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高质量重锡掺杂ZnGa_(2)O_(4)单晶
1
作者 李政沅 李慧慧 +5 位作者 张坤 尹强 王佩 张晋 贾志泰 穆文祥 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第7期1993-2000,共8页
超宽禁带(UWBG)半导体材料具有高临界电场、耐高温、光电特性优异,因可在高功率器件、电力电子、光电子应用等领域发挥重要作用而备受关注。采用垂直梯度凝固(VGF)法成功生长出体积约10cm3的高质量Sn^(4+)掺杂ZnGa_(2)O_(4)单晶。通过X... 超宽禁带(UWBG)半导体材料具有高临界电场、耐高温、光电特性优异,因可在高功率器件、电力电子、光电子应用等领域发挥重要作用而备受关注。采用垂直梯度凝固(VGF)法成功生长出体积约10cm3的高质量Sn^(4+)掺杂ZnGa_(2)O_(4)单晶。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱、霍尔测试和紫外–可见光谱对晶体结构、电学性能和光学性能进行了系统研究。XRD结果表明,Sn^(4+)掺杂ZnGa_(2)O_(4)晶体为纯尖晶石相无杂质相,摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为82″。所获得的不同Sn^(4+)掺杂浓度的ZnGa_(2)O_(4)单晶的光学带隙分别为4.58 eV和4.56 eV,均在约275 nm处有明显的吸收截止边。霍尔测试的结果显示,随着Sn^(4+)掺杂浓度的升高,晶体的电导率增加,最高载流子浓度可达3.32×10^(19)cm^(–3),电子迁移率为30 cm^(2)·V^(–1)·s^(–1),电阻率为0.006Ω·cm。载流子浓度明显高于之前研究的未掺杂的ZnGa_(2)O_(4)单晶。本工作为ZnGa_(2)O_(4)材料的掺杂改性提供了重要的理论和实验依据。锡掺杂到ZnGa_(2)O_(4)晶体中后,光电性能改善,有望在高功率器件和光电器件领域获得应用。 展开更多
关键词 氧化锌镓 垂直梯度凝固法 锡掺杂 电学性能 超宽禁带半导体
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具有低频超宽衰减域的部分埋入式表面波屏障 被引量：14
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作者 秦凯强 刘泽 于桂兰 《地震工程与工程振动》 CSCD 北大核心 2020年第2期187-194,共8页
针对低频Rayleigh表面波,设计了部分埋入式工字形截面周期波屏障。利用有限元方法计算了结构的频散曲线,分析了带隙的形成机理,讨论了屏障埋入土体深度和截面参数对带隙的影响,在此基础上设计了具有低频超宽衰减域的梯度及分段梯度波屏... 针对低频Rayleigh表面波,设计了部分埋入式工字形截面周期波屏障。利用有限元方法计算了结构的频散曲线,分析了带隙的形成机理,讨论了屏障埋入土体深度和截面参数对带隙的影响,在此基础上设计了具有低频超宽衰减域的梯度及分段梯度波屏障并计算了其传输谱。结果表明:周期波屏障存在较宽带隙,板埋入深度和端部尺寸是影响带隙的关键参数,通过参数调节可实现不同频段Rayleigh波的调控。工字形变截面波屏障比等截面具有更优越的隔震性能且节省材料。梯度及分段梯度波屏障显著拓宽了衰减域的频率范围,对1.5~20 Hz范围内的Rayleigh表面波实现了全覆盖,用小尺寸控制了大波长。 展开更多
关键词 波屏障 周期 梯度 RAYLEIGH波 带隙 低频衰减域
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可调带隙硫硒化锑薄膜及太阳电池的研究进展
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作者 曹宇 武颖 +4 位作者 周静 倪牮 张建军 陶加华 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期311-326,共16页
硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池最高效率已超过10%,显示出产业化潜力。Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的研究重点是提高吸光层... 硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池最高效率已超过10%,显示出产业化潜力。Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的研究重点是提高吸光层质量和优化器件结构。首先,系统介绍了Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的主流生长工艺;其次,对Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池各功能层选择和渐变带隙结构设计进行分析;最后,对Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的大面积制备和其在锑基多结叠层太阳电池中的应用潜力做了进一步展望,为其产业化发展提供可行性参考。 展开更多
关键词 硫硒化锑太阳电池 制备方法 载流子传输层 渐变带隙
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