采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而...采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。展开更多
对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带...对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比 。展开更多
GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor.High resolution X ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectro metry (SIMS...GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor.High resolution X ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectro metry (SIMS) are combined in determining the nitrogen contents in the samples.Room temperature photoluminescence (RTPL) measurement is also used in characterizing.The influence of different Ga precursors on GaNAs quality is investigated.Samples grown with triethylgallium (TEGa) have better qualities and less impurity contamination than those with trimethylgallium (TMGa).Nitrogen content of 5 688% is achieved with TEGa.The peak wavelength in RTPL measurement is measured to be 1278 5nm.展开更多
在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中...在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。展开更多
文摘采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。
文摘对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比 。
文摘GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor.High resolution X ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectro metry (SIMS) are combined in determining the nitrogen contents in the samples.Room temperature photoluminescence (RTPL) measurement is also used in characterizing.The influence of different Ga precursors on GaNAs quality is investigated.Samples grown with triethylgallium (TEGa) have better qualities and less impurity contamination than those with trimethylgallium (TMGa).Nitrogen content of 5 688% is achieved with TEGa.The peak wavelength in RTPL measurement is measured to be 1278 5nm.
文摘在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。
