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高k栅介质材料的研究进展
被引量：
2
1
作者
蔡苇
符春林
陈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期97-100,共4页
综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
关键词
高
k
栅介质
sio2
栅介质
等效氧化物
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职称材料
新一代栅介质材料——高K材料
被引量：
5
2
作者
李驰平
王波
+1 位作者
宋雪梅
严辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期17-20,25,共5页
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解...
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。
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关键词
高
k
材料
sio2
栅介质减薄
等效
sio2
厚度
介质材料
高介电常数材料
一代
发展趋势
微电子工业
CMOS
sio2
在线阅读
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职称材料
La基高k栅介质的研究进展
3
作者
陈伟
方泽波
+2 位作者
马锡英
谌家军
宋经纬
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第5期282-289,共8页
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出...
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。
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关键词
高
k
栅介质
La基氧化物
二氧化硅
金属氧化物半导体场效应晶体管
摩尔定律
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职称材料
高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模
4
作者
万璐绪
杨建国
+3 位作者
柯导明
吴笛
杨菲
陈甜
《中国科学：信息科学》
CSCD
北大核心
2019年第3期342-360,共19页
文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-...
文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO_2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化, DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型.
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关键词
高
k
+
sio2
栅
FD-SOI
MOSFET
阈值电压
DIBL效应
二维模型
原文传递
题名
高k栅介质材料的研究进展
被引量：
2
1
作者
蔡苇
符春林
陈刚
机构
重庆科技学院冶金与材料工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期97-100,共4页
基金
重庆科技学院科技创新团队建设工程(CX06-9)
文摘
综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
关键词
高
k
栅介质
sio2
栅介质
等效氧化物
Keywords
high
k
gate
dielectrics
sio2
gate
dielectrics
equivalent oxide
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新一代栅介质材料——高K材料
被引量：
5
2
作者
李驰平
王波
宋雪梅
严辉
机构
北京工业大学材料科学与工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期17-20,25,共5页
基金
北京市教育委员会科技发展计划(Km200310005011)
北京市优秀人才培养专项经费资助项目(20041D0501513)
北京市"中青年骨干教师培养计划"项目
文摘
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。
关键词
高
k
材料
sio2
栅介质减薄
等效
sio2
厚度
介质材料
高介电常数材料
一代
发展趋势
微电子工业
CMOS
sio2
Keywords
high
-
k
gate
dielectric materials, decrease of
sio2
layer thic
k
ness, equivalent oxide thic
k
ness
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TM53 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
La基高k栅介质的研究进展
3
作者
陈伟
方泽波
马锡英
谌家军
宋经纬
机构
西华师范大学物理与电子信息学院
绍兴文理学院物理与电子信息系
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第5期282-289,共8页
基金
国家自然科学青年基金项目(60806031)
国家自然科学基金项目(60776004)
绍兴市重点科研项目(2007A21015)
文摘
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。
关键词
高
k
栅介质
La基氧化物
二氧化硅
金属氧化物半导体场效应晶体管
摩尔定律
Keywords
high
-
k
gate
dielectric
La-based oxide
sio2
MOSFET
Moore′s Law
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
在线阅读
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职称材料
题名
高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模
4
作者
万璐绪
杨建国
柯导明
吴笛
杨菲
陈甜
机构
安徽大学电子工程与信息学院
出处
《中国科学：信息科学》
CSCD
北大核心
2019年第3期342-360,共19页
基金
国家自然科学基金(批准号:61376098
61076086)资助项目
文摘
文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO_2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化, DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型.
关键词
高
k
+
sio2
栅
FD-SOI
MOSFET
阈值电压
DIBL效应
二维模型
Keywords
high
k
+
sio2
gate
FD-SOI MOSFET
threshold voltage
DIBL effect
the two-dimensional model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高k栅介质材料的研究进展
蔡苇
符春林
陈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
新一代栅介质材料——高K材料
李驰平
王波
宋雪梅
严辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
La基高k栅介质的研究进展
陈伟
方泽波
马锡英
谌家军
宋经纬
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模
万璐绪
杨建国
柯导明
吴笛
杨菲
陈甜
《中国科学：信息科学》
CSCD
北大核心
2019
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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