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面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
1
作者 唐晓雨 刘玉杰 花涛 《物理学报》 北大核心 2025年第9期277-283,共7页
Ⅳ族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more... Ⅳ族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more than Moore)技术领域的前沿研究热点.面向高迁移率的Ge基晶体管制备,高质量栅极氧化物工艺是关键.而高介电常数的Ge基栅极氧化物可以在提高栅控能力的同时,有效降低器件栅极漏电,提升器件的性能.稀土系氧化物LaLuO_(3)介电常数较高,并且晶化温度高,是制备Ge基MOSFET栅介质的优选方案.本文通过磁控溅射技术制备Ge基氧化物LaLuO_(3)介质,并系统研究了退火工艺的气体种类、压强等氛围条件对Ge MOS栅电容特性的影响,揭示了常压氧气氛围退火可以改善器件栅电容迟滞现象,但存在栅界面层厚度增大的问题;通过进一步发展基于高压低氧含量(0.1%O_(2))气体氛围退火技术,在修复LaLuO_(3)/Ge界面缺陷并减少氧空位产生的同时,实现了极低的等效氧化层厚度(1.8 nm),相应的LaLuO_(3)/Ge MOS结构电容-电压曲线迟滞仅为40 mV,为Ge MOSFET提供了高性能LaLuO_(3)/Ge栅极工艺方案. 展开更多
关键词 Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数
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Flash memory中的叠栅腐蚀工艺
2
作者 莫科伟 肖军 韩隽 《电子与封装》 2002年第5期11-14,31,共5页
本文主要介绍了 Intel 式 Flash memory 单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了 Flash 叠栅自对准腐蚀对 Flash 性能的重要性。
关键词 FLASH MEMORY 腐蚀工艺 叠栅
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