤西3个滨海城市2012—2023年旅游产业高质量发展态势进行评价研究,并识别其关键障碍因素。结果表明:2012—2023年湛江市旅游产业高质量发展水平显著提升,茂名市小幅下降,阳江市则有大幅下降,茂名、阳江与湛江之间的差距逐渐扩大,粤西区域整体则小幅提升;区域旅游产业高质量发展的关键障碍因子集中在创新发展、协调发展、共享发展与开放发展4个方面。 展开更多
关键词 滨海城市 旅游产业 高质量发展 熵权TOPSIS(逼近理想解排序)模型 障碍因素 粤西
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永磁轮毂电机齿槽转矩研究 被引量:24
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作者 程树康 宫海龙 +1 位作者 柴凤 高宏伟 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第30期47-51,共5页
针对永磁电机中非理想因素对齿槽转矩的影响,基于能量法和傅里叶级数解析方法给出了齿槽转矩的一般表达形式,并分析了理想及非理想条件下齿槽转矩的谐波成分。对一台12槽10极内置径向式永磁同步轮毂电机,应用有限元分析方法研究其在理... 针对永磁电机中非理想因素对齿槽转矩的影响,基于能量法和傅里叶级数解析方法给出了齿槽转矩的一般表达形式,并分析了理想及非理想条件下齿槽转矩的谐波成分。对一台12槽10极内置径向式永磁同步轮毂电机,应用有限元分析方法研究其在理想条件下以及存在定子椭圆和永磁体偏移的条件下的齿槽转矩。研究结果表明,在非理想条件下齿槽转矩发生明显改变,其中定子椭圆引起的低次谐波影响最大。提出了一种由步进电机、转矩传感器等元件组成的齿槽转矩测试系统。对样机的齿槽转矩进行实验研究,实验结果与计算结果趋势一致,表明了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 齿槽转矩 永磁轮毂电机 非理想因素 定子椭圆
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基于一条Ⅰ-Ⅴ曲线提取硅太阳电池参数的一种新方法 被引量:17
8
作者 查珺 程晓舫 +2 位作者 丁金磊 翟载腾 茆美琴 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期992-995,共4页
依据硅太阳电池的短路电流I_(sc),开路电压V_(oc),最大功率点电流I_(mp),最大功率点电压V_(mp)等特性参数,结合电流方程在最大功率点处的极值表述,建立求解3个电性参数的封闭方程组,解出硅太阳电池的3个待定参数从而确定出硅太阳电池的... 依据硅太阳电池的短路电流I_(sc),开路电压V_(oc),最大功率点电流I_(mp),最大功率点电压V_(mp)等特性参数,结合电流方程在最大功率点处的极值表述,建立求解3个电性参数的封闭方程组,解出硅太阳电池的3个待定参数从而确定出硅太阳电池的电流方程。拟合的曲线与实验数据相比。结果证明了文中所提方法的正确性和可行性。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 串联内阻 反向饱和电流 二极管理想因子
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激光器阵列的非本征理想因子 被引量:8
9
作者 张爽 郭树旭 +4 位作者 郭欣 曹军胜 郜峰利 单江东 任瑞治 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期768-773,共6页
研究了激光器阵列的电导数表征方法,建立了激光器阵列的等效电路模型,导出了理想情况下阵列的电导数公式.理论、PSPICE仿真和实验结果表明:一致性良好的阵列的非本征理想因子等于每个阵列单元的非本征理想因子,该结论可用于对阵列单元... 研究了激光器阵列的电导数表征方法,建立了激光器阵列的等效电路模型,导出了理想情况下阵列的电导数公式.理论、PSPICE仿真和实验结果表明:一致性良好的阵列的非本征理想因子等于每个阵列单元的非本征理想因子,该结论可用于对阵列单元非本征理想因子检测与阵列可靠性研究.导致单元本征理想因子变大,电流泄漏的可靠性问题均可导致阵列非本征理想因子变大. 展开更多
关键词 激光器阵列 等效电路模型 电特性 可靠性 理想因子 电导数
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太阳能电池参数求解新算法 被引量:29
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作者 高金辉 唐静 贾利锋 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2012年第9期133-136,共4页
为了得到太阳能电池板的最佳工作效率,需要求出单体太阳能电池各参数的数值。通过理论分析和仿真研究发现,串联电阻Rs有使太阳能电池的I-U特性曲线左移的特性;并联电阻Rsh有使太阳能电池的I-U特性曲线下移的特性。在此特性的基础上,根... 为了得到太阳能电池板的最佳工作效率,需要求出单体太阳能电池各参数的数值。通过理论分析和仿真研究发现,串联电阻Rs有使太阳能电池的I-U特性曲线左移的特性;并联电阻Rsh有使太阳能电池的I-U特性曲线下移的特性。在此特性的基础上,根据太阳能电池的电流方程,提出了一种估算串联电阻Rs、并联电阻Rsh的新方法。在相同温度条件下,通过测量不同光照条件下的开路电压和短路电流的实验值,经过曲线拟合发现二极管品质因子n不受光照强度的影响,可以认为是常数。该算法能够较方便地得到太阳能电池的四个重要参数Io,n,Rs,Rsh的值。实验及分析结果表明,理论估算结果与实验结果误差在1.8%以下,满足工程应用的精度要求。 展开更多
关键词 太阳能电池 串联电阻 并联电阻 二极管品质因子 反向饱和电流
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InGaAs线列探测器的I-V特性研究 被引量:6
11
作者 唐恒敬 吴小利 +4 位作者 张可锋 汪洋 贺香荣 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期598-601,共4页
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量... 采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。 展开更多
关键词 INGAAS探测器 I-V曲线 串联电阻 理想因子 响应率 噪声
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Si衬底GaN基LED理想因子的研究 被引量:5
12
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 周毛兴 刘和初 莫春兰 王立 江风益 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期45-48,共4页
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,... 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。 展开更多
关键词 SI衬底 GAN LED 理想因子
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InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 被引量:7
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作者 刘诗文 郭霞 +4 位作者 艾伟伟 宋颖娉 顾晓玲 张蕾 沈光地 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期240-243,共4页
对不同温度(120~363K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温... 对不同温度(120~363K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温下其理想因子远大于2,并且随着温度的下降而升高;而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN/GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约,外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度,导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。 展开更多
关键词 氮化镓 蓝光发光二极管 理想因子
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SiC表面氢化研究 被引量:6
14
作者 罗小蓉 张波 +1 位作者 李肇基 龚敏 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第11期2191-2194,共4页
该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC... 该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2~1.25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10^-3Ω·cm^2~7×10^-3Ω·cm^2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800~1200℃的高温合金,而且改善了肖特基接触的电学特性。SiC表面模型与实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 过渡层 氢化 界面态 费米能级钉扎 理想因子
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ZnO上肖特基接触的研究进展 被引量:4
15
作者 方亮 董建新 +4 位作者 张淑芳 张文婷 彭丽萍 吴芳 孔春阳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-132,共7页
由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接... 由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳。同时,对p型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论。另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向。 展开更多
关键词 ZNO 肖特基接触 泄露电流 理想因子
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基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命 被引量:5
16
作者 段毅 马卫东 +1 位作者 吕长志 李志国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期92-95,共4页
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。... 对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的IR作为失效判据。基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107h,测试结果与实际预测相符。 展开更多
关键词 退化试验 理想因子 势垒高度 肖特基二极管 恒定电应力温度斜坡法
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表面氢化对SiC/金属接触的作用机理 被引量:4
17
作者 罗小蓉 李肇基 +1 位作者 张波 龚敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期164-167,共4页
提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0~ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0... 提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0~ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5~ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5~ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。 展开更多
关键词 氢化 极性 界面态 接触电阻 理想因子
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高功率半导体激光器的m值与器件质量的相关性 被引量:3
18
作者 梁庆成 石家纬 +4 位作者 曹军胜 刘奎学 郭树旭 李红岩 胡贵军 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期847-850,共4页
用电导数技术测量了高功率半导体激光器及阵列激光器的m值,讨论了影响m值大小的因素及与器件质量的相关性。结果表明,m值是器件质量和可靠性的重要标志之一,对于同种器件,质量好的器件的m值一定在某范围之内。对取值范围进行了讨论。
关键词 半导体激光器 理想因子m 质量
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基于p^+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究 被引量:2
19
作者 郑凯波 邢晓艳 +7 位作者 徐华华 方方 沈浩颋 张晶 朱健 叶春暖 孙大林 陈国荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期163-167,共5页
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异... 利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0 V^0.3 V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3 V^0.8 V的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属-半导体接触以及ZnO纳米线与p+-Si界面存在缺陷。 展开更多
关键词 氧化锌 纳米线 异质结 理想因子
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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响 被引量:2
20
作者 陈刚 陈雪兰 +2 位作者 柏松 李哲洋 韩平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期247-249,共3页
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1... 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。 展开更多
关键词 4H-SIC 缺陷 肖特基二极管 理想因子 势垒高度 测试
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